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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
CZRL55C33-G Comchip Technology CZRL55C33-G -
RFQ
ECAD 5293 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 6.06% 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW SOD-80 최소값 - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CZRL55C33-GTR 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 24 v 33 v 80 옴
CZRV5246B-G Comchip Technology CZRV5246B-G 0.0595
RFQ
ECAD 1738 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -60 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 CZRV5246 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 12 v 16 v 17 옴
CZRB5367B-HF Comchip Technology CZRB5367B-HF 0.2401
RFQ
ECAD 1375 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB CZRB5367 5 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 32.7 v 43 v 20 옴
BAS21C-HF Comchip Technology BAS21C-HF 0.2500
RFQ
ECAD 25 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS21 기준 SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-BAS21C-HFTR 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 250 v 400MA (DC) 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 200 v 150 ° C (°)
AS1M-HF Comchip Technology AS1M-HF 0.3000
RFQ
ECAD 4 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA AS1M 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 5,000 1000 v 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
CDBU43 Comchip Technology cdbu43 0.0600
RFQ
ECAD 3783 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 없음 Schottky 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 4,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 1 v @ 200 ma 5 ns 500 na @ 25 v 125 ° C (°) 200ma 10pf @ 1v, 1MHz
CZRNC55C3V9-G Comchip Technology Czrnc55c3v9-g -
RFQ
ECAD 1382 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 500MW 1206 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 200 ma 2 µa @ 1 v 3.9 v 85 옴
DB103-G Comchip Technology DB103-G -
RFQ
ECAD 4801 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 에이프 (0.321 ", 8.15mm) DB103 기준 DB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 1 a 10 µa @ 200 v 1 a 단일 단일 200 v
CURA103-G Comchip Technology cura103-g 0.1170
RFQ
ECAD 5 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA cura103 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 200 v 150 ° C (°) 1A -
CDSU400B-HF Comchip Technology CDSU400B-HF 0.0552
RFQ
ECAD 2212 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 없음 CDSU400 기준 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 Q9122528 귀 99 8541.10.0070 4,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 80 v 1 v @ 100 ma 4 ns 100 na @ 80 v 125 ° C (°) 100ma 3pf @ 0.5V, 1MHz
CDBER0230L Comchip Technology CDBER0230L 0.0667
RFQ
ECAD 4277 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 0503 (1308 메트릭) CDBER0230 Schottky 0503/SOD-723F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 4,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 500 mV @ 200 mA 30 µa @ 10 v 125 ° C (°) 200ma -
CDBFR54 Comchip Technology CDBFR54 0.0805
RFQ
ECAD 8511 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 1005 (2512 25) Schottky 1005/SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 4,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 1 v @ 100 ma 5 ns 2 µa @ 25 v 125 ° C (°) 200ma 10pf @ 1v, 1MHz
ACZRC5341B-G Comchip Technology ACZRC5341B-G 0.9000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AB, SMC ACZRC5341 5 w DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 1 µa @ 3 v 6.2 v 1 옴
CDBA220-G Comchip Technology CDBA220-G -
RFQ
ECAD 7441 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AC, SMA CDBA220 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 500 mV @ 2 a 500 µa @ 20 v 125 ° C (°) 2A -
ES8CC-HF Comchip Technology ES8CC-HF 0.2291
RFQ
ECAD 2839 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC ES8C 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-ES8CC-HFTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 980 MV @ 8 a 35 ns 10 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 90pf @ 4V, 1MHz
CZRQR11VB-HF Comchip Technology CZRQR11VB-HF -
RFQ
ECAD 6917 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 0402 (1006 메트릭) CZRQR11 125 MW 0402/SOD-923F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8.4 v 11 v 18 옴
CDBA10CST0130L-HF Comchip Technology CDBA10CST0130L-HF 0.1370
RFQ
ECAD 9264 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 10-xfdfn Schottky DFN2510-10 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 641-CDBA10CST0130L-HFTR 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 4 독립 30 v 100MA (DC) 370 mV @ 10 ma 7 µa @ 10 v -55 ° C ~ 150 ° C
CDSER4448 Comchip Technology CDSER4448 0.0460
RFQ
ECAD 1788 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 0503 (1308 메트릭) 기준 0503/SOD-723F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 4,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 80 v 1 v @ 100 ma 9 ns 100 na @ 80 v 125 ° C (°) 125MA 9pf @ 0.5V, 1MHz
S2GB-HF Comchip Technology S2GB-HF 0.0863
RFQ
ECAD 9569 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB S2GB 기준 SMB/DO-214AA - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-S2GB-HFTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 400 v 1.1 v @ 2 a 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 25pf @ 4V, 1MHz
ACZRT55C5V1-G Comchip Technology ACZRT55C5V1-G 0.3700
RFQ
ECAD 719 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ACZRT55 350 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 2 v 5.1 v 60 옴
ACZRM5225B-HF Comchip Technology ACZRM5225B-HF 0.0610
RFQ
ECAD 7530 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123F ACZRM5225 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 50 µa @ 1 v 3 v 29 옴
CEFB101-G Comchip Technology CEFB101-G -
RFQ
ECAD 8244 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AA, SMB 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 875 mv @ 1 a 25 ns 5 µa @ 50 v 150 ° C (°) 1A -
CDBA160LR-HF Comchip Technology CDBA160LR-HF 0.1349
RFQ
ECAD 9518 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA CDBA160 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 550 mV @ 1 a 500 µa @ 60 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A 120pf @ 4V, 1MHz
CDBU00340-HF Comchip Technology CDBU00340-HF 0.3700
RFQ
ECAD 30 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 없음 CDBU00340 Schottky 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 4,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 370 mV @ 1 ma 1 µa @ 40 v 125 ° C (°) 30ma 1.5pf @ 1v, 1MHz
CMS04N06Y-HF Comchip Technology CMS04N06Y-HF 0.2002
RFQ
ECAD 2929 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA CMS04 MOSFET (금속 (() SOT-223 - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CMS04N06Y-HFTR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 4A (TA) 4.5V, 10V 100mohm @ 3a, 10V 2.5V @ 250µA 5.1 NC @ 4.5 v ± 20V 509 pf @ 15 v - 3.1W (TA)
CZRW55C5V1-G Comchip Technology CZRW55C5V1-G -
RFQ
ECAD 9796 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 CZRW55 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 2 v 5.1 v 60 옴
CZRER52C6V2 Comchip Technology Czrer52c6v2 -
RFQ
ECAD 6840 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 0503 (1308 메트릭) czrer52 150 MW 0503 (1308 메트릭) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 2 v 6.2 v 10 옴
CZRT5226B-HF Comchip Technology CZRT5226B-HF 0.0620
RFQ
ECAD 8717 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 CZRT5226 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CZRT5226B-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 25 µa @ 1 v 3.3 v 28 옴
CZRA4761-HF Comchip Technology CZRA4761-HF 0.1550
RFQ
ECAD 2578 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA CZRA