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![]() | B82144F2102K9 | 0.2670 | ![]() | 7343 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | LBC | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | ± 10% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.256 "dia x 0.362"L (6.50mm x 9.20mm) | - | 구멍을 구멍을 | 축 | 전선 | 200MHz | - | 다운로드 | ROHS3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 1,200 | 4.45 a | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 1 µh | 7.7a | 43mohm Max | 50 @ 2.52MHz | 1MHz | |||
![]() | B82432T1394K000 | 0.3728 | ![]() | 3679 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | AEC-Q200 | 0.177 "L x 0.126"W (4.50mm x 3.20mm) | 0.134 "(3.40mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | 3.9MHz | 1812 (4532 메트릭) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 5,000 | 110 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 390 µh | - | 13ohm max | 20 @ 796kHz | 796 kHz | |||
![]() | B82498F3391G001 | 0.3009 | ![]() | 9167 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.091 "L x 0.067"W (2.30mm x 1.70mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 비표준 | 드럼 드럼, 코어 | 700MHz | 0805 (2012 5) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.4000 | 6,000 | 210 MA | 차폐되지 차폐되지 | 세라믹 | 390 NH | - | 1.6ohm Max | 40 @ 250MHz | 100MHz |
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