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인덕터, 질식, 코일 (429)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 특징 주파수 - 공명 자기 공급 공급 장치 업체 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 현재 (amp) 차폐 재료 - 코어 인덕턴스 전류- is (ISAT) DC (DCR) Q @ freq 인덕턴스 인덕턴스 - 주파수
WB0805T22NSG Cal-Chip Electronics, Inc. WB0805T22NSG 0.0900
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.090 "L x 0.068"W (2.29mm x 1.73mm) 0.060 "(1.52mm) 표면 표면 0805 (2012 5) 드럼 드럼, 코어 - 2.6GHz 0805 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0805T22NSGTR 귀 99 8504.50.8000 3,000 500 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 22 NH - 220mohm Max 55 @ 500MHz 250MHz
WB0805T33NSG Cal-Chip Electronics, Inc. WB0805T33NSG 0.0900
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.090 "L x 0.068"W (2.29mm x 1.73mm) 0.060 "(1.52mm) 표면 표면 0805 (2012 5) 드럼 드럼, 코어 - 2.05GHz 0805 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0805T33NSGTR 귀 99 8504.50.8000 3,000 500 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 33 NH - 270mohm Max 60 @ 500MHz 250MHz
WB0805TR33SG Cal-Chip Electronics, Inc. WB0805TR33SG 0.0900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.090 "L x 0.068"W (2.29mm x 1.73mm) 0.060 "(1.52mm) 표면 표면 0805 (2012 5) 드럼 드럼, 코어 - 600MHz 0805 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0805TR33SGTR 귀 99 8504.50.8000 3,000 300 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 330 NH - 1.4ohm 48 @ 250MHz 100MHz
WB1008T36NSG Cal-Chip Electronics, Inc. WB1008T36NSG 0.1000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.110 "L x 0.079"W (2.79mm x 2.00mm) 0.083 "(2.10mm) 표면 표면 1008 (2520 20) 드럼 드럼, 코어 - 1.6GHz 1008 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB1008T36NSGTR 귀 99 8504.50.8000 2,000 1 a 차폐되지 차폐되지 세라믹 36 NH - 150mohm Max 60 @ 350MHz 50MHz
WB0603T18NSJ Cal-Chip Electronics, Inc. WB0603T18NSJ 0.0890
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.071 "L x 0.044"W (1.80mm x 1.12mm) 0.040 "(1.02mm) 표면 표면 0603 (1608 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 3.1GHz 0603 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0603T18NSJTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 700 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 18 NH - 170mohm Max 35 @ 250MHz 250MHz
WB0603T8N5SJ Cal-Chip Electronics, Inc. WB0603T8N5SJ 0.0890
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.071 "L x 0.044"W (1.80mm x 1.12mm) 0.040 "(1.02mm) 표면 표면 0603 (1608 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 4.6GHz 0603 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0603T8N5SJTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 700 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 8.5 NH - 109mohm Max 28 @ 250MHz 250MHz
WB0402T39NSG Cal-Chip Electronics, Inc. WB0402T39NSG 0.0820
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.047 "L x 0.025"W (1.19mm x 0.64mm) 0.026 "(0.66mm) 표면 표면 0402 (1005 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 2GHz 0402 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0402T39NSGTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 200 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 39 NH - 550mohm Max 25 @ 250MHz 250MHz
WB0402T23NSG Cal-Chip Electronics, Inc. WB0402T23NSG 0.0820
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.047 "L x 0.025"W (1.19mm x 0.64mm) 0.026 "(0.66mm) 표면 표면 0402 (1005 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 2.72GHz 0402 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0402T23NSGTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 400 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 23 NH - 300mohm Max 22 @ 250MHz 250MHz
WB0402T1N8SJ Cal-Chip Electronics, Inc. WB0402T1N8SJ 0.0890
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.047 "L x 0.025"W (1.19mm x 0.64mm) 0.026 "(0.66mm) 표면 표면 0402 (1005 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 12GHz 0402 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0402T1N8SJTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 1.04 a 차폐되지 차폐되지 세라믹 1.8 NH - 70mohm Max 16 @ 250MHz 250MHz
WB0603T12NSG Cal-Chip Electronics, Inc. WB0603T12NSG 0.0950
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.071 "L x 0.044"W (1.80mm x 1.12mm) 0.040 "(1.02mm) 표면 표면 0603 (1608 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 4GHz 0603 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0603T12NSGTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 700 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 12 NH - 130mohm Max 35 @ 250MHz 250MHz
