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 | EFM8LB12F64ES1-B-QFN24 | - | | 7748 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | 레이저 레이저 | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-vfqfn 노출 패드 | EFM8LB12 | 24-QFN (3x3) | - | 2 (1 년) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 120 | 20 | CIP-51 8051 | 8 비트 | 72MHz | I²C, SMBUS, SPI, UART/USART | 브라운 브라운 감지/재설정, por, pwm, wdt | 64KB (64K X 8) | 플래시 | - | 4.25kx 8 | 2.2V ~ 3.6V | A/D 12x14B; D/A 4x12b | 내부 | |||||
| R5F1027AAXXXNA#05 | - | | 1420 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | RL78/G12 | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-wfqfn q 패드 | R5F1027 | 24-HWQFN (4x4) | 다운로드 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 559-R5F1027AAXXXNA#05 | 1 | 16 | RL78 | 16 비트 | 24MHz | CSI, I²C, UART/USART | DMA, LVD, POR, PWM, WDT | 16KB (16k x 8) | 플래시 | 2k x 8 | 1.5kx 8 | 1.8V ~ 5.5V | A/D 11x8/10B | 외부, 내부 | |||||
 | MC9S08SU16VFK | 2.8100 | | 922 | 0.00000000 | 프리 프리 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | MC9S08 | 다운로드 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2156-MC9S08SU16VFK-600055 | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||
 | Cy90F049APMC-G-115E1 | - | | 4022 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | Cy90F049 | 확인되지 확인되지 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 168 | ||||||||||||||||||||
| MSPM0L1304SRHBR | 1.5500 | | 3887 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 32-vfqfn 노출 패드 | 32-VQFN (5x5) | - | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 3,000 | 28 | ARM® Cortex®-M0+ | 32 비트 | 32MHz | Dali, I²C, Irda, Linbus, SmartCard, SMBUS, SPI, UART/USART | 브라운 브라운 브라운 감지/재설정, DMA, POR, PWM, WDT | 16KB (16k x 8) | 플래시 | - | 2k x 8 | 1.62V ~ 3.6V | A/D 10X12B SAR | 외부, 내부 |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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