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| B82470A1333M | - | | 2451 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B82470-A1-M | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.189 "L x 0.189"W (4.80mm x 4.80mm) | 0.047 "(1.20mm) | 표면 표면 | 비표준 | 드럼 드럼, 코어 | - | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.4000 | 2,000 | 380 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 33 µh | - | 1.1ohm max | - | 100 kHz | |||
| B82422A3100J100 | 0.2113 | | 9312 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.083 "(2.10mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | 4GHz | 1210 (3225 메트릭) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 6,000 | 750 MA | 차폐되지 차폐되지 | 세라믹 | 10 NH | - | 90mohm Max | 20 @ 100MHz | 10MHz | |||
| B82442T1106K050 | 1.1300 | | 14 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.220 "L x 0.197"W (5.60mm x 5.00mm) | 0.209 "(5.30mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | 500kHz | 2220 (5650 5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 1,500 | 46 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 10 mh | 81ma | 112ohm Max | 25 @ 79.6kHz | 79.6 kHz | |||
 | B82144F1104J000 | 0.6500 | | 2 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | LBC | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.256 "dia x 0.362"L (6.50mm x 9.20mm) | - | 구멍을 구멍을 | 축 | 드럼 드럼, 코어 | 5.2MHz | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 1,500 | 760 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 100 µh | - | 700mohm Max | 40 @ 796kHz | 100 kHz |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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