Onsemi 단일 MOSFET에 의한 NTF3055-100T1G

onsemi ntf3055-100t1g+BOM

Onsemi의 NTF3055-100T1G는 N- 채널 전력 MOSFET입니다. SOT-223에 포장 된이 제품은 저전압 고속 스위칭 응용 프로그램을 위해 설계되었습니다. 25 ° C (100 ° C에서 1.4A)에서 3.0 A의 연속 드레인 전류와 9.0A의 단일 펄스 전류와 60V 드레인 - 소스 전압 및 110mΩ의 저항 저항과 함께 전도 손실이 효과적으로 감소합니다. 리드가되는 것과 같은 환경 표준을 충족합니다. NVF로 접두사가있는 장치는 AEC -Q101을 통과하고 PPAP 기능을 갖춘 자동차 및 특수 요구 사항 애플리케이션에 적합하여 높은 신뢰성을 보장합니다.

onsemi ntf3055-100t1g의 기능

Onsemi의 NTF3055-100T1G는 SOT-223에 포장 된 N- 채널 전력 MOSFET이며 많은 기능이 있습니다. 전원 공급 장치, 컨버터, 전원 모터 컨트롤 및 브리지 회로와 같은 저전압 고속 스위칭 응용 프로그램에 적합합니다. 연속 드레인 전류는 25 ° C에서 3.0A, 100 ° C에서 1.4A이며 단일 펄스에서 9.0A에 도달 할 수 있습니다. 배수 소스 전압은 60V이며 정적 드레인 소스 온 저항은 110 MΩ 정도로 낮아서 전도 손실을 효과적으로 줄일 수 있습니다.

NVF 접두사가있는 장치는 자동차 및 특별 사이트 및 제어 변경 요구 사항이있는 기타 응용 프로그램에 적합합니다. 그들은 AEC-Q101 인증을 통과했으며 PPAP 기능을 가지고있어 높은 신뢰성을 보장합니다. 동시에, 이는 무연 및 ROHS 표준을 충족하여 환경 보호 요구 사항을 충족합니다. 또한 짧은 전환 지연 시간으로 스위칭 특성이 우수합니다. 예를 들어, 일반적인 턴온 지연 시간은 20ns이고 일반적인 턴 오프 지연 시간은 45ns이므로 빠른 스위칭 동작과 전체 회로 성능을 향상시킬 수 있습니다.

Onsemi NTF3055-100T1G의 응용 프로그램

Onsemi의 NTF3055-100T1G에는 여러 분야에서 광범위한 응용 프로그램이 있습니다. 전력 관리 분야에서 저항성 특성이 낮 으면 전력 변환 중에 에너지 손실이 크게 감소 할 수 있습니다. 다양한 저전압 전력 모듈에 적합하여 효율적이고 안정적인 전력 출력을 보장합니다. 모터 드라이브 측면에서 우수한 스위칭 특성에 의존하면 모터의 속도와 방향을 정확하게 제어 할 수 있습니다. 소형 전동 공구, 자동차 냉각 팬 및 모터 제어가 높은 정밀도가 필요한 기타 장치에 적용 할 수 있습니다. 신호 처리 회로에서, 고속 스위칭 요소로 사용될 수 있으며 신호 변화에 신속하게 응답하고 효율적인 신호 스위칭 및 처리를 달성 할 수 있습니다. 통신 장치의 신호 변조 및 복조 회로에 종종 사용됩니다. 또한 환경 보호 표준을 준수함으로써 스마트 폰 및 태블릿과 같은 소비자 전자 제품의 충전 회로에서 역할을 수행하여 충전 프로세스의 안전성과 효율성을 보장 할 수 있습니다. 성능, 환경 보호 또는 우주 레이아웃에 대한 요구 사항이있는 시나리오이든 NTF3055-100T1G는 신뢰할 수있는 솔루션을 제공 할 수 있습니다.

