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![]() | APSR00080740680M00 | 0.4927 | ![]() | 1583 | 0.00000000 | 칠리신 칠리신 장치 | APSR | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.362 "L x 0.291"W (9.20mm x 7.40mm) | 0.157 "(4.00mm) | 표면 표면 | 비표준 | 드럼 드럼, 코어 | - | - | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 553-APSR00080740680M00TR | 귀 99 | 8504.50.8000 | 1,000 | 1.2 a | 차폐 | 페라이트 | 68 µh | 950ma | 310mohm Max | - | 100 kHz | |
![]() | AWVS006060452R2T00 | 0.2020 | ![]() | 4634 | 0.00000000 | 칠리신 칠리신 장치 | awv | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 30% | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.236 "L x 0.236"W (6.00mm x 6.00mm) | 0.185 "(4.70mm) | 표면 표면 | 2424 (6060 메트릭) | - | - | - | 2424 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 553-AWVS006060452R2T00tr | 귀 99 | 8504.50.8000 | 1,000 | 4.5 a | 차폐 | 페라이트 | 2.2 µh | 7.9A | 18mohm | - | 100 kHz | |
![]() | BSCL002012123R3L00 | - | ![]() | 8672 | 0.00000000 | 칠리신 칠리신 장치 | BSCL | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 15% | -40 ° C ~ 125 ° C | - | 0.079 "L x 0.049"W (2.00mm x 1.25mm) | 0.057 "(1.45mm) | 표면 표면 | 0805 (2012 5) | 다층 | - | 41MHz | 0805 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 553-BSCL002012123R3L00tr | 귀 99 | 8504.50.8000 | 3,000 | 30 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 3.3 µh | - | 800mohm Max | 45 @ 10MHz | 10MHz | |
![]() | BPXX00030308330M00 | 0.4271 | ![]() | 3492 | 0.00000000 | 칠리신 칠리신 장치 | BPXX | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -40 ° C ~ 125 ° C | - | 0.118 "L x 0.118"W (3.00mm x 3.00mm) | 0.031 "(0.80mm) | 표면 표면 | 1212 (3030 () | - | - | - | 1212 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 553-BPXX00030308330M00TR | 귀 99 | 8504.50.8000 | 1,500 | 320 MA | 차폐 | - | 33 µh | 260ma | 2.3ohm | - | 100 kHz |
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