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![]() | B82442T1124K050 | 0.5022 | ![]() | 7006 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.220 "L x 0.197"W (5.60mm x 5.00mm) | 0.209 "(5.30mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | 5.3MHz | 2220 (5650 5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 1,500 | 440 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 120 µh | 670ma | 1.29ohm Max | 20 @ 796kHz | 796 kHz | ||
![]() | B82442T1474K050 | 1.1500 | ![]() | 12 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | - | AEC-Q200 | 0.220 "L x 0.197"W (5.60mm x 5.00mm) | 0.209 "(5.30mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | 2.6MHz | 2220 (5650 5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 1,500 | 240 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 470 µh | 350ma | 4.73ohm Max | 20 @ 796kHz | 796 kHz |
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