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불연속 불연속 제품 (2437)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	현재 -홀드 (ih) (최대)	트리 트리 유형	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
241NQ045-1	37.6300	RFQ	2509	smc 다이오드 솔루션	-	대부분	활동적인			섀시 섀시	반 반	241NQ	Schottky		PRM1-1 (Half Pak 모듈)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	1655-1317	귀 99	8541.10.0080	27		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									45 v		690 mV @ 240 a		20 ma @ 45 v	-55 ° C ~ 175 ° C	240A	10300pf @ 5V, 1MHz
160cmq045	50.2400	RFQ	531	smc 다이오드 솔루션	-	대부분	활동적인			섀시 섀시	TO-249AA	160cmq	Schottky		TO-249AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	24		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								1 음극 음극 공통	45 v	80a	860 MV @ 80 a		5 ma @ 45 v	-55 ° C ~ 150 ° C
1SMA4744	0.4000	RFQ	8	smc 다이오드 솔루션	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA			1 W.	SMA (DO-214AC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0050	5,000													1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 11.4 v				15 v	14 옴
MBRD660	0.1467	RFQ	2166	smc 다이오드 솔루션	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	MBRD660	Schottky		DPAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	2,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									60 v		750 mv @ 6 a		1 ma @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	6A	400pf @ 5V, 1MHz
1N5400	-	RFQ	3049	smc 다이오드 솔루션	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	1N540	기준		Do-201ad	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,250		짐									50 v		1.2 v @ 3 a		5 µa @ 50 v	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	30pf @ 0V, 1MHz
FR102G	0.0323	RFQ	4616	smc 다이오드 솔루션	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	FR10	기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									100 v		1.3 v @ 1 a	150 ns	5 µa @ 70 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
MBRF1545	0.5500	RFQ	50	smc 다이오드 솔루션	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2 풀 -2, 분리 된 탭		Schottky		ITO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									45 v		700 mV @ 15 a		1 ma @ 45 v	-55 ° C ~ 150 ° C	15a	900pf @ 5V, 1MHz
MBRB2060CT	0.8900	RFQ	100	smc 다이오드 솔루션	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRB2060	Schottky		D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								1 음극 음극 공통	60 v	-	800 mV @ 10 a		1 ma @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C
UA1A	0.4400	RFQ	5	smc 다이오드 솔루션	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	UA1A	눈사태		SMA (DO-214AC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									50 v		1 V @ 1 a	50 ns	3 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
MBR1560CT	0.8700	RFQ	8807	smc 다이오드 솔루션	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	MBR1560	Schottky		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	1655-1031	귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								1 음극 음극 공통	60 v	-	800 mV @ 15 a		1 ma @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C
1N4744A	-	RFQ	5939	smc 다이오드 솔루션	-	컷 컷 (CT)	쓸모없는	± 5%	200 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향			1 W.	DO-41	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500													1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 11.4 v				15 v	14 옴
189NQ150R-1	27.4551	RFQ	4644	smc 다이오드 솔루션	-	대부분	활동적인			섀시 섀시	반 반	189NQ	Schottky		PRM1-1 (Half Pak 모듈)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	189NQ150R-1SMC	귀 99	8541.10.0080	27		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									150 v		1.07 V @ 180 a		4.5 ma @ 150 v	-55 ° C ~ 175 ° C	180a	4500pf @ 5V, 1MHz
SK18	0.0569	RFQ	2714	smc 다이오드 솔루션	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	SK18	Schottky		SMB (DO-214AA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									80 v		850 mv @ 1 a		500 µa @ 80 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	-
S3D40065D	11.5200	RFQ	300	smc 다이오드 솔루션	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-247-3	S3D40065	SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky		TO-247AD	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	300		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								1 음극 음극 공통	650 v	48a	1.7 V @ 20 a		50 µa @ 650 v	-55 ° C ~ 175 ° C
DSS24U	0.2300	RFQ	7056	smc 다이오드 솔루션	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123F		Schottky		SOD-123FL	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									40 v		550 mV @ 2 a		500 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	80pf @ 4V, 1MHz
