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![]() | B82432C1154K000 | 0.8800 | ![]() | 16 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.177 "L x 0.126"W (4.50mm x 3.20mm) | 0.134 "(3.40mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | 7MHz | 1812 (4532 메트릭) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 2,500 | 130 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 150 µh | - | 6.1ohm Max | 30 @ 796kHz | 100 kHz | ||
![]() | B82464G2222M | - | ![]() | 1069 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B82464G2 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 20% | -55 ° C ~ 150 ° C | AEC-Q200 | 0.409 "L x 0.409"W (10.40mm x 10.40mm) | 0.118 "(3.00mm) | 표면 표면 | 비표준 | 드럼 드럼, 코어 | - | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | B82464G2222M000 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 1,250 | 차폐 | 페라이트 | 2.2 µh | - | - | - | 100 kHz |
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