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| B82498F3180J001 | 0.6400 | | 3502 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.091 "L x 0.067"W (2.30mm x 1.70mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 비표준 | 드럼 드럼, 코어 | 3.3GHz | 0805 (2012 5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.4000 | 6,000 | 700 MA | 차폐되지 차폐되지 | 세라믹 | 18 NH | - | 80mohm Max | 60 @ 500MHz | 250MHz | |||
 | B82559A0242A013 | 3.5700 | | 818 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | eru13--와이어 인덕터 인덕터 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -40 ° C ~ 130 ° C | - | 0.512 "L x 0.421"W (13.00mm x 10.70mm) | 0.234 "(5.95mm) | 표면 표면 | 비표준 | 드럼 드럼, 코어 | - | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.4000 | 500 | 16.5 a | 차폐 | 페라이트 | 2.4 µh | 16.5A | 2.76mohm | - | 10 kHz | |||
| B82479A1474M000 | 1.6500 | | 8645 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B82479A1 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -55 ° C ~ 150 ° C | - | 0.730 "L x 0.600"W (18.54mm x 15.24mm) | 0.280 "(7.11mm) | 표면 표면 | 비표준 | 드럼 드럼, 코어 | - | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.4000 | 250 | 820 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 470 µh | 1.4a | 850mohm Max | - | 100 kHz | |||
| B78148S1103J000 | 0.1458 | | 8070 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | 기원전 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.157 "dia x 0.362"L (4.00mm x 9.20mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형 | 드럼 드럼, 코어 | 35MHz | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 6,000 | 680 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 10 µh | - | 490mohm Max | 70 @ 2.52MHz | 2.52 MHz |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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