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인덕터, 질식, 코일 (429)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 특징 주파수 - 공명 자기 공급 공급 장치 업체 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 현재 (amp) 차폐 재료 - 코어 인덕턴스 전류- is (ISAT) DC (DCR) Q @ freq 인덕턴스 인덕턴스 - 주파수
WB1008T2R7SG Cal-Chip Electronics, Inc. WB1008T2R7SG 0.1000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.110 "L x 0.079"W (2.79mm x 2.00mm) 0.083 "(2.10mm) 표면 표면 1008 (2520 20) 드럼 드럼, 코어 - 140MHz 1008 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB1008T2R7SGTR 귀 99 8504.50.8000 2,000 290 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 2.7 µh - 3.2ohm m 22 @ 25MHz 7.9 MHz
WB0805T24NSJ Cal-Chip Electronics, Inc. WB0805T24NSJ 0.0850
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.090 "L x 0.068"W (2.29mm x 1.73mm) 0.060 "(1.52mm) 표면 표면 0805 (2012 5) 드럼 드럼, 코어 - 2GHz 0805 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0805T24NSJTR 귀 99 8504.50.8000 3,000 500 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 24 NH - 220mohm Max 50 @ 500MHz 250MHz
WB0603TR15SG Cal-Chip Electronics, Inc. WB0603TR15SG 0.0950
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.071 "L x 0.044"W (1.80mm x 1.12mm) 0.040 "(1.02mm) 표면 표면 0603 (1608 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 990MHz 0603 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0603TR15SGTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 280 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 150 NH - 920mohm Max 28 @ 150MHz 150MHz
WB0402T3N3SC Cal-Chip Electronics, Inc. WB0402T3N3SC 0.0820
RFQ
 ECAD 1051 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 0.2NH -40 ° C ~ 125 ° C - 0.047 "L x 0.025"W (1.19mm x 0.64mm) 0.026 "(0.66mm) 표면 표면 0402 (1005 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 7GHz 0402 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0402T3N3SCTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 840 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 3.3 NH - 66mohm Max 19 @ 250MHz 250MHz
WB0402T22NSJ Cal-Chip Electronics, Inc. WB0402T22NSJ 0.0820
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.047 "L x 0.025"W (1.19mm x 0.64mm) 0.026 "(0.66mm) 표면 표면 0402 (1005 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 2.8GHz 0402 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0402T22NSJTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 400 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 22 NH - 300mohm Max 25 @ 250MHz 250MHz
WB1008T39NSJ Cal-Chip Electronics, Inc. WB1008T39NSJ 0.0950
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.110 "L x 0.079"W (2.79mm x 2.00mm) 0.080 "(2.03mm) 표면 표면 1008 (2520 20) 드럼 드럼, 코어 - 1.5GHz 1008 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB1008T39NSJTR 귀 99 8504.50.8000 2,000 1 a 차폐되지 차폐되지 세라믹 39 NH - 150mohm Max 60 @ 350MHz 50MHz
WB0402T2N0SJ Cal-Chip Electronics, Inc. WB0402T2N0SJ 0.0890
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.047 "L x 0.025"W (1.19mm x 0.64mm) 0.026 "(0.66mm) 표면 표면 0402 (1005 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 11.1GHz 0402 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0402T2N0SJTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 1.04 a 차폐되지 차폐되지 세라믹 2 NH - 70mohm Max 16 @ 250MHz 250MHz
WB1008T1R2SK Cal-Chip Electronics, Inc. WB1008T1R2SK 0.0950
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.110 "L x 0.079"W (2.79mm x 2.00mm) 0.083 "(2.10mm) 표면 표면 1008 (2520 20) 드럼 드럼, 코어 - 250MHz 1008 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB1008T1R2SKTR 귀 99 8504.50.8000 2,000 310 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 1.2 µh - 2ohm max 35 @ 50MHz 25MHz
WB0603TR11SG Cal-Chip Electronics, Inc. WB0603TR11SG 0.0950
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.071 "L x 0.044"W (1.80mm x 1.12mm) 0.040 "(1.02mm) 표면 표면 0603 (1608 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 1.35GHz 0603 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0603TR11SGTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 300 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 110 NH - 610mohm Max 32 @ 150MHz 150MHz
WB0402T8N2SJ Cal-Chip Electronics, Inc. WB0402T8N2SJ 0.0820
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.047 "L x 0.025"W (1.19mm x 0.64mm) 0.026 "(0.66mm) 표면 표면 0402 (1005 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 4.4GHz 0402 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0402T8N2SJTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 680 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 8.2 NH - 100mohm max 22 @ 250MHz 250MHz
