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인덕터, 질식, 코일 (429)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 특징 주파수 - 공명 자기 공급 공급 장치 업체 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 현재 (amp) 차폐 재료 - 코어 인덕턴스 전류- is (ISAT) DC (DCR) Q @ freq 인덕턴스 인덕턴스 - 주파수
WB0402T2N0SB Cal-Chip Electronics, Inc. WB0402T2N0SB 0.3000
RFQ
 ECAD 8544 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 0.1NH -40 ° C ~ 125 ° C - 0.047 "L x 0.025"W (1.19mm x 0.64mm) 0.026 "(0.66mm) 표면 표면 0402 (1005 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 11.1GHz 0402 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0402T2N0SBTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 1.04 a 차폐되지 차폐되지 세라믹 2 NH - 70mohm Max 16 @ 250MHz 250MHz
WB0603TR12SG Cal-Chip Electronics, Inc. WB0603TR12SG 0.0950
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.071 "L x 0.044"W (1.80mm x 1.12mm) 0.040 "(1.02mm) 표면 표면 0603 (1608 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 1.3GHz 0603 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0603TR12SGTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 300 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 120 NH - 650mohm Max 32 @ 150MHz 150MHz
WB0402T1N8SB Cal-Chip Electronics, Inc. WB0402T1N8SB 0.0890
RFQ
 ECAD 2620 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 0.1NH -40 ° C ~ 125 ° C - 0.047 "L x 0.025"W (1.19mm x 0.64mm) 0.026 "(0.66mm) 표면 표면 0402 (1005 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 12GHz 0402 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0402T1N8SBTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 1.04 a 차폐되지 차폐되지 세라믹 1.8 NH - 70mohm Max 16 @ 250MHz 250MHz
WB1008T15NSK Cal-Chip Electronics, Inc. WB1008T15NSK 0.0950
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.110 "L x 0.079"W (2.79mm x 2.00mm) 0.083 "(2.10mm) 표면 표면 1008 (2520 20) 드럼 드럼, 코어 - 2.5GHz 1008 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB1008T15NSKTR 귀 99 8504.50.8000 2,000 1 a 차폐되지 차폐되지 세라믹 15 NH - 100mohm max 50 @ 500MHz 50MHz
WB1008T2R7SJ Cal-Chip Electronics, Inc. WB1008T2R7SJ 0.0950
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.110 "L x 0.079"W (2.79mm x 2.00mm) 0.083 "(2.10mm) 표면 표면 1008 (2520 20) 드럼 드럼, 코어 - 140MHz 1008 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB1008T2R7SJTR 귀 99 8504.50.8000 2,000 290 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 2.7 µh - 3.2ohm m 22 @ 25MHz 7.9 MHz
WB1008TR56SG Cal-Chip Electronics, Inc. WB1008TR56SG 0.1000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.110 "L x 0.079"W (2.79mm x 2.00mm) 0.080 "(2.03mm) 표면 표면 1008 (2520 20) 드럼 드럼, 코어 - 415MHz 1008 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB1008TR56SGTR 귀 99 8504.50.8000 2,000 400 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 560 NH - 1.33ohm Max 45 @ 100MHz 25MHz
WB0805T8N2SG Cal-Chip Electronics, Inc. WB0805T8N2SG 0.0900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.090 "L x 0.068"W (2.29mm x 1.73mm) 0.060 "(1.52mm) 표면 표면 0805 (2012 5) 드럼 드럼, 코어 - 4.7GHz 0805 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0805T8N2SGTR 귀 99 8504.50.8000 3,000 600 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 8.2 NH - 120mohm Max 50 @ 1GHz 250MHz
WB0402T1N0SJ Cal-Chip Electronics, Inc. WB0402T1N0SJ 0.0890
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.047 "L x 0.025"W (1.19mm x 0.64mm) 0.026 "(0.66mm) 표면 표면 0402 (1005 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 12.7GHz 0402 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0402T1N0SJTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 1.36 a 차폐되지 차폐되지 세라믹 1 NH - 45mohm Max 16 @ 250MHz 250MHz
WB0402T6N8SC Cal-Chip Electronics, Inc. WB0402T6N8SC 0.0820
RFQ
 ECAD 1574 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 0.2NH -40 ° C ~ 125 ° C - 0.047 "L x 0.025"W (1.19mm x 0.64mm) 0.026 "(0.66mm) 표면 표면 0402 (1005 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 4.8GHz 0402 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0402T6N8SCTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 680 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 6.8 NH - 83mohm Max 20 @ 250MHz 250MHz
WB0603TR16SJ Cal-Chip Electronics, Inc. WB0603TR16SJ 0.0890
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.071 "L x 0.044"W (1.80mm x 1.12mm) 0.040 "(1.02mm) 표면 표면 0603 (1608 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 1.3GHz 0603 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0603TR16SJTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 280 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 160 NH - 1.4ohm 25 @ 100MHz 100MHz
