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인덕터, 질식, 코일 (429)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 특징 주파수 - 공명 자기 공급 공급 장치 업체 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 현재 (amp) 차폐 재료 - 코어 인덕턴스 전류- is (ISAT) DC (DCR) Q @ freq 인덕턴스 인덕턴스 - 주파수
WB0603T3N3SK Cal-Chip Electronics, Inc. WB0603T3N3SK 0.0890
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.071 "L x 0.044"W (1.80mm x 1.12mm) 0.040 "(1.02mm) 표면 표면 0603 (1608 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 5.5GHz 0603 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0603T3N3SKTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 700 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 3.3 NH - 70mohm Max 20 @ 250MHz 250MHz
WB1008T47NSJ Cal-Chip Electronics, Inc. WB1008T47NSJ 0.0950
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.110 "L x 0.079"W (2.79mm x 2.00mm) 0.080 "(2.03mm) 표면 표면 1008 (2520 20) 드럼 드럼, 코어 - 1.5GHz 1008 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB1008T47NSJTR 귀 99 8504.50.8000 2,000 1 a 차폐되지 차폐되지 세라믹 47 NH - 160mohm Max 65 @ 350MHz 50MHz
WB0805T6N8SG Cal-Chip Electronics, Inc. WB0805T6N8SG 0.0900
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.090 "L x 0.068"W (2.29mm x 1.73mm) 0.060 "(1.52mm) 표면 표면 0805 (2012 5) 드럼 드럼, 코어 - 5.5GHz 0805 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0805T6N8SGTR 귀 99 8504.50.8000 3,000 600 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 6.8 NH - 110mohm Max 50 @ 1GHz 250MHz
WB0603T8N4SG Cal-Chip Electronics, Inc. WB0603T8N4SG 0.0950
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.071 "L x 0.044"W (1.80mm x 1.12mm) 0.040 "(1.02mm) 표면 표면 0603 (1608 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 4.6GHz 0603 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0603T8N4SGTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 700 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 8.4 NH - 109mohm Max 28 @ 250MHz 250MHz
WB0805T36NSG Cal-Chip Electronics, Inc. WB0805T36NSG 0.0900
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.090 "L x 0.068"W (2.29mm x 1.73mm) 0.060 "(1.52mm) 표면 표면 0805 (2012 5) 드럼 드럼, 코어 - 1.7GHz 0805 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0805T36NSGTR 귀 99 8504.50.8000 3,000 500 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 36 NH - 270mohm Max 55 @ 500MHz 250MHz
WB1008T22NSG Cal-Chip Electronics, Inc. WB1008T22NSG 0.1000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.110 "L x 0.079"W (2.79mm x 2.00mm) 0.083 "(2.10mm) 표면 표면 1008 (2520 20) 드럼 드럼, 코어 - 2.4GHz 1008 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB1008T22NSGTR 귀 99 8504.50.8000 2,000 1 a 차폐되지 차폐되지 세라믹 22 NH - 120mohm Max 55 @ 350MHz 50MHz
WB0805T33NSJ Cal-Chip Electronics, Inc. WB0805T33NSJ 0.0850
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.090 "L x 0.068"W (2.29mm x 1.73mm) 0.060 "(1.52mm) 표면 표면 0805 (2012 5) 드럼 드럼, 코어 - 2.05GHz 0805 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0805T33NSJTR 귀 99 8504.50.8000 3,000 500 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 33 NH - 270mohm Max 60 @ 500MHz 250MHz
WB1008T24NSG Cal-Chip Electronics, Inc. WB1008T24NSG 0.1000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.110 "L x 0.079"W (2.79mm x 2.00mm) 0.083 "(2.10mm) 표면 표면 1008 (2520 20) 드럼 드럼, 코어 - 1.9GHz 1008 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB1008T24NSGTR 귀 99 8504.50.8000 2,000 1 a 차폐되지 차폐되지 세라믹 24 NH - 130mohm Max 50 @ 350MHz 50MHz
WB0402T1N8SC Cal-Chip Electronics, Inc. WB0402T1N8SC 0.1300
RFQ
 ECAD 9373 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 0.2NH -40 ° C ~ 125 ° C - 0.047 "L x 0.025"W (1.19mm x 0.64mm) 0.026 "(0.66mm) 표면 표면 0402 (1005 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 12GHz 0402 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0402T1N8SCTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 1.04 a 차폐되지 차폐되지 세라믹 1.8 NH - 70mohm Max 16 @ 250MHz 250MHz
WB0402T9N0SJ Cal-Chip Electronics, Inc. WB0402T9N0SJ 0.0820
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.047 "L x 0.025"W (1.19mm x 0.64mm) 0.026 "(0.66mm) 표면 표면 0402 (1005 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 4.16GHz 0402 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0402T9N0SJTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 680 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 9 NH - 100mohm max 22 @ 250MHz 250MHz