WB1008T68NSK Cal-Chip Electronics, Inc. WB1008T68NSK 0.0950
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.110 "L x 0.079"W (2.79mm x 2.00mm) 0.083 "(2.10mm) 표면 표면 1008 (2520 20) 드럼 드럼, 코어 - 1.3GHz 1008 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB1008T68NSKTR 귀 99 8504.50.8000 2,000 1 a 차폐되지 차폐되지 세라믹 68 NH - 200mohm max 65 @ 350MHz 50MHz
WB0402T11NSG Cal-Chip Electronics, Inc. WB0402T11NSG 0.0820
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.047 "L x 0.025"W (1.19mm x 0.64mm) 0.026 "(0.66mm) 표면 표면 0402 (1005 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 3.68GHz 0402 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0402T11NSGTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 640 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 11 NH - 120mohm Max 24 @ 250MHz 250MHz
WB0603T11NSJ Cal-Chip Electronics, Inc. WB0603T11NSJ 0.0890
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.071 "L x 0.044"W (1.80mm x 1.12mm) 0.040 "(1.02mm) 표면 표면 0603 (1608 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 4GHz 0603 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0603T11NSJTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 700 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 11 NH - 86mohm Max 33 @ 250MHz 250MHz
WB0402T4N7SC Cal-Chip Electronics, Inc. WB0402T4N7SC 0.0890
RFQ
 ECAD 8036 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 0.2NH -40 ° C ~ 125 ° C - 0.047 "L x 0.025"W (1.19mm x 0.64mm) 0.026 "(0.66mm) 표면 표면 0402 (1005 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 4.7GHz 0402 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0402T4N7SCTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 640 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 4.7 NH - 130mohm Max 15 @ 250MHz 250MHz
WB0402T9N1SJ Cal-Chip Electronics, Inc. WB0402T9N1SJ 0.0820
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.047 "L x 0.025"W (1.19mm x 0.64mm) 0.026 "(0.66mm) 표면 표면 0402 (1005 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 4.16GHz 0402 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0402T9N1SJTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 680 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 9.1 NH - 100mohm max 22 @ 250MHz 250MHz
WB0402T82NSJ Cal-Chip Electronics, Inc. WB0402T82NSJ 0.0820
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.047 "L x 0.025"W (1.19mm x 0.64mm) 0.026 "(0.66mm) 표면 표면 0402 (1005 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 1.26GHz 0402 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0402T82NSJTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 50 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 82 NH - 1.55ohm 20 @ 250MHz 250MHz
WB1008T1R5SJ Cal-Chip Electronics, Inc. WB1008T1R5SJ 0.0950
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.110 "L x 0.079"W (2.79mm x 2.00mm) 0.083 "(2.10mm) 표면 표면 1008 (2520 20) 드럼 드럼, 코어 - 200MHz 1008 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB1008T1R5SJTR 귀 99 8504.50.8000 2,000 330 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 1.5 µh - 2.3ohm 28 @ 50MHz 7.9 MHz
WB1008T75NSJ Cal-Chip Electronics, Inc. WB1008T75NSJ 0.0950
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.110 "L x 0.079"W (2.79mm x 2.00mm) 0.083 "(2.10mm) 표면 표면 1008 (2520 20) 드럼 드럼, 코어 - 1.1GHz 1008 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB1008T75NSJTR 귀 99 8504.50.8000 2,000 1 a 차폐되지 차폐되지 세라믹 75 NH - 210mohm Max 60 @ 350MHz 50MHz
WB0402T51NSG Cal-Chip Electronics, Inc. WB0402T51NSG 0.0820
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.047 "L x 0.025"W (1.19mm x 0.64mm) 0.026 "(0.66mm) 표면 표면 0402 (1005 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 1.75GHz 0402 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0402T51NSGTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 100 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 51 NH - 820mohm Max 25 @ 250MHz 250MHz
WB0805TR25SJ Cal-Chip Electronics, Inc. WB0805TR25SJ 0.0850
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.090 "L x 0.068"W (2.29mm x 1.73mm) 0.060 "(1.52mm) 표면 표면 0805 (2012 5) 드럼 드럼, 코어 - 680MHz 0805 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0805TR25SJTR 귀 99 8504.50.8000 3,000 350 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 250 NH - 1ohm max 50 @ 250MHz 100MHz
