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	VEMI85AA-HGK-GS08	0.5600	RFQ		53	0.00000000	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-40 ° C ~ 125 ° C	모바일 모바일 데이터 장치의	0.130 "L x 0.053"W (3.30mm x 1.35mm)	표면 표면	16-ufdfn 노출 패드	낮은 낮은	VEMI85	RC (PI)	8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8548.00.0000	3,000	둘째	0.024 "(0.60mm)	4 a	예	100MHz (()	-	100	r = 100ohms, c = 36pf
	VEMI45AA-HNH-GS08	0.3900	RFQ		2	0.00000000	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-40 ° C ~ 125 ° C	모바일 모바일 데이터 장치의	0.067 "L x 0.053"W (1.70mm x 1.35mm)	표면 표면	8-ufdfn 노출 패드	낮은 낮은	VEMI45	RC (PI)	4	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8548.00.0000	3,000	둘째	0.024 "(0.60mm)	4 a	예	100MHz (()	-	100	r = 100ohms, c = 36pf
	VEMI65AB-HCI-GS08	0.4700	RFQ		8	0.00000000	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-40 ° C ~ 125 ° C	모바일 모바일 데이터 장치의	0.098 "L x 0.053"W (2.50mm x 1.35mm)	표면 표면	13-ufdfn 노출 패드	낮은 낮은	VEMI65	RC (PI)	6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8548.00.0000	3,000	둘째	0.024 "(0.60mm)	4 a	예	130MHz (h)	-	100	r = 100ohms, c = 24pf
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	VEMI35AA-HAF-G-08	0.1188	RFQ		2072	0.00000000	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-40 ° C ~ 125 ° C	모바일 모바일 데이터 장치의	0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm)	표면 표면	6-ufdfn 노출 패드	낮은 낮은	VEMI35	RC (PI)	3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8548.00.0000	15,000	둘째	0.024 "(0.60mm)	4 a	예	100MHz (()	-	100	r = 100ohms, c = 37pf
	VEMI45AB-HNH-GS08	0.1697	RFQ		5653	0.00000000	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-40 ° C ~ 125 ° C	모바일 모바일 데이터 장치의	0.067 "L x 0.053"W (1.70mm x 1.35mm)	표면 표면	8-ufdfn 노출 패드	낮은 낮은	VEMI45	RC (PI)	4	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8548.00.0000	15,000	둘째	0.024 "(0.60mm)	4 a	예	130MHz (h)	-	100	r = 100ohms, c = 24pf
	VEMI355A-HAF-G-08	0.3100	RFQ		14	0.00000000	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-40 ° C ~ 125 ° C	모바일 모바일 데이터 장치의	0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm)	표면 표면	6-Wfdfn d 패드 패드	낮은 낮은	VEMI355	RC (PI)	3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8548.00.0000	3,000	둘째	0.031 "(0.79mm)	4 a	예	100MHz (()	-	50	r = 50ohms, c = 37pf
	VEMI255A-HS3-GS08	-	RFQ		2428	0.00000000	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-	-40 ° C ~ 125 ° C	모바일 모바일 데이터 장치의	0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm)	표면 표면	6-wdfn n 패드	낮은 낮은	VEMI25	RC (PI)	2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8548.00.0000	3,000	둘째	0.031 "(0.79mm)	4 a	예	100MHz (()	-	50	r = 50ohms, c = 37pf
	VEMI85AC-HGK-GS08	0.2250	RFQ		9374	0.00000000	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-40 ° C ~ 125 ° C	모바일 모바일 데이터 장치의	0.130 "L x 0.053"W (3.30mm x 1.35mm)	표면 표면	16-ufdfn 노출 패드	낮은 낮은	VEMI85	RC (PI)	8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8548.00.0000	15,000	둘째	0.024 "(0.60mm)	4 a	예	240MHz (h)	-	100	r = 100ohms, c = 13pf
	VEMI353A-HA3-GS08	-	RFQ		9989	0.00000000	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-	-40 ° C ~ 125 ° C	모바일 모바일 데이터 장치의	0.059 "L x 0.059"W (1.50mm x 1.50mm)	표면 표면	6-Wfdfn d 패드 패드	낮은 낮은	VEMI35	RC (PI)	3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8548.00.0000	3,000	둘째	0.031 "(0.79mm)	4 a	예	100MHz (()	-	30	r = 30ohms, c = 37pf
