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![]() | B82422H1333K000 | 0.6200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | AEC-Q200 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.094 "(2.40mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | 15MHz | 1210 (3225 메트릭) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 2,000 | 280 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 33 µh | - | 1.4ohm | 15 @ 2.52MHz | 2.52 MHz | |||
![]() | B82432T1102K000 | 0.9600 | ![]() | 73 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | AEC-Q200 | 0.177 "L x 0.126"W (4.50mm x 3.20mm) | 0.134 "(3.40mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | 110MHz | 1812 (4532 메트릭) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 2,500 | 1.3 a | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 1 µh | - | 80mohm Max | 10 @ 7.96MHz | 7.96 MHz |
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