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 | B82432A1224K000 | - | | 5591 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 10% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.177 "L x 0.126"W (4.50mm x 3.20mm) | 0.126 "(3.20mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | 4.6MHz | 1812 (4532 메트릭) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 2,500 | 115 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 220 µh | - | 최대 7.5ohm | 30 @ 796kHz | 100 kHz | ||
| B82422A3270K100 | 0.2012 | | 4411 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.083 "(2.10mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | 1.85GHz | 1210 (3225 메트릭) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 6,000 | 600 MA | 차폐되지 차폐되지 | 세라믹 | 27 NH | - | 140mohm Max | 23 @ 50MHz | 10MHz | ||
 | B82472G6153M000 | 1.3500 | | 894 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B82472G6 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.287 "L x 0.287"W (7.30mm x 7.30mm) | 0.177 "(4.50mm) | 표면 표면 | 비표준 | 드럼 드럼, 코어 | - | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.4000 | 1,000 | 1.53 a | 차폐 | 페라이트 | 15 µh | 1.35A | 80mohm Max | - | 100 kHz | ||
 | B82559A0203A019 | 7.7100 | | 73 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | ERU19--와이어 인덕터 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 10% | -40 ° C ~ 150 ° C | AEC-Q200 | 0.807 "L x 0.807"W (20.50mm x 20.50mm) | 0.398 "(10.10mm) | 표면 표면 | 비표준, 3 리드 | 드럼 드럼, 코어 | 2MHz | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.4000 | 190 | 차폐 | 페라이트 | 20 µh | 10.6a | 14.75mohm Max | - | 100 kHz |
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일일 평균 RFQ 볼륨
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표준 제품 단위
2800+
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