	VEMI65AA-HCI-GS08	0.4700	RFQ		6	0.00000000	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-40 ° C ~ 125 ° C	모바일 모바일 데이터 장치의	0.098 "L x 0.053"W (2.50mm x 1.35mm)	표면 표면	13-ufdfn 노출 패드	낮은 낮은	VEMI65	RC (PI)	6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8548.00.0000	3,000	둘째	0.024 "(0.60mm)	4 a	예	100MHz (()	-	100	r = 100ohms, c = 36pf
	VEMI256A-SD2-G4-08	0.3700	RFQ		10	0.00000000	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-40 ° C ~ 125 ° C	모바일 모바일 데이터 장치의	0.041 "L x 0.029"W (1.03mm x 0.73mm)	표면 표면	5-xfdfn	낮은 낮은		RC (PI)	2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8548.00.0000	10,000	둘째	0.011 "(0.29mm)	8.5 a	예	60MHz (()	-	60	r = 60ohms, c = 90pf
	VEMI45AC-HNH-GS08	0.3900	RFQ		19	0.00000000	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-40 ° C ~ 125 ° C	모바일 모바일 데이터 장치의	0.067 "L x 0.053"W (1.70mm x 1.35mm)	표면 표면	8-ufdfn 노출 패드	낮은 낮은	VEMI45	RC (PI)	4	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8548.00.0000	3,000	둘째	0.024 "(0.60mm)	2 a	예	240MHz (h)	-	100	r = 100ohms, c = 13pf
	VEMI353A-HAF-G-08	0.1188	RFQ		3916	0.00000000	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-40 ° C ~ 125 ° C	모바일 모바일 데이터 장치의	0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm)	표면 표면	6-ufdfn 노출 패드	낮은 낮은	VEMI353	RC (PI)	3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8548.00.0000	15,000	둘째	0.024 "(0.60mm)	4 a	예	100MHz (()	-	30	r = 30ohms, c = 37pf
	VEMI65AC-HCI-GS08	0.4700	RFQ		9161	0.00000000	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-40 ° C ~ 125 ° C	모바일 모바일 데이터 장치의	0.098 "L x 0.053"W (2.50mm x 1.35mm)	표면 표면	12-ufdfn 노출 패드	낮은 낮은	VEMI65	RC (PI)	6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8548.00.0000	3,000	둘째	0.024 "(0.60mm)	2 a	예	240MHz (h)	-	100	r = 100ohms, c = 13pf
	VEMI65A6-FC2-GS08	-	RFQ		9457	0.00000000	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-40 ° C ~ 85 ° C	모바일 모바일 데이터 장치의	0.117 "L x 0.052"W (2.96mm x 1.33mm)	표면 표면	15-WFBGA, FCBGA	낮은 낮은	VEMI65	RC (PI)	6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8548.00.0000	3,000	둘째	0.026 "(0.65mm)	5 a	예	60MHz (()	30dB @ 800MHz ~ 2GHz	100	r = 100ohms, c = 90pf
	VEMI85AB-HGK-GS08	0.5600	RFQ		11	0.00000000	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-40 ° C ~ 125 ° C	모바일 모바일 데이터 장치의	0.130 "L x 0.053"W (3.30mm x 1.35mm)	표면 표면	16-ufdfn 노출 패드	낮은 낮은	VEMI85	RC (PI)	8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8548.00.0000	3,000	둘째	0.024 "(0.60mm)	4 a	예	130MHz (h)	-	100	r = 100ohms, c = 24pf
	VEMI355A-HA3-GS08	-	RFQ		4450	0.00000000	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-	-40 ° C ~ 125 ° C	모바일 모바일 데이터 장치의	0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm)	표면 표면	6-Wfdfn d 패드 패드	낮은 낮은	VEMI35	RC (PI)	3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8548.00.0000	3,000	둘째	0.031 "(0.79mm)	4 a	예	100MHz (()	-	50	r = 50ohms, c = 37pf

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
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AD9208BBPZ-3000196-LFBGA 노출 패드
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