WB0402T82NSG Cal-Chip Electronics, Inc. WB0402T82NSG 0.0820
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.047 "L x 0.025"W (1.19mm x 0.64mm) 0.026 "(0.66mm) 표면 표면 0402 (1005 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 1.26GHz 0402 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0402T82NSGTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 50 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 82 NH - 1.55ohm 20 @ 250MHz 250MHz
WB0805T10NSG Cal-Chip Electronics, Inc. WB0805T10NSG 0.0900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.090 "L x 0.068"W (2.29mm x 1.73mm) 0.060 "(1.52mm) 표면 표면 0805 (2012 5) 드럼 드럼, 코어 - 4.2GHz 0805 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0805T10NSGTR 귀 99 8504.50.8000 3,000 600 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 10 NH - 100mohm max 60 @ 500MHz 250MHz
WB1008T1R0SJ Cal-Chip Electronics, Inc. WB1008T1R0SJ 0.0950
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.110 "L x 0.079"W (2.79mm x 2.00mm) 0.083 "(2.10mm) 표면 표면 1008 (2520 20) 드럼 드럼, 코어 - 290MHz 1008 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB1008T1R0SJTR 귀 99 8504.50.8000 2,000 370 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 1 µh - 1.75ohm 35 @ 50MHz 25MHz
WB1008T68NSG Cal-Chip Electronics, Inc. WB1008T68NSG 0.1000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.110 "L x 0.079"W (2.79mm x 2.00mm) 0.083 "(2.10mm) 표면 표면 1008 (2520 20) 드럼 드럼, 코어 - 1.3GHz 1008 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB1008T68NSGTR 귀 99 8504.50.8000 2,000 1 a 차폐되지 차폐되지 세라믹 68 NH - 200mohm max 65 @ 350MHz 50MHz
WB0402T72NSJ Cal-Chip Electronics, Inc. WB0402T72NSJ 0.0820
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.047 "L x 0.025"W (1.19mm x 0.64mm) 0.026 "(0.66mm) 표면 표면 0402 (1005 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 1.26GHz 0402 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0402T72NSJTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 30 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 72 NH - 2ohm max 20 @ 250MHz 250MHz
WB0402T2N2SJ Cal-Chip Electronics, Inc. WB0402T2N2SJ 0.0890
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.047 "L x 0.025"W (1.19mm x 0.64mm) 0.026 "(0.66mm) 표면 표면 0402 (1005 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 10.8GHz 0402 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0402T2N2SJTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 960 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 2.2 NH - 70mohm Max 19 @ 250MHz 250MHz
WB0603T30NSG Cal-Chip Electronics, Inc. WB0603T30NSG 0.0950
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.071 "L x 0.044"W (1.80mm x 1.12mm) 0.040 "(1.02mm) 표면 표면 0603 (1608 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 2.25GHz 0603 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0603T30NSGTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 600 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 30 NH - 220mohm Max 37 @ 250MHz 250MHz
WB0402T2N0SC Cal-Chip Electronics, Inc. WB0402T2N0SC 0.1300
RFQ
 ECAD 1638 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 0.2NH -40 ° C ~ 125 ° C - 0.047 "L x 0.025"W (1.19mm x 0.64mm) 0.026 "(0.66mm) 표면 표면 0402 (1005 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 11.1GHz 0402 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0402T2N0SCTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 1.04 a 차폐되지 차폐되지 세라믹 2 NH - 70mohm Max 16 @ 250MHz 250MHz
WB0603T6N8SG Cal-Chip Electronics, Inc. WB0603T6N8SG 0.0750
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.071 "L x 0.044"W (1.80mm x 1.12mm) 0.040 "(1.02mm) 표면 표면 0603 (1608 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 5.8GHz 0603 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0603T6N8SGTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 700 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 6.8 NH - 110mohm Max 27 @ 250MHz 250MHz
WB0603T5N6SJ Cal-Chip Electronics, Inc. WB0603T5N6SJ 0.0890
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.071 "L x 0.044"W (1.80mm x 1.12mm) 0.040 "(1.02mm) 표면 표면 0603 (1608 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 5.8GHz 0603 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0603T5N6SJTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 700 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 5.6 NH - 150mohm Max 15 @ 250MHz 250MHz
