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불연속 불연속 제품 (4657)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
RB551V-30-HF	0.0700	RFQ	5158	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-76, SOD-323	RB551V	Schottky		SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		20 v		470 mV @ 500 mA		100 µa @ 20 v	125 ° C (°)	500ma	-
ABC856A-HF	0.0506	RFQ	6851	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			250 MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-ABC856A-HFTR	귀 99	8541.21.0095	3,000											65 v	100 MA	15NA (ICBO)			650MV @ 5MA, 100MA	125 @ 2MA, 5V	100MHz
Czrer52C22-HF	-	RFQ	1948	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	0503 (1308 메트릭)	Czrer52c22		150 MW	0503 (1308 메트릭)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 17 v							22 v	55 옴
6A005-G	0.2312	RFQ	7318	comchip 기술	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	R-6, 축,		기준		R-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	500	짐		50 v		1 V @ 6 a		10 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 125 ° C	6A	100pf @ 4V, 1MHz
CZRQR52C11-HF	-	RFQ	6105	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	0402 (1006 메트릭)	CZRQR52		125 MW	0402	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 8.5 v							11 v	20 옴
CDBA140SL-G	-	RFQ	7096	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	CDBA140	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		310 mv @ 1 a		1 ma @ 40 v	125 ° C (°)	1A	-
SS515F-HF	0.1512	RFQ	2938	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	SS515	Schottky		smaf	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		850 mV @ 5 a		1 ma @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	300pf @ 4V, 1MHz
Curn105-HF	0.5200	RFQ	60	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	2-SMD,, 없음	Curn105	기준		1206/SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1000 v		1.7 V @ 1 a	75 ns		-65 ° C ~ 175 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
1N5256B-G	-	RFQ	3885	comchip 기술	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는	-	175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-1n5256B-GTB	귀 99	8541.10.0050	5,000					1.1 v @ 200 ma		100 na @ 23 v							30 v	49 옴
CDSV6-99SD-G	0.0869	RFQ	2625	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	CDSV6-99	기준		SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	2 연결 연결 시리즈	75 v	215MA (DC)	1.25 V @ 100 ma	4 ns	2.5 µa @ 75 v	150 ° C (°)
AES2HF-HF	0.1084	RFQ	9327	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	AES2HF	기준		smaf	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		500 v		1.7 V @ 2 a	35 ns	5 µa @ 500 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
Czrur52c12	0.0667	RFQ	5956	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음			150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 9 v							12 v	20 옴
RS3JB-HF	0.4700	RFQ	2	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	RS3J	기준		SMB/DO-214AA	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.3 v @ 3 a	250 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	40pf @ 4V, 1MHz
Czrer52c24	0.0810	RFQ	1541	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	0503 (1308 메트릭)	czrer52		150 MW	0503 (1308 메트릭)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 18 v							24 v	80 옴
ACDBA160-HF	0.0799	RFQ	3847	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	ACDBA160	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		700 mv @ 1 a		500 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	60pf @ 4V, 1MHz
CZRA4732-G	0.1550	RFQ	6690	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA 플랫 리드	CZRA4732		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,000					1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 1 v							4.7 v	8 옴
Czrnc55c15-g	-	RFQ	1956	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음			500MW	1206	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	5,000					1.5 v @ 200 ma		100 na @ 11 v							15 v	30 옴
CZRF52C11	0.0805	RFQ	6945	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRF52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 8.5 v							11 v	20 옴
MMSZ4712-HF	0.0476	RFQ	2452	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	MMSZ4712		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		10 na @ 21.2 v							28 v
CDST-56-G	0.0561	RFQ	7753	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CDST-56	기준		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	1 양극 양극 공통	70 v	200MA (DC)	1.25 V @ 150 mA	6 ns	2.5 µa @ 70 v	150 ° C (°)
ACDBAT340-HF	0.4100	RFQ	348	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	2010 (5025 5)	ACDBAT340	Schottky		2010 년 년	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		500 mV @ 3 a		500 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	3A	180pf @ 4V, 1MHz
ACZRA4750-HF	0.4800	RFQ	2678	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA 플랫 리드	ACZRA4750		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,000					1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 20.6 v							27 v	35 옴
CZRW5238B-G	0.0556	RFQ	5817	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	CZRW5238		350 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		3 µa @ 6.5 v							8.7 v	8 옴
CZRU52C33-HF	0.0621	RFQ	7589	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음	CZRU52C33		150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 25 v							33 v	80 옴
CZRB3033-G	-	RFQ	9835	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-	표면 표면	DO-214AA, SMB	CZRB3033		3 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 25.1 v							33 v	20 옴
CZRA4734-HF	0.1550	RFQ	9448	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA 플랫 리드	CZRA4734		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,000					1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 2 v							5.6 v	5 옴
MBR10150CT-HF	-	RFQ	5739	comchip 기술	-	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-3	MBR10150	Schottky		TO-220AB	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-MBR10150CT-HF	쓸모없는		50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	150 v	10A	870 mV @ 5 a		100 µa @ 150 v	175 ° C
CZRQR52C13-HF	-	RFQ	2643	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	0402 (1006 메트릭)	CZRQR52		125 MW	0402	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 10 v							13 v	25 옴
MBR2050CT-G	0.6088	RFQ	2321	comchip 기술	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	MBR2050	Schottky		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	50 v	20A	950 MV @ 20 a		100 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C
cdbur001a	-	RFQ	1554	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	2-SMD,, 없음		Schottky		0603/SOD-523F	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		30 v		1 v @ 100 ma		2 µa @ 25 v	125 ° C (°)	100ma	6pf @ 10V, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (4657)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²