WB0805TR11SG Cal-Chip Electronics, Inc. WB0805TR11SG 0.0900
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.090 "L x 0.068"W (2.29mm x 1.73mm) 0.060 "(1.52mm) 표면 표면 0805 (2012 5) 드럼 드럼, 코어 - 1GHz 0805 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0805TR11SGTR 귀 99 8504.50.8000 3,000 400 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 110 NH - 480mohm Max 50 @ 500MHz 150MHz
WB0402T43NSG Cal-Chip Electronics, Inc. WB0402T43NSG 0.0820
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.047 "L x 0.025"W (1.19mm x 0.64mm) 0.026 "(0.66mm) 표면 표면 0402 (1005 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 2.03GHz 0402 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0402T43NSGTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 100 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 43 NH - 810mohm Max 25 @ 250MHz 250MHz
WB0603T24NSG Cal-Chip Electronics, Inc. WB0603T24NSG 0.0950
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.071 "L x 0.044"W (1.80mm x 1.12mm) 0.040 "(1.02mm) 표면 표면 0603 (1608 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 2.65GHz 0603 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0603T24NSGTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 700 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 24 NH - 135mohm Max 37 @ 250MHz 250MHz
WB0402T8N2SC Cal-Chip Electronics, Inc. WB0402T8N2SC 0.0820
RFQ
 ECAD 7613 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 0.2NH -40 ° C ~ 125 ° C - 0.047 "L x 0.025"W (1.19mm x 0.64mm) 0.026 "(0.66mm) 표면 표면 0402 (1005 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 4.4GHz 0402 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0402T8N2SCTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 680 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 8.2 NH - 100mohm max 22 @ 250MHz 250MHz
WB0603T9N5SJ Cal-Chip Electronics, Inc. WB0603T9N5SJ 0.0890
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.071 "L x 0.044"W (1.80mm x 1.12mm) 0.040 "(1.02mm) 표면 표면 0603 (1608 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 5.4GHz 0603 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0603T9N5SJTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 700 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 9.5 NH - 135mohm Max 28 @ 250MHz 250MHz
WB0402T27NSJ Cal-Chip Electronics, Inc. WB0402T27NSJ 0.0820
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.047 "L x 0.025"W (1.19mm x 0.64mm) 0.026 "(0.66mm) 표면 표면 0402 (1005 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 2.48GHz 0402 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0402T27NSJTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 400 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 27 NH - 300mohm Max 24 @ 250MHz 250MHz
WB1008TR12SJ Cal-Chip Electronics, Inc. WB1008TR12SJ 0.0950
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.110 "L x 0.079"W (2.79mm x 2.00mm) 0.080 "(2.03mm) 표면 표면 1008 (2520 20) 드럼 드럼, 코어 - 950MHz 1008 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB1008TR12SJTR 귀 99 8504.50.8000 2,000 650 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 120 NH - 630mohm Max 60 @ 350MHz 25MHz
WB0805TR10SG Cal-Chip Electronics, Inc. WB0805TR10SG 0.0900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.090 "L x 0.068"W (2.29mm x 1.73mm) 0.060 "(1.52mm) 표면 표면 0805 (2012 5) 드럼 드럼, 코어 - 1.2GHz 0805 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0805TR10SGTR 귀 99 8504.50.8000 3,000 400 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 100 NH - 460mohm Max 65 @ 500MHz 150MHz
WB1008T15NSJ Cal-Chip Electronics, Inc. WB1008T15NSJ 0.0950
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.110 "L x 0.079"W (2.79mm x 2.00mm) 0.083 "(2.10mm) 표면 표면 1008 (2520 20) 드럼 드럼, 코어 - 2.5GHz 1008 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB1008T15NSJTR 귀 99 8504.50.8000 2,000 1 a 차폐되지 차폐되지 세라믹 15 NH - 100mohm max 50 @ 500MHz 50MHz
WB0402T5N1SJ Cal-Chip Electronics, Inc. WB0402T5N1SJ 0.0820
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.047 "L x 0.025"W (1.19mm x 0.64mm) 0.026 "(0.66mm) 표면 표면 0402 (1005 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 4.8GHz 0402 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0402T5N1SJTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 800 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 5.1 NH - 83mohm Max 20 @ 250MHz 250MHz
