전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 등급 | 크기 / 치수 | 높이- 최대 (좌석) | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 특징 | 주파수 - 공명 자기 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 현재 현재 (amp) | 차폐 | 재료 - 코어 | 인덕턴스 | 전류- is (ISAT) | DC (DCR) | Q @ freq | 인덕턴스 인덕턴스 - 주파수 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | B82479G1224M000 | - | ![]() | 4436 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B82479G1 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 20% | -55 ° C ~ 150 ° C | - | 0.730 "L x 0.600"W (18.54mm x 15.24mm) | 0.280 "(7.11mm) | 표면 표면 | 비표준 | 드럼 드럼, 코어 | - | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.4000 | 250 | 1.1 a | 차폐 | 페라이트 | 220 µh | 1.9a | 470mohm Max | - | 100 kHz | |||
![]() | B82442H1275J000 | - | ![]() | 9874 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | AEC-Q200 | 0.220 "L x 0.197"W (5.60mm x 5.00mm) | 0.209 "(5.30mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | 1.1MHz | 2220 (5650 5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 3,000 | 65 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 2.7 mh | - | 44ohm Max | 30 @ 252khz | 252 kHz | |||
![]() | B82477G4562M000 | 1.4600 | ![]() | 505 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B82477G4 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.484 "L x 0.484"W (12.30mm x 12.30mm) | 0.236 "(6.00mm) | 표면 표면 | 비표준 | 드럼 드럼, 코어 | - | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.4000 | 400 | 6.7 a | 차폐 | 페라이트 | 5.6 µh | 8.4a | 14.2mohm Max | - | 100 kHz | |||
![]() | B78148E1221M009 | 0.1458 | ![]() | 5085 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | 기원전 | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | ± 20% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.157 "dia x 0.374"L (4.00mm x 9.50mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형 | 드럼 드럼, 코어 | - | 610MHz | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | B78148E1221M 9 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 5,000 | 5.9 a | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 220 NH | 12.2A | 19mohm Max | 55 @ 1MHz | 1MHz | |
B82462A4472M000 | 1.3900 | ![]() | 7 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B82462-A4 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -55 ° C ~ 150 ° C | AEC-Q200 | 0.236 "L x 0.236"W (6.00mm x 6.00mm) | 0.118 "(3.00mm) | 표면 표면 | 비표준 | 드럼 드럼, 코어 | 50MHz | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.4000 | 2,500 | 1.65 a | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 4.7 µh | 2.8a | 80mohm Max | - | 100 kHz | ||||
![]() | B82412A3150K | - | ![]() | 8765 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.075 "(1.90mm) | 표면 표면 | 2-SMD | 드럼 드럼, 코어 | 3GHz | 1210 (3225 메트릭) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | B82412A3150K000 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 2,500 | 640 MA | 차폐되지 차폐되지 | 세라믹 | 15 NH | - | 120mohm Max | 25 @ 100MHz | 10MHz | ||
![]() | B82477P2152M000 | 1.8400 | ![]() | 5009 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B82477p2 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -55 ° C ~ 150 ° C | AEC-Q200 | 0.492 "L x 0.492"W (12.50mm x 12.50mm) | 0.256 "(6.50mm) | 표면 표면 | 비표준 | 드럼 드럼, 코어 | - | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.4000 | 600 | 8.7 a | 차폐 | 페라이트 | 1.5 µh | 8.7a | 10mohm Max | - | 100 kHz | |||
![]() | B82422T1823K000 | 0.1742 | ![]() | 7252 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.083 "(2.10mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | 9MHz | 1210 (3225 메트릭) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 6,000 | 60 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 82 µh | - | 10ohm Max | 25 @ 2.52MHz | 2.52 MHz | |||
![]() | B82141B1152K9 | - | ![]() | 5197 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | SBC | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | ± 10% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.118 "dia (3.00mm) | 0.512 "(13.00mm) | 구멍을 구멍을 | 방사형, 실린더 수직 | 드럼 드럼, 코어 | 155MHz | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 2,000 | 670 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 1.5 µh | - | 220mohm Max | 40 @ 7.96MHz | 7.96 MHz | |||
