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![]() | B82422T1153K008 | 0.1800 | ![]() | 3474 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.083 "(2.10mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | 20MHz | 1210 (3225 메트릭) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 8,000 | 130 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 15 µh | - | 2.8ohm Max | 27 @ 2.52MHz | 2.52 MHz | |||
![]() | B78148T1682J | - | ![]() | 1786 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | MCC | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.130 "dia (3.30mm) | 0.386 "(9.80mm) | 구멍을 구멍을 | 방사형, 실린더 수직 | 드럼 드럼, 코어 | 70MHz | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | B78148T1682J000 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 6,000 | 250 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 6.8 µh | - | 1.45ohm | 45 @ 7.96MHz | 7.96 MHz | ||
![]() | B82475M1334K000 | 1.5500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B82475M1 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | AEC-Q200 | 0.409 "L x 0.370"W (10.40mm x 9.40mm) | 0.228 "(5.80mm) | 표면 표면 | 비표준 | 드럼 드럼, 코어 | - | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.4000 | 500 | 520 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 330 µh | 550ma | 1.15ohm max | - | 100 kHz |
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