WB0402T24NSG Cal-Chip Electronics, Inc. WB0402T24NSG 0.0820
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.047 "L x 0.025"W (1.19mm x 0.64mm) 0.026 "(0.66mm) 표면 표면 0402 (1005 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 2.7GHz 0402 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0402T24NSGTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 400 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 24 NH - 300mohm Max 25 @ 250MHz 250MHz
WB1008TR56SJ Cal-Chip Electronics, Inc. WB1008tr56SJ 0.0950
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.110 "L x 0.079"W (2.79mm x 2.00mm) 0.080 "(2.03mm) 표면 표면 1008 (2520 20) 드럼 드럼, 코어 - 415MHz 1008 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB1008TR56SJTR 귀 99 8504.50.8000 2,000 400 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 560 NH - 1.33ohm Max 45 @ 100MHz 25MHz
WB0805TR68SJ Cal-Chip Electronics, Inc. WB0805TR68SJ 0.0850
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.090 "L x 0.068"W (2.29mm x 1.73mm) 0.060 "(1.52mm) 표면 표면 0805 (2012 5) 드럼 드럼, 코어 - 188MHz 0805 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0805TR68SJTR 귀 99 8504.50.8000 3,000 190 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 680 NH - 2.2ohm 23 @ 50MHz 25MHz
WB0805T43NSJ Cal-Chip Electronics, Inc. WB0805T43NSJ 0.0850
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.090 "L x 0.068"W (2.29mm x 1.73mm) 0.060 "(1.52mm) 표면 표면 0805 (2012 5) 드럼 드럼, 코어 - 1.65GHz 0805 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0805T43NSJTR 귀 99 8504.50.8000 3,000 500 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 43 NH - 340mohm Max 60 @ 500MHz 200MHz
WB0603T3N9SJ Cal-Chip Electronics, Inc. WB0603T3N9SJ 0.0890
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.071 "L x 0.044"W (1.80mm x 1.12mm) 0.040 "(1.02mm) 표면 표면 0603 (1608 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 6.9GHz 0603 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0603T3N9SJTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 700 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 3.9 NH - 80mohm Max 22 @ 250MHz 250MHz
WB0402T3N6SJ Cal-Chip Electronics, Inc. WB0402T3N6SJ 0.0890
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.047 "L x 0.025"W (1.19mm x 0.64mm) 0.026 "(0.66mm) 표면 표면 0402 (1005 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 6.8GHz 0402 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0402T3N6SJTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 840 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 3.6 NH - 66mohm Max 19 @ 250MHz 250MHz
WB1008T1R8SG Cal-Chip Electronics, Inc. WB1008T1R8SG 0.1000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.110 "L x 0.079"W (2.79mm x 2.00mm) 0.083 "(2.10mm) 표면 표면 1008 (2520 20) 드럼 드럼, 코어 - 160MHz 1008 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB1008T1R8SGTR 귀 99 8504.50.8000 2,000 300 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 1.8 µh - 2.6ohm 28 @ 50MHz 7.9 MHz
WB0402T6N2SJ Cal-Chip Electronics, Inc. WB0402T6N2SJ 0.0820
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.047 "L x 0.025"W (1.19mm x 0.64mm) 0.026 "(0.66mm) 표면 표면 0402 (1005 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 4.8GHz 0402 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0402T6N2SJTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 760 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 6.2 NH - 83mohm Max 20 @ 250MHz 250MHz
WB0402T7N5SJ Cal-Chip Electronics, Inc. WB0402T7N5SJ 0.0820
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.047 "L x 0.025"W (1.19mm x 0.64mm) 0.026 "(0.66mm) 표면 표면 0402 (1005 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 4.8GHz 0402 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0402T7N5SJTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 680 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 7.5 NH - 100mohm max 22 @ 250MHz 250MHz
WB0402T9N5SG Cal-Chip Electronics, Inc. WB0402T9N5SG 0.0820
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.047 "L x 0.025"W (1.19mm x 0.64mm) 0.026 "(0.66mm) 표면 표면 0402 (1005 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 4GHz 0402 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0402T9N5SGTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 480 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 9.5 NH - 200mohm max 18 @ 250MHz 250MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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