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| B82442A1335J000 | - | | 8261 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.220 "L x 0.197"W (5.60mm x 5.00mm) | 0.209 "(5.30mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | 1MHz | 2220 (5650 5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 3,000 | 40 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 3.3 MH | - | 48ohm Max | 30 @ 252khz | 252 kHz | |||
 | B82472G4563M000 | 0.4734 | | 5270 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B82472G4 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.287 "L X 0.287"W (7.30mm x 7.30mm) | 0.138 "(3.50mm) | 표면 표면 | 비표준 | 드럼 드럼, 코어 | - | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.4000 | 1,000 | 840 MA | 차폐 | 페라이트 | 56 µh | 630ma | 310mohm Max | - | 100 kHz | |||
| B82498F3101J001 | 0.6700 | | 1 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.091 "L x 0.067"W (2.30mm x 1.70mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 비표준 | 드럼 드럼, 코어 | 1.35GHz | 0805 (2012 5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.4000 | 3,000 | 450 MA | 차폐되지 차폐되지 | 세라믹 | 100 NH | - | 280mohm Max | 55 @ 500MHz | 150MHz | |||
| B82422H1473K000 | 0.6200 | | 38 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | AEC-Q200 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.094 "(2.40mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | 12MHz | 1210 (3225 메트릭) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 2,000 | 230 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 47 µh | - | 2.1ohm Max | 15 @ 2.52MHz | 2.52 MHz |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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