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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
GBJ2501	0.8832	RFQ	7143	smc 다이오드 솔루션	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 에미	GBJ2501	기준		GBJ	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	15					1.1 v @ 12.5 a		10 µa @ 100 v		25 a		단일 단일	100 v
UG2KB20	0.1625	RFQ	3818	smc 다이오드 솔루션	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 에미	UG2KB20	기준		D3K	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	35					1.1 v @ 2 a		5 µa @ 200 v		2 a		단일 단일	200 v
GBPC2508W	2.6455	RFQ	2970	smc 다이오드 솔루션	-	테이프 & t (TB)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 스퀘어, GBPC-W	GBPC2508	기준		GBPC-W	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	100					1.1 v @ 12.5 a		5 µa @ 800 v		25 a		단일 단일	800 v
abs28	0.0729	RFQ	3402	smc 다이오드 솔루션	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개	abs28	기준		ABS	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	5,000					1 V @ 2 a		5 µa @ 800 v		2 a		단일 단일	800 v
SD175SC100A.T2	1.2806	RFQ	2488	smc 다이오드 솔루션	-	쟁반	활동적인			표면 표면	주사위	SD175	Schottky		주사위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0040	490	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		840 mV @ 30 a		750 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 200 ° C	30A	1200pf @ 5V, 1MHz
GBJ35005	1.0561	RFQ	5867	smc 다이오드 솔루션	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 에미	GBJ35005	기준		GBJ	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	15					1.1 v @ 35 a		5 µa @ 50 v		35 a		단일 단일	50 v
GBU1508	0.4678	RFQ	2132	smc 다이오드 솔루션	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 에미	GBU1508	기준		GBU	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	20					1.1 v @ 15 a		5 µa @ 800 v		15 a		단일 단일	800 v
GBJ1501	0.7797	RFQ	6513	smc 다이오드 솔루션	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 에미	GBJ1501	기준		GBJ	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	15					1.1 v @ 7.5 a		10 µa @ 100 v		15 a		단일 단일	100 v
GBJ2004	0.8320	RFQ	8616	smc 다이오드 솔루션	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 에미	GBJ2004	기준		GBJ	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	15					1.1 v @ 20 a		5 µa @ 400 v		20 a		단일 단일	400 v
UG6KB20	0.2532	RFQ	7106	smc 다이오드 솔루션	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 에미	UG6KB20	기준		D3K	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	35					1.1 v @ 6 a		5 µa @ 200 v		6 a		단일 단일	200 v
10TQ045	0.8200	RFQ	2	smc 다이오드 솔루션	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2	10TQ	Schottky		TO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	1655-10TQ045	귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		45 v		570 mV @ 10 a		2 ma @ 45 v	-55 ° C ~ 175 ° C	10A	900pf @ 5V, 1MHz
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SD175SA30A.T1	2.5267	RFQ	9192	smc 다이오드 솔루션	-	쟁반	활동적인			표면 표면	주사위	SD175	Schottky		주사위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0040	49	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		30 v		490 mV @ 30 a		4 ma @ 30 v	-55 ° C ~ 150 ° C	30A	2200pf @ 5V, 1MHz
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DSS120U	0.2700	RFQ	961	smc 다이오드 솔루션	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123F	DSS120	Schottky		SOD-123FL	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		900 mV @ 1 a		50 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	80pf @ 4V, 1MHz
S4D20120A	10.1200	RFQ	1	smc 다이오드 솔루션	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2	S4D2012	SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky		TO-220AC (TO-220-2)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	1655-S4D20120A	귀 99	8541.10.0080	50	복구 복구 복구 없음> 500ma (io)		1200 v		1.8 V @ 20 a	0 ns	40 µa @ 1200 v	-55 ° C ~ 175 ° C	20A	721pf @ 0V, 1MHz
SK34	0.4800	RFQ	7	smc 다이오드 솔루션	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	SK34	Schottky		SMC (DO-214AB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		630 MV @ 3 a		50 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	60pf @ 4V, 1MHz
BZT52C24S	0.1300	RFQ	178	smc 다이오드 솔루션	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.83%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZT52C		200 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	-1765-BZT52C24SCT	귀 99	8541.10.0050	15,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 16.8 v						24 v	70 옴
DB152S	0.1088	RFQ	2509	smc 다이오드 솔루션	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개	DB152	기준		DB-S	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	1,500					1.1 v @ 1.5 a		5 µa @ 100 v		1.5 a		단일 단일	100 v
SZ3716.T2	0.1287	RFQ	5672	smc 다이오드 솔루션	-	쟁반	활동적인	± 5%	-40 ° C ~ 165 ° C (TJ)	표면 표면	주사위	SZ3716		3 w	주사위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0050	4,000					1.1 v @ 200 ma		1 µa @ 12.2 v						16 v	10 옴
10BQ030	0.3800	RFQ	253	smc 다이오드 솔루션	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	10BQ	Schottky		SMB (DO-214AA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		30 v		420 MV @ 1 a		1 ma @ 30 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	200pf @ 5V, 1MHz
UG6KB80	0.2532	RFQ	9421	smc 다이오드 솔루션	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 에미	UG6KB80	기준		D3K	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	35					1.1 v @ 6 a		5 µa @ 800 v		6 a		단일 단일	800 v
S1K	0.0134	RFQ	4060	smc 다이오드 솔루션	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	S1K	기준		SMA (DO-214AC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	5,000	짐		800 v		1.1 v @ 1 a	2.5 µs	5 µa @ 800 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
MBR3045WTP	1.6100	RFQ	1	smc 다이오드 솔루션	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-247-3	MBR3045	Schottky		TO-247AD	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	25	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	45 v	-	700 mV @ 15 a		1 ma @ 45 v	-55 ° C ~ 150 ° C
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MBR20100CTP	0.8100	RFQ	2	smc 다이오드 솔루션	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	MBR20100	Schottky		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	1655-1037	귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	100 v	-	900 mV @ 10 a		1 ma @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C
SD125SC150B.T1	1.2164	RFQ	5295	smc 다이오드 솔루션	-	쟁반	활동적인			표면 표면	주사위	SD125	Schottky		주사위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0040	100	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		890 mV @ 15 a		500 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 200 ° C	15a	500pf @ 5V, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (2437)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²