![]() | B78108E1471M009 | 0.4100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B78108E | 컷 컷 (CT) | 활동적인 | ± 20% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.157 "dia x 0.374"L (4.00mm x 9.50mm) | - | 구멍을 구멍을 | 축 | 드럼 드럼, 코어 | - | 400MHz | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 2,500 | 5 a | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 470 NH | 8.5A | 27mohm Max | 60 @ 7.96MHz | 1MHz | ||
![]() | B78108E1103K000 | 0.4100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | BC+ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.157 "dia x 0.374"L (4.00mm x 9.50mm) | - | 구멍을 구멍을 | 축 | 드럼 드럼, 코어 | 20MHz | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 5,000 | 2.25 a | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 10 µh | 2A | 136mohm Max | 35 @ 7.96MHz | 1MHz | |||
![]() | B82422H1274K000 | 0.2495 | ![]() | 9222 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | AEC-Q200 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.094 "(2.40mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | - | 1210 (3225 메트릭) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 2,000 | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 270 µh | - | - | - | |||||
B82559A3152A020 | 8.0100 | ![]() | 33 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | eru20- 플랫-인덕터 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -40 ° C ~ 150 ° C | AEC-Q200 | 0.878 "L x 0.866"W (22.30mm x 22.00mm) | 0.437 "(11.10mm) | 표면 표면 | 비표준 | 드럼 드럼, 코어 | - | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.4000 | 130 | 차폐 | 페라이트 | 1.5 µh | 50a | 0.9mohm max | - | 100 kHz | |||||
![]() | B82141B1473J | - | ![]() | 9209 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | SBC | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.118 "dia (3.00mm) | 0.512 "(13.00mm) | 구멍을 구멍을 | 방사형, 실린더 수직 | 드럼 드럼, 코어 | 7.7MHz | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | B82141B1473J000 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 2,000 | 200 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 47 µh | - | 2.4ohm | 55 @ 2.52MHz | 2.52 MHz | ||
![]() | B82477G4682M000 | 1.4100 | ![]() | 7 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B82477G4 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.504 "L x 0.504"W (12.80mm x 12.80mm) | 0.315 "(8.00mm) | 표면 표면 | 비표준 | 드럼 드럼, 코어 | - | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.4000 | 400 | 6.5 a | 차폐 | 페라이트 | 6.8 µh | 7.3A | 18.5mohm Max | - | 100 kHz | |||
B82472G4332M000 | 1.0900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B82472G4 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.287 "L x 0.287"W (7.30mm x 7.30mm) | 0.138 "(3.50mm) | 표면 표면 | 비표준 | 드럼 드럼, 코어 | - | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.4000 | 1,000 | 2.6 a | 차폐 | 페라이트 | 3.3 µh | 1.9a | 35mohm Max | - | 100 kHz | ||||
![]() | B82442T1394K050 | - | ![]() | 3130 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | - | AEC-Q200 | 0.220 "L x 0.197"W (5.60mm x 5.00mm) | 0.209 "(5.30mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | 3MHz | 2220 (5650 5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 1,500 | 260 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 390 µh | 390ma | 3.7ohm | 20 @ 796kHz | 796 kHz | |||
![]() | B82442A1124K000 | - | ![]() | 9921 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 10% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.220 "L x 0.197"W (5.60mm x 5.00mm) | 0.209 "(5.30mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | 5.4MHz | 2220 (5650 5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 3,000 | 230 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 120 µh | - | 1.52ohm Max | 20 @ 796kHz | 796 kHz | |||
![]() | B78148T1122J | - | ![]() | 4210 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | MCC | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.130 "dia (3.30mm) | 0.386 "(9.80mm) | 구멍을 구멍을 | 방사형, 실린더 수직 | 드럼 드럼, 코어 | 170MHz | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | B78148T1122J000 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 6,000 | 610 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 1.2 µh | - | 250mohm Max | 40 @ 7.96MHz | 7.96 MHz | ||
