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| B82412A3470K | - | | 8846 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 10% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.075 "(1.90mm) | 표면 표면 | 2-SMD | 드럼 드럼, 코어 | 1.6GHz | 1210 (3225 메트릭) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | B82412A3470K000 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 2,500 | 470 MA | 차폐되지 차폐되지 | 세라믹 | 47 NH | - | 220mohm Max | 65 @ 500MHz | 10MHz | ||
| B82498F3330J11 | - | | 8596 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.091 "L x 0.067"W (2.30mm x 1.70mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 비표준 | 드럼 드럼, 코어 | 2.2GHz | 0805 (2012 5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | B82498F3330J 11 | 귀 99 | 8504.50.4000 | 6,000 | 600 MA | 차폐되지 차폐되지 | 세라믹 | 33 NH | - | 110mohm Max | 65 @ 500MHz | 250MHz | ||
 | B82432T1822K000 | 0.9600 | | 7 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | AEC-Q200 | 0.177 "L x 0.126"W (4.50mm x 3.20mm) | 0.134 "(3.40mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | 30MHz | 1812 (4532 메트릭) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 2,500 | 670 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 8.2 µh | - | 330mohm Max | 10 @ 7.96MHz | 7.96 MHz |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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