WB1008TR10SG Cal-Chip Electronics, Inc. WB1008TR10SG 0.1000
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.110 "L x 0.079"W (2.79mm x 2.00mm) 0.080 "(2.03mm) 표면 표면 1008 (2520 20) 드럼 드럼, 코어 - 1GHz 1008 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB1008TR10SGTR 귀 99 8504.50.8000 2,000 650 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 100 NH - 560mohm Max 60 @ 350MHz 25MHz
WB0603T4N3SG Cal-Chip Electronics, Inc. WB0603T4N3SG 0.0950
RFQ
 ECAD 5325 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.071 "L x 0.044"W (1.80mm x 1.12mm) 0.040 "(1.02mm) 표면 표면 0603 (1608 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 5.9GHz 0603 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0603T4N3SGTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 700 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 4.3 NH - 63mohm Max 22 @ 250MHz 250MHz
WB1008TR75SG Cal-Chip Electronics, Inc. WB1008TR75SG 0.1000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.110 "L x 0.079"W (2.79mm x 2.00mm) 0.080 "(2.03mm) 표면 표면 1008 (2520 20) 드럼 드럼, 코어 - 360MHz 1008 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB1008TR75SGTR 귀 99 8504.50.8000 2,000 360 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 750 NH - 1.54ohm Max 45 @ 100MHz 25MHz
WB0805T22NSJ Cal-Chip Electronics, Inc. WB0805T22NSJ 0.0850
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.090 "L x 0.068"W (2.29mm x 1.73mm) 0.060 "(1.52mm) 표면 표면 0805 (2012 5) 드럼 드럼, 코어 - 2.6GHz 0805 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0805T22NSJTR 귀 99 8504.50.8000 3,000 500 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 22 NH - 220mohm Max 55 @ 500MHz 250MHz
WB1008T12NSJ Cal-Chip Electronics, Inc. WB1008T12NSJ 0.0950
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.110 "L x 0.079"W (2.79mm x 2.00mm) 0.083 "(2.10mm) 표면 표면 1008 (2520 20) 드럼 드럼, 코어 - 3.3GHz 1008 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB1008T12NSJTR 귀 99 8504.50.8000 2,000 1 a 차폐되지 차폐되지 세라믹 12 NH - 90mohm Max 50 @ 500MHz 50MHz
WB0805TR12SG Cal-Chip Electronics, Inc. WB0805TR12SG 0.0900
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.090 "L x 0.068"W (2.29mm x 1.73mm) 0.060 "(1.52mm) 표면 표면 0805 (2012 5) 드럼 드럼, 코어 - 1.1GHz 0805 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0805TR12SGTR 귀 99 8504.50.8000 3,000 400 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 120 NH - 510mohm Max 50 @ 500MHz 150MHz
WB1008T4R7SJ Cal-Chip Electronics, Inc. WB1008T4R7SJ 0.0950
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.110 "L x 0.079"W (2.79mm x 2.00mm) 0.083 "(2.10mm) 표면 표면 1008 (2520 20) 드럼 드럼, 코어 - 90MHz 1008 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB1008T4R7SJTR 귀 99 8504.50.8000 2,000 260 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 4.7 µh - 4ohm Max 20 @ 25MHz 7.9 MHz
WB0805TR27SG Cal-Chip Electronics, Inc. WB0805TR27SG 0.0900
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.090 "L x 0.068"W (2.29mm x 1.73mm) 0.060 "(1.52mm) 표면 표면 0805 (2012 5) 드럼 드럼, 코어 - 650MHz 0805 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0805TR27SGTR 귀 99 8504.50.8000 3,000 350 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 270 NH - 1.15ohm max 48 @ 250MHz 100MHz
WB0603T9N5SG Cal-Chip Electronics, Inc. WB0603T9N5SG 0.0950
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.071 "L x 0.044"W (1.80mm x 1.12mm) 0.040 "(1.02mm) 표면 표면 0603 (1608 메트릭) 드럼 드럼, 코어 - 5.4GHz 0603 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0603T9N5SGTR 귀 99 8504.50.8000 4,000 700 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 9.5 NH - 135mohm Max 28 @ 250MHz 250MHz
WB0805T5N6SJ Cal-Chip Electronics, Inc. WB0805T5N6SJ 0.0850
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. WB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.090 "L x 0.068"W (2.29mm x 1.73mm) 0.060 "(1.52mm) 표면 표면 0805 (2012 5) 드럼 드럼, 코어 - 5.5GHz 0805 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2571-WB0805T5N6SJTR 귀 99 8504.50.8000 3,000 600 MA 차폐되지 차폐되지 세라믹 5.6 NH - 80mohm Max 65 @ 1GHz 250MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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