Onsemi NTF3055-100T1G의 속성

상태	활동적인	규정 준수	pbahp
패키지 유형	SOT-223-4 / TO-261-4D	사례 개요	0.0318
MSL 유형	1	MSL 온도 (° C)	260
컨테이너 유형	릴	컨테이너 수량.	1000
대상	N	채널 극성	n 채널
구성	하나의	V (BR) DSS MIN (V)	60
VGS Max (V)	20	vgs (th) max (v)	4
id max (a)	3	PD MAX (W)	2.1
RDS (on) max @ vgs = 10 v (MΩ)	110	QG typ @ vgs = 10 V (NC)	11
Ciss Typ (PF)	324	가격 ($/unit)	$ 0.3569

Onsemi NTF3055-100T1G의 데이터 시트

onsemi ntf3055-100t1g카테고리 - MOSFETS

N- 채널 전력 MOSFET로서 Onsemi의 NTF3055-100T1G는 Enhancement-Mode MOSFET의 범주에 속하며 수많은 응용 프로그램 시나리오에서 고유 한 장점을 보여줍니다. 전기 성능 측면에서 앞에서 언급했듯이 배수 전류 운반 용량이 우수합니다. 배수 소스 전압은 일반적인 저전압 회로에도 적합하며, 매우 낮은 정적 배수 소스 온 저항은 전도 손실 측면에서 매우 잘 수행되어 전력 응용 분야에서 MOSFET의 고효율 요구 사항을 충족시킵니다. SOT-223 포장 형태는 현대 전자 장치의 소형화 경향을 준수 할뿐만 아니라 다양한 회로 보드에 설치를 촉진하여 소형 응용 프로그램을 가능하게합니다.

NTF3055-100T1G와 유사한 MOSFET의 구매를 고려할 때, N- 채널의 특성은 낮은 측 스위치 시나리오에 적합하다고 결정합니다. 예를 들어, 접지되고 리드가 메인 라인 전압에 연결된 기존 전력 응용 프로그램에서는 장치 스위칭에 필요한 전압 전송을 충족 할 수 있습니다. NTF3055-100T1G의 성능을 평가할 때, 위에서 설명한 MOSFET을 테스트하는 일반적인 방법을 채택 할 수 있습니다. 다이오드 전압 강하를 확인할 때 값이 0.4V -0.9V 범위를 벗어난 경우 장치에 결함이있을 수 있음을 경계해야합니다. 저항을 테스트 할 때는 배수구와 소스 사이에 비교적 큰 저항이 제시되어야합니다. 테스트를 위해 디지털 멀티 미터를 사용하는 경우, 소스를 멀티 미터의 음성 (-) 리드에 연결하고 장치를 유지하면서 금속 테스트 프로브 구성 요소 및 터미널과의 접촉을 피하고 멀티 미터의 긍정적 리드를 게이트에 연결하고 소스와 게이트 사이에 약간의 압력을 설정하고, 공연을 적용 할 수있게하는 데 약간의 압력을 가할 수 있습니다. 실제 응용 분야에서.

NTF3055-100T1G 대 NTF6P02T3G

부분품	NTF3055-100T1G+BOM	NTF6P02T3G+BOM
제조업체	에	온세미
패키지	SOT223-4	SOT -223-4
설명	3 -PIN SOT -223 N- 3 A DC 및 60V DC 용량을 갖춘 채널 MOSFET 트랜지스터	P- 채널 MOSFET 트랜지스터-20V 전압 등급,8.4A 전류,및 3 -PIN SOT -223
재고	1651	3875
부품 상태	활동적인	활동적인
규정 준수	pbahp	pbahp
사례 개요	0.0318	0.0318
MSL 유형	1	1
MSL 온도 (° C)	260	260
컨테이너 유형	릴	릴
컨테이너 수량.	1000	4000
대상	N	와이
채널 극성	N- 채널	P- 채널
구성	하나의	하나의
V (BR) DSS MIN (V)	60	- 20
VGS Max (V)	20	8
vgs (th) max (v)	4	-1
id max (a)	3	- 10
PD MAX (W)	2.1	1.8
QG typ @ vgs = 10 V (NC)	11	15
Ciss Typ (PF)	324	900
가격 ($/unit)	$ 0.3599	$ 0.5334
RDS (on) max @ vgs = 10 v (MΩ)	110	-
RDS (on) max @ vgs = 2.5 v (MΩ)	-	70
RDS (on) max @ vgs = 4.5 v (MΩ)	-	50