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| B82422H1102K100 | - | | 6791 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | AEC-Q200 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.083 "(2.10mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | 200MHz | 1210 (3225 메트릭) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 2,000 | 650 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 1 µh | - | 220mohm Max | 10 @ 2.52MHz | 7.96 MHz | |||
 | B82442T1475K050 | 1.2400 | | 8 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | - | AEC-Q200 | 0.220 "L x 0.197"W (5.60mm x 5.00mm) | 0.209 "(5.30mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | 800kHz | 2220 (5650 5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 1,500 | 73 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 4.7 mh | 119ma | 48.6ohm Max | 30 @ 252khz | 252 kHz | |||
 | B82432C1393J000 | 0.4124 | | 6640 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.177 "L x 0.126"W (4.50mm x 3.20mm) | 0.134 "(3.40mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | 12MHz | 1812 (4532 메트릭) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 5,000 | 220 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 39 µh | - | 2.05ohm Max | 30 @ 2.52MHz | 100 kHz | |||
 | B82476A1473M000 | 1.4200 | | 7 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B82476A1 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -55 ° C ~ 150 ° C | - | 0.510 "L x 0.370"W (12.95mm x 9.40mm) | 0.200 "(5.08mm) | 표면 표면 | 비표준 | 드럼 드럼, 코어 | - | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.4000 | 750 | 1.8 a | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 47 µh | 1.6a | 120mohm Max | - | 100 kHz |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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