RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

불연속 불연속 제품 (2437)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
SDURF1540	0.3323	RFQ	3575	smc 다이오드 솔루션	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2 풀 -2, 분리 된 탭		기준		ITO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	SDURF1540SMC	귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.25 V @ 15 a	45 ns	10 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	15a	-
RS1D	0.0258	RFQ	1716	smc 다이오드 솔루션	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	Rs1	기준		SMA (DO-214AC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1.3 v @ 1 a	150 ns	5 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
MBRB20200ct	0.9700	RFQ	6	smc 다이오드 솔루션	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRB20200	Schottky		D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	200 v	-	900 mV @ 10 a		1 ma @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C
SDURF2060CT	0.9400	RFQ	5665	smc 다이오드 솔루션	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	SDURF2060	기준		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	1655-1234	귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	600 v	-	2.2 V @ 10 a	50 ns	10 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C
MBRF30200CTR	1.2100	RFQ	549	smc 다이오드 솔루션	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	MBRF30200	Schottky		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 양극 양극 공통	200 v	-	950 MV @ 15 a		1 ma @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C
GBJ1010	1.0800	RFQ	341	smc 다이오드 솔루션	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 에미	GBJ1010	기준		GBJ	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	15					1.1 v @ 10 a		5 µa @ 1000 v		10 a				단일 단일	1kv
1N5264B	-	RFQ	2656	smc 다이오드 솔루션	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1N5264BSMC	귀 99	8541.10.0050	5,000					1.1 v @ 200 ma		100 na @ 44 v									60 v	170 옴
sdurf3020ctr	1.2700	RFQ	5	smc 다이오드 솔루션	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	SDURF3020	기준		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 양극 양극 공통	200 v	15a	1.05 V @ 15 a	35 ns	10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C
er2e	0.0663	RFQ	4135	smc 다이오드 솔루션	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	ER2	기준		SMB (DO-214AA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		300 v		1.25 V @ 2 a	35 ns	5 µa @ 300 v	-65 ° C ~ 150 ° C	2A	25pf @ 4V, 1MHz
12cwq03fn	0.6400	RFQ	18	smc 다이오드 솔루션	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	12CWQ	Schottky		DPAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	2,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	30 v	-	470 mV @ 6 a		3 ma @ 30 v	-55 ° C ~ 150 ° C
DB153S	0.1098	RFQ	3933	smc 다이오드 솔루션	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개	DB153	기준		DB-S	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	1,500					1.1 v @ 1.5 a		5 µa @ 200 v		1.5 a				단일 단일	200 v
30BQ060	0.4800	RFQ	153	smc 다이오드 솔루션	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	30BQ	Schottky		SMC (DO-214AB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		580 mV @ 3 a		500 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	-	180pf @ 5V, 1MHz
MURS120	0.5000	RFQ	83	smc 다이오드 솔루션	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	MURS120	기준		SMB (DO-214AA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		900 mV @ 1 a	25 ns	2 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
S3M	0.0962	RFQ	8308	smc 다이오드 솔루션	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	S3M	기준		SMC (DO-214AB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		1000 v		1.1 v @ 3 a	2.5 µs	5 µa @ 1000 v	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	60pf @ 4V, 1MHz
MBRF2045CTU	0.3704	RFQ	5331	smc 다이오드 솔루션	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	MBRF2045	Schottky		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	MBRF2045CTUSMC	귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	45 v	-	500 mV @ 10 a		1 ma @ 45 v	-55 ° C ~ 125 ° C
MBRF1045CTP	0.6200	RFQ	847	smc 다이오드 솔루션	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	MBRF104	Schottky		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	45 v	-	700 mv @ 5 a		1 ma @ 45 v	-55 ° C ~ 150 ° C
S1D	0.1300	RFQ	83	smc 다이오드 솔루션	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	S1D	기준		SMA (DO-214AC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	5,000	짐		200 v		1.1 v @ 1 a	2.5 µs	5 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
SZ3715.T2	0.1287	RFQ	9195	smc 다이오드 솔루션	-	쟁반	활동적인	± 5%	-40 ° C ~ 165 ° C (TJ)	표면 표면	주사위	SZ3715		3 w	주사위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0050	4,000					1.1 v @ 200 ma		1 µa @ 11.4 v									15 v	9 옴
GBU806G	0.9500	RFQ	5774	smc 다이오드 솔루션	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 에미	GBU806	기준		GBU	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	20					1.1 v @ 8 a		5 µa @ 600 v		8 a				단일 단일	600 v
GBU408	0.2949	RFQ	1302	smc 다이오드 솔루션	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 에미	GBU408	기준		GBU	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	20					1.1 v @ 4 a		5 µa @ 800 v		4 a				단일 단일	800 v
82CNQ030SL	22.3700	RFQ	2	smc 다이오드 솔루션	-	대부분	활동적인			표면 표면	prm2-sl	82CNQ	Schottky		prm2-sl	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	82CNQ030SLSMC	귀 99	8541.10.0080	100	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	30 v	40a	550 mV @ 40 a		5 ma @ 30 v	-55 ° C ~ 150 ° C
MBR1645	0.9400	RFQ	6	smc 다이오드 솔루션	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2		Schottky		TO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	1655-1033	귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		45 v		630 mv @ 16 a		1 ma @ 45 v	-55 ° C ~ 150 ° C	16A	1400pf @ 5V, 1MHz
MBRF4045CT	1.2800	RFQ	900	smc 다이오드 솔루션	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	MBRF4045	Schottky		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	30 v	-	550 mV @ 20 a		1 ma @ 30 v	-55 ° C ~ 150 ° C
1N4007	-	RFQ	5217	smc 다이오드 솔루션	-	컷 컷 (CT)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N400	기준		DO-41	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	짐		1000 v		1 V @ 1 a		5 µa @ 1000 v	-65 ° C ~ 125 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
20TQ035S	1.2600	RFQ	377	smc 다이오드 솔루션	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	20TQ	Schottky		D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		35 v		570 mV @ 20 a		2.7 ma @ 35 v	-55 ° C ~ 150 ° C	20A	683pf @ 5V, 1MHz
SZ3719.T	0.6725	RFQ	100	smc 다이오드 솔루션	-	쟁반	활동적인	± 5%	-40 ° C ~ 165 ° C	표면 표면	주사위	SZ3719		3 w	주사위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	1655-1787	귀 99	8541.10.0040	100					1.1 v @ 200 ma		1 µa @ 14.4 v									19 v	13 옴
1C754.T1	0.3542	RFQ	7381	smc 다이오드 솔루션	-	쟁반	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	주사위			500MW	주사위	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0050	400					1.1 v @ 200 ma		2 µa @ 4 v									6.8 v	5 옴
GBJ2506	1.3400	RFQ	311	smc 다이오드 솔루션	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 에미	GBJ2506	기준		GBJ	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	15					1.1 v @ 12.5 a		10 µa @ 600 v		25 a				단일 단일	600 v
SSTX304S	0.2600	RFQ	2	smc 다이오드 솔루션	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SSTX304		350 MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.21.0095	3,000											60 v	600 MA			10NA (ICBO)			pnp + 다이오드 (분리)	1.6V @ 50MA, 500MA	100 @ 150ma, 10MV	-
200cmq040	52.9162	RFQ	2993	smc 다이오드 솔루션	-	대부분	활동적인			섀시 섀시	PRM4	200cmq	Schottky		PRM4 (분리)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	200cmq040smc	귀 99	8541.10.0080	9	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	40 v	100A	540 mV @ 100 a		10 ma @ 40 v	-55 ° C ~ 150 ° C

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (2437)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²