WB1008T27NSJ Cal-Chip Electronics, Inc. WB1008T27NSJ 0.0950
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.110 "L x 0.079"W (2.79mm x 2.00mm) 0.083 "(2.10mm) 표면 표면 1008 (2520 20) 드럼 드럼, 코어 - 1.6GHz 1008 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB1008T27NSJTR 귀 99 8504.50.8000 2,000 1 a 차폐되지 차폐되지 세라믹 27 NH - 130mohm Max 55 @ 350MHz 50MHz
WB0603TR11SJ Cal-Chip Electronics, Inc. WB0603TR11SJ 0.0890
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.071 "L x 0.044"W (1.80mm x 1.12mm) 0.040 "(1.02mm) 표면 표면 0603 (1608 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 1.35GHz 0603 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-wb0603tr11sjtr 귀 99 8504.50.8000 4,000 300 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 110 NH - 610mohm Max 32 @ 150MHz 150MHz
WB0805TR39SG Cal-Chip Electronics, Inc. WB0805TR39SG 0.0900
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.090 "L x 0.068"W (2.29mm x 1.73mm) 0.060 "(1.52mm) 표면 표면 0805 (2012 5) 드럼 드럼, 코어 - 560MHz 0805 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0805TR39SGTR 귀 99 8504.50.8000 3,000 300 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 390 NH - 1.5ohm 48 @ 250MHz 100MHz
WB1008T56NSK Cal-Chip Electronics, Inc. WB1008T56NSK 0.0950
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.110 "L x 0.079"W (2.79mm x 2.00mm) 0.083 "(2.10mm) 표면 표면 1008 (2520 20) 드럼 드럼, 코어 - 1.3GHz 1008 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB1008T56NSKTR 귀 99 8504.50.8000 2,000 1 a 차폐되지 차폐되지 세라믹 56 NH - 180mohm Max 65 @ 350MHz 50MHz
WB1008TR82SJ Cal-Chip Electronics, Inc. WB1008tr82SJ 0.0950
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.110 "L x 0.079"W (2.79mm x 2.00mm) 0.080 "(2.03mm) 표면 표면 1008 (2520 20) 드럼 드럼, 코어 - 350MHz 1008 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB1008TR82SJTR 귀 99 8504.50.8000 2,000 400 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 820 NH - 1.61ohm max 45 @ 100MHz 25MHz
WB1008TR30SG Cal-Chip Electronics, Inc. WB1008TR30SG 0.1000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.110 "L x 0.079"W (2.79mm x 2.00mm) 0.080 "(2.03mm) 표면 표면 1008 (2520 20) 드럼 드럼, 코어 - 585MHz 1008 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB1008TR30SGTR 귀 99 8504.50.8000 2,000 660 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 300 NH - 1.05ohm Max 45 @ 100MHz 25MHz
WB1008T3R9SG Cal-Chip Electronics, Inc. WB1008T3R9SG 0.1000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.110 "L x 0.079"W (2.79mm x 2.00mm) 0.083 "(2.10mm) 표면 표면 1008 (2520 20) 드럼 드럼, 코어 - 100MHz 1008 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB1008T3R9SGTR 귀 99 8504.50.8000 2,000 260 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 3.9 µh - 3.6ohm 20 @ 25MHz 7.9 MHz
WB0402T30NSG Cal-Chip Electronics, Inc. WB0402T30NSG 0.0820
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.047 "L x 0.025"W (1.19mm x 0.64mm) 0.026 "(0.66mm) 표면 표면 0402 (1005 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 2.35GHz 0402 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0402T30NSGTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 400 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 30 NH - 300mohm Max 25 @ 250MHz 250MHz
WB0603T11NSG Cal-Chip Electronics, Inc. WB0603T11NSG 0.0950
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.071 "L x 0.044"W (1.80mm x 1.12mm) 0.040 "(1.02mm) 표면 표면 0603 (1608 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 4GHz 0603 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0603T11NSGTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 700 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 11 NH - 86mohm Max 33 @ 250MHz 250MHz
WB0402T24NSJ Cal-Chip Electronics, Inc. WB0402T24NSJ 0.0820
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.047 "L x 0.025"W (1.19mm x 0.64mm) 0.026 "(0.66mm) 표면 표면 0402 (1005 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 2.7GHz 0402 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0402T24NSJTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 400 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 24 NH - 300mohm Max 25 @ 250MHz 250MHz
WB1008TR12SG Cal-Chip Electronics, Inc. WB1008TR12SG 0.1000