![]() | B82432C1183K000 | 0.3906 | ![]() | 2754 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.177 "L x 0.126"W (4.50mm x 3.20mm) | 0.134 "(3.40mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | 18MHz | 1812 (4532 메트릭) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 5,000 | 270 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 18 µh | - | 1.35ohm | 30 @ 2.52MHz | 100 kHz | |||
![]() | B82422A1683J100 | 0.2113 | ![]() | 4261 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.083 "(2.10mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | 9MHz | 1210 (3225 메트릭) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 6,000 | 80 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 68 µh | - | 7.7ohm Max | 27 @ 2.52MHz | 100 kHz | |||
B82472G4223M000 | 1.0800 | ![]() | 610 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B82472G4 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.287 "L x 0.287"W (7.30mm x 7.30mm) | 0.138 "(3.50mm) | 표면 표면 | 비표준 | 드럼 드럼, 코어 | - | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.4000 | 1,000 | 1.1 a | 차폐 | 페라이트 | 22 µh | 900ma | 200mohm max | - | 100 kHz | ||||
![]() | B82141A1153K009 | - | ![]() | 5036 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | SBC | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | ± 10% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.118 "dia x 0.268"L (3.00mm x 6.80mm) | - | 구멍을 구멍을 | 축 | 드럼 드럼, 코어 | 17MHz | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 5,000 | 365 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 15 µh | - | 740mohm Max | 55 @ 2.52MHz | 2.52 MHz | |||
![]() | B82464G4222M000 | 1.7700 | ![]() | 11 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B82464G4 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -55 ° C ~ 150 ° C | AEC-Q200 | 0.409 "L x 0.409"W (10.40mm x 10.40mm) | 0.189 "(4.80mm) | 표면 표면 | 비표준 | 드럼 드럼, 코어 | 72MHz | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.4000 | 750 | 6.5 a | 차폐 | 페라이트 | 2.2 µh | 7a | 10mohm Max | - | 100 kHz | |||
B82472G6152M000 | 1.3000 | ![]() | 759 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B82472G6 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.287 "L x 0.287"W (7.30mm x 7.30mm) | 0.177 "(4.50mm) | 표면 표면 | 비표준 | 드럼 드럼, 코어 | - | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.4000 | 1,000 | 3.4 a | 차폐 | 페라이트 | 1.5 µh | 3A | 17mohm Max | - | 100 kHz | ||||
![]() | B82422T1151J000 | 0.4900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.083 "(2.10mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | 250MHz | 1210 (3225 메트릭) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 2,000 | 450 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 150 NH | - | 180mohm | 30 @ 7.96MHz | 7.96 MHz | |||
![]() | B82141A1563K009 | - | ![]() | 8619 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | SBC | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | ± 10% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.118 "dia x 0.268"L (3.00mm x 6.80mm) | - | 구멍을 구멍을 | 축 | 드럼 드럼, 코어 | 6.8MHz | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 5,000 | 195 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 56 µh | - | 2.6ohm | 55 @ 2.52MHz | 2.52 MHz | |||
![]() | B82422H1332K008 | 0.2417 | ![]() | 3813 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | AEC-Q200 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.094 "(2.40mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | 70MHz | 1210 (3225 메트릭) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 7,500 | 770 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 3.3 µh | - | 180mohm Max | 10 @ 2.52MHz | 7.96 MHz | |||
![]() | PCM120T-4R7M-D | 4.3300 | ![]() | 89 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | PCM120T | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -55 ° C ~ 165 ° C | AEC-Q200 | 0.472 "L x 0.500"W (12.00mm x 12.70mm) | 0.453 "(11.50mm) | 표면 표면 | 비표준 | 드럼 드럼, 코어 | - | - | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.4000 | 250 | 20.6 a | 차폐 | 금속 | 4.7 µh | 17a | 4.3mohm | - | 100 kHz | ||
![]() | B82477G4222M000 | 1.5000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B82477G4 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.504 "L x 0.504"W (12.80mm x 12.80mm) | 0.315 "(8.00mm) | 표면 표면 | 비표준 | 드럼 드럼, 코어 | - | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.4000 | 400 | 8 a | 차폐 | 페라이트 | 2.2 µh | 11a | 10mohm Max | - | 100 kHz |
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