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 | B82496C3479Z000 | 0.1852 | | 4808 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 0.2NH | -55 ° C ~ 150 ° C | AEC-Q200 | 0.063 "L x 0.031"W (1.60mm x 0.80mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 0603 (1608 메트릭) | 드럼 드럼, 코어 | 7GHz | 0603 (1608 메트릭) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.4000 | 8,000 | 800 MA | 차폐되지 차폐되지 | 세라믹 | 4.7 NH | - | 100mohm max | 14 @ 100MHz | 100MHz | |||
| B82141B1393K9 | - | | 8364 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | SBC | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | ± 10% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.118 "dia (3.00mm) | 0.512 "(13.00mm) | 구멍을 구멍을 | 방사형, 실린더 수직 | 드럼 드럼, 코어 | 70MHz | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 2,000 | 560 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 3.9 µh | - | 320mohm Max | 50 @ 7.96MHz | 7.96 MHz | |||
 | B82559A5332A020 | 8.4200 | | 5968 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | eru20- 플랫-인덕터 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -40 ° C ~ 150 ° C | AEC-Q200 | 0.878 "L x 0.866"W (22.30mm x 22.00mm) | 0.571 "(14.50mm) | 표면 표면 | 비표준 | 드럼 드럼, 코어 | - | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.4000 | 100 | 차폐 | 페라이트 | 3.3 µh | 34A | 1.5mohm Max | - | 100 kHz | ||||
 | B82442H1332K000 | - | | 2603 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | AEC-Q200 | 0.220 "L x 0.197"W (5.60mm x 5.00mm) | 0.209 "(5.30mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | 34MHz | 2220 (5650 5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 1,500 | 1.55 a | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 3.3 µh | - | 64mohm Max | 10 @ 7.96MHz | 7.96 MHz |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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