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.110 "L x 0.079"W (2.79mm x 2.00mm) 0.080 "(2.03mm) 표면 표면 1008 (2520 20) 드럼 드럼, 코어 - 950MHz 1008 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB1008TR12SGTR 귀 99 8504.50.8000 2,000 650 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 120 NH - 630mohm Max 60 @ 350MHz 25MHz
WB0402T36NSJ Cal-Chip Electronics, Inc. WB0402T36NSJ 0.0820
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.047 "L x 0.025"W (1.19mm x 0.64mm) 0.026 "(0.66mm) 표면 표면 0402 (1005 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 2.32GHz 0402 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0402T36NSJTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 320 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 36 NH - 440mohm Max 24 @ 250MHz 250MHz
WB0402T18NSG Cal-Chip Electronics, Inc. WB0402T18NSG 0.0820
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.047 "L x 0.025"W (1.19mm x 0.64mm) 0.026 "(0.66mm) 표면 표면 0402 (1005 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 3.1GHz 0402 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0402T18NSGTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 420 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 18 NH - 230mohm Max 25 @ 250MHz 250MHz
WB0402T56NSJ Cal-Chip Electronics, Inc. WB0402T56NSJ 0.0820
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.047 "L x 0.025"W (1.19mm x 0.64mm) 0.026 "(0.66mm) 표면 표면 0402 (1005 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 1.76GHz 0402 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0402T56NSJTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 100 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 56 NH - 970mohm Max 25 @ 250MHz 250MHz
WB0603T3N3SJ Cal-Chip Electronics, Inc. WB0603T3N3SJ 0.0890
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.071 "L x 0.044"W (1.80mm x 1.12mm) 0.040 "(1.02mm) 표면 표면 0603 (1608 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 5.5GHz 0603 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0603T3N3SJTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 700 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 3.3 NH - 70mohm Max 20 @ 250MHz 250MHz
WB0603T22NSG Cal-Chip Electronics, Inc. WB0603T22NSG 0.0950
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.071 "L x 0.044"W (1.80mm x 1.12mm) 0.040 "(1.02mm) 표면 표면 0603 (1608 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 3GHz 0603 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0603T22NSGTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 700 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 22 NH - 190mohm Max 38 @ 250MHz 250MHz
WB0805TR30SJ Cal-Chip Electronics, Inc. WB0805TR30SJ 0.0850
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.090 "L x 0.068"W (2.29mm x 1.73mm) 0.060 "(1.52mm) 표면 표면 0805 (2012 5) 드럼 드럼, 코어 - 620MHz 0805 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0805TR30SJTR 귀 99 8504.50.8000 3,000 300 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 300 NH - 1.2ohm 48 @ 250MHz 100MHz
WB0402T2N7SC Cal-Chip Electronics, Inc. WB0402T2N7SC 0.0890
RFQ
 ECAD 7076 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 0.2NH -40 ° C ~ 125 ° C - 0.047 "L x 0.025"W (1.19mm x 0.64mm) 0.026 "(0.66mm) 표면 표면 0402 (1005 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 10.4GHz 0402 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0402T2N7SCTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 640 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 2.7 NH - 120mohm Max 16 @ 250MHz 250MHz
WB0402T2N2SB Cal-Chip Electronics, Inc. WB0402T2N2SB 0.0890
RFQ
 ECAD 7884 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 0.1NH -40 ° C ~ 125 ° C - 0.047 "L x 0.025"W (1.19mm x 0.64mm) 0.026 "(0.66mm) 표면 표면 0402 (1005 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 10.8GHz 0402 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0402T2N2SBTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 960 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 2.2 NH - 70mohm Max 19 @ 250MHz 250MHz
WB0603TR18SG Cal-Chip Electronics, Inc. WB0603TR18SG 0.0950
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.071 "L x 0.044"W (1.80mm x 1.12mm) 0.040 "(1.02mm) 표면 표면 0603 (1608 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 990MHz 0603 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0603TR18SGTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 240 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 180 NH - 1.25ohm 25 @ 100MHz 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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