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aP 채널 MOSFET (PMOS)NMOS (N-Channel MOSFET)와 반대되는데, 이는 주로 게이트 소스 전압 (VG)과 임계 값 전압 (VTH)의 관계와 전압 극성의 관계에 의해 지배됩니다. 핵심 사항은 다음과 같습니다.

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1. 코어 턴온 조건

전압 관계:
PMO가 수행하는 데 필요한 조건은 다음과 같습니다. vGS≤vth (VTH가 음수 인 경우)

다섯GS= vG-V에스(다섯G= 게이트 전압, v에스= 소스 전압).

vthPMO는 일반적으로 음수 (예 : -1v, -2v)의 경우 게이트 전압은상당히 낮습니다v를 만족시키기위한 소스 전압보다GS≤vth.

:
V. vth= -2v 및 v에스=+5V, 다음 : vG-5V≤ -2V⟹VG≤+3V
vG3V 미만으로 떨어집니다.

2. N- 채널과 비교MOSFET (NMOS)

특성P 채널 MOSFET (PMOS)N- 채널 MOSFET (NMOS)
턴온 조건vgs≤vth (vth negative)vgs≥vth (vth positive)
전압 극성게이트 전압이 있어야합니다낮추다소스보다게이트 전압이 있어야합니다더 높은소스보다
일반적인 응용 프로그램하이 사이드 스위치 (소스가 V+에 연결)낮은 측 스위치 (소스가 GND에 연결)
바디 다이오드 방향출처 → 배수 (D)배수 (d) → 소스 (들)

3. 주요 실질적인 고려 사항

하이 사이드 스위칭:
PMOS하이 사이드 스위치 회로에서 일반적으로 사용됩니다 (전원 공급 장치에 연결된 소스, 하중에 배수). 낮은 게이트 전압으로 인해 하중을 접지하여 켜집니다. 예:
배터리 구동 회로에서 PMOS는로드에 대한 전원을 제어하여 로직 레벨 제어를 단순화합니다.

전압 극성 및 구동 회로:

PMOS가 필요합니다풀다운 드라이버(예 : NPN 트랜지스터 또는 NMO)는 소스 아래로 게이트 전압을 낮추는 것입니다.

CMOS 로직 (예 : 인버터)에서 PMOS는 출력을 높이 끌어 당겨 NMOS를 보완하여 낮게 당깁니다.

바디 다이오드 효과:

PMOS에는 소스에서 배수까지 내부 바디 다이오드가 있습니다. 배수 전압이 소스 전압을 초과하면 다이오드가 전도되어 잠재적으로 의도하지 않은 전류 흐름이 발생합니다.설계자는 역 전압을 피하거나 보호 조치를 추가해야합니다.

4. 요약

게이트 전압이 소스 전압보다 충분히 낮을 때 PMOS가 켜져 P- 타입 전도성 채널을 유도합니다. 핵심 공식은 v입니다GS≤vth(다섯th부정적인). 실제로 전압 극성, 구동 회로 및 바디 다이오드 거동에주의하십시오. NMOS와 비교하면 현대 전자 제품에서 보완적인 역할을 명확하게합니다.

PMOS가 수행합니다G<v에스+Âvth  (여기서 vth부정적입니다)

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태그 : P 채널 MOSFET
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