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![]() | B82462G4473M000 | 1.6000 | ![]() | 16 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B82462G4 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -55 ° C ~ 150 ° C | AEC-Q200 | 0.248 "L x 0.248"W (6.30mm x 6.30mm) | 0.118 "(3.00mm) | 표면 표면 | 비표준 | 드럼 드럼, 코어 | - | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.4000 | 2,500 | 750 MA | 차폐 | 페라이트 | 47 µh | 600ma | 310mohm Max | - | 100 kHz | ||
![]() | B82442A1106K000 | - | ![]() | 1638 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 10% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.220 "L x 0.197"W (5.60mm x 5.00mm) | 0.209 "(5.30mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | 500kHz | 2220 (5650 5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 1,500 | 25 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 10 mh | - | 120ohm Max | 30 @ 79.6kHz | 79.6 kHz |
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