S4D10120D	3.9600	RFQ	120	smc 다이오드 솔루션	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-247-3	S4D10120	SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky		TO-247AD	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	-1765-S4D10120D	귀 99	8541.10.0080	300		복구 복구 복구 없음> 500ma (io)								1 음극 음극 공통	1200 v	5a	1.8 V @ 5 a	0 ns	200 µa @ 1200 v	-55 ° C ~ 175 ° C
248NQ100-2	35.3600	RFQ	238	smc 다이오드 솔루션	-	대부분	활동적인			섀시 섀시	반 반	248NQ	Schottky		PRM1-1 (Half Pak 모듈)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	27		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									100 v		950 mV @ 240 a		6 ma @ 100 v	-55 ° C ~ 175 ° C	240A	5277pf @ 5V, 1MHz
MBRD360	0.4100	RFQ	154	smc 다이오드 솔루션	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	MBRD360	Schottky		DPAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	2,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									60 v		650 MV @ 3 a		1 ma @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	250pf @ 5V, 1MHz
SZ3716.T	0.6925	RFQ	100	smc 다이오드 솔루션	-	쟁반	활동적인	± 5%	-40 ° C ~ 165 ° C	표면 표면	주사위	SZ3716		3 w	주사위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	1655-1784	귀 99	8541.10.0040	100													1.1 v @ 200 ma		1 µa @ 12.2 v				16 v	10 옴
MBR3045CT	0.9700	RFQ	3	smc 다이오드 솔루션	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	MBR3045	Schottky		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	1655-1062	귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								1 음극 음극 공통	45 v	-	700 mV @ 15 a		1 ma @ 45 v	-55 ° C ~ 150 ° C
STB15200	0.9300	RFQ	203	smc 다이오드 솔루션	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	STB15200	Schottky		D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									200 v		1.1 v @ 15 a		160 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	-	-
1N5259	-	RFQ	6113	smc 다이오드 솔루션	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는	-	200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500													1.1 v @ 200 ma		100 na @ 30 v				39 v	80 옴
SD125SC150B.T1	1.2164	RFQ	5295	smc 다이오드 솔루션	-	쟁반	활동적인			표면 표면	주사위	SD125	Schottky		주사위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0040	100		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									150 v		890 mV @ 15 a		500 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 200 ° C	15a	500pf @ 5V, 1MHz
SD090SB45B.T	1.0424	RFQ	100	smc 다이오드 솔루션	-	쟁반	활동적인			표면 표면	주사위	SD090	Schottky		주사위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	1655-1760	귀 99	8541.10.0040	100		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									45 v		640 MV @ 7.5 a		200 ma @ 45 v	-55 ° C ~ 175 ° C	7.5A	400pf @ 5V, 1MHz
STF10100	0.7100	RFQ	798	smc 다이오드 솔루션	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2 풀 -2, 분리 된 탭		Schottky		ITO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									100 v		750 mv @ 10 a		300 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	-	462pf @ 5V, 1MHz
1N4005G	0.0318	RFQ	6594	smc 다이오드 솔루션	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N400	기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	1N4005GSMC	귀 99	8541.10.0080	5,000		짐									600 v		1 V @ 1 a		5 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8pf @ 4V, 1MHz
SST24B-800CW	1.8200	RFQ	993	smc 다이오드 솔루션	SST24	튜브	쓸모없는		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	SST24			TO-220B	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.30.0080	50	하나의		50 MA	기준	800 v	25 a	1.3 v	250A @ 50Hz	35 MA
30CTQ040	0.5652	RFQ	6864	smc 다이오드 솔루션	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	30CTQ	Schottky		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	30CTQ040SMC	귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								1 음극 음극 공통	40 v	15a	620 MV @ 15 a		1 ma @ 40 v	-55 ° C ~ 175 ° C
UF5402G	0.3900	RFQ	2	smc 다이오드 솔루션	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향		기준		Do-201ad	-		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1,250		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									200 v		1 V @ 3 a	35 ns	10 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	-
20ctq045	1.0900	RFQ	31	smc 다이오드 솔루션	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	20CTQ	Schottky		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	1655-20CTQ045	귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								1 음극 음극 공통	45 v	20A	800 mV @ 20 a		1 ma @ 45 v	-55 ° C ~ 150 ° C

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (2437)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²