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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 채널 채널 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 샘플링 샘플링 (속도) 데이터 데이터 해상도 (비트) 전압 전압
TLP7830(D4KWJTLE Toshiba Semiconductor and Storage tlp7830 (d4kwjtle -
RFQ
ECAD 9915 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 튜브 쓸모없는 TLP7830 - 1 (무제한) 264-TLP7830 (D4KWJTLE 쓸모없는 50
TLP7930(D4,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP7930 (D4, f 4.9512
RFQ
ECAD 1759 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) 격리 격리 모듈 TLP7930 1 3V ~ 5.5V 8-DIP 다운로드 rohs 준수 적용 적용 수 할 TLP7930 (D4F 귀 99 8541.49.8000 50 - 연속물 1 b 이중 이중
TLP7830(D4-TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP7830 (D4-TP4, e -
RFQ
ECAD 5869 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 변조기 TLP7830 1 3V ~ 5.5V, 3V ~ 5.5V 도 8- - 1 (무제한) 264-TLP7830 (D4-TP4etr 1,500 - 연속물 1 b 이중 이중
TLP7830(D4-TL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP7830 (D4-TL, e -
RFQ
ECAD 5635 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 튜브 쓸모없는 TLP7830 - 1 (무제한) 264-TLP7830 (D4-TLE 쓸모없는 50
TLP7830(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP7830 (TP4, e 7.0400
RFQ
ECAD 1725 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 변조기 TLP7830 1 3V ~ 5.5V 도 8- 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,500 - 연속물 1 b 이중 이중
TLP7830(D4-LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP7830 (D4-LF4, e -
RFQ
ECAD 1852 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 변조기 TLP7830 1 3V ~ 5.5V, 3V ~ 5.5V 도 8- - 1 (무제한) 264-TLP7830 (D4-LF4E 75 - 연속물 1 b 이중 이중
TLP7830(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP7830 (D4, e -
RFQ
ECAD 5656 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 튜브 쓸모없는 TLP7830 - 1 (무제한) 264-TLP7830 (D4E 쓸모없는 50
TLP7930(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP7930 (f 4.9512
RFQ
ECAD 6899 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) 격리 격리 모듈 TLP7930 1 3V ~ 5.5V 8-DIP 다운로드 rohs 준수 적용 적용 수 할 귀 99 8541.49.8000 50 - 연속물 1 b 이중 이중
TLP7830(D4KWJT4E Toshiba Semiconductor and Storage TLP7830 (D4KWJT4E -
RFQ
ECAD 6172 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 변조기 TLP7830 1 3V ~ 5.5V, 3V ~ 5.5V 도 8- - 1 (무제한) 264-TLP7830 (d4kwjt4etr 1,500 - 연속물 1 b 이중 이중
TLP7930(D4-TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP7930 (D4-TP1, f 6.8300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 격리 격리 모듈 TLP7930 1 3V ~ 5.5V 8-smd 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,500 - 연속물 1 b 이중 이중
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고