WB0603TR39SG Cal-Chip Electronics, Inc. WB0603TR39SG 0.0950
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.071 "L x 0.044"W (1.80mm x 1.12mm) 0.040 "(1.02mm) 표면 표면 0603 (1608 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 900MHz 0603 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0603TR39SGTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 100 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 390 NH - 4.35ohm 25 @ 100MHz 100MHz
WB0603T7N5SG Cal-Chip Electronics, Inc. WB0603T7N5SG 0.0950
RFQ
 ECAD 80 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.071 "L x 0.044"W (1.80mm x 1.12mm) 0.040 "(1.02mm) 표면 표면 0603 (1608 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 4.8GHz 0603 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0603T7N5SGTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 700 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 7.5 NH - 106mohm max 28 @ 250MHz 250MHz
WB0805T10NSJ Cal-Chip Electronics, Inc. WB0805T10NSJ 0.0850
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.090 "L x 0.068"W (2.29mm x 1.73mm) 0.060 "(1.52mm) 표면 표면 0805 (2012 5) 드럼 드럼, 코어 - 4.2GHz 0805 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0805T10NSJTR 귀 99 8504.50.8000 3,000 600 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 10 NH - 100mohm max 60 @ 500MHz 250MHz
WB0402T2N4SB Cal-Chip Electronics, Inc. WB0402T2N4SB 0.0890
RFQ
 ECAD 6042 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 0.1NH -40 ° C ~ 125 ° C - 0.047 "L x 0.025"W (1.19mm x 0.64mm) 0.026 "(0.66mm) 표면 표면 0402 (1005 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 10.5GHz 0402 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0402T2N4SBTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 790 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 2.4 NH - 68mohm Max 15 @ 250MHz 250MHz
WB0805T1R0SJ Cal-Chip Electronics, Inc. WB0805T1R0SJ 0.0850
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.090 "L x 0.068"W (2.29mm x 1.73mm) 0.060 "(1.52mm) 표면 표면 0805 (2012 5) 드럼 드럼, 코어 - 100MHz 0805 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0805T1R0SJTR 귀 99 8504.50.8000 3,000 170 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 1 µh - 2.7ohm Max 23 @ 50MHz 25MHz
WB0402T72NSG Cal-Chip Electronics, Inc. WB0402T72NSG 0.0820
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.047 "L x 0.025"W (1.19mm x 0.64mm) 0.026 "(0.66mm) 표면 표면 0402 (1005 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 1.26GHz 0402 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0402T72NSGTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 30 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 72 NH - 2ohm max 20 @ 250MHz 250MHz
WB0603T43NSG Cal-Chip Electronics, Inc. WB0603T43NSG 0.0950
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.071 "L x 0.044"W (1.80mm x 1.12mm) 0.040 "(1.02mm) 표면 표면 0603 (1608 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 2GHz 0603 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0603T43NSGTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 600 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 43 NH - 280mohm Max 39 @ 250MHz 250MHz
WB0603TR10SJ Cal-Chip Electronics, Inc. WB0603TR10SJ 0.0890
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.071 "L x 0.044"W (1.80mm x 1.12mm) 0.040 "(1.02mm) 표면 표면 0603 (1608 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 1.4GHz 0603 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-wb0603tr10sjtr 귀 99 8504.50.8000 4,000 400 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 100 NH - 580mohm Max 34 @ 150MHz 150MHz
WB1008T3R3SG Cal-Chip Electronics, Inc. WB1008T3R3SG 0.1000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.110 "L x 0.079"W (2.79mm x 2.00mm) 0.083 "(2.10mm) 표면 표면 1008 (2520 20) 드럼 드럼, 코어 - 110MHz 1008 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB1008T3R3SGTR 귀 99 8504.50.8000 2,000 290 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 3.3 µh - 3.4ohm 22 @ 25MHz 7.9 MHz
WB1008T5N6SJ Cal-Chip Electronics, Inc. WB1008T5N6SJ 0.0950
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.110 "L x 0.079"W (2.79mm x 2.00mm) 0.083 "(2.10mm) 표면 표면 1008 (2520 20) 드럼 드럼, 코어 - 4GHz 1008 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB1008T5N6SJTR 귀 99 8504.50.8000 2,000 1 a 차폐되지 차폐되지 세라믹 5.6 NH - 150mohm Max 50 @ 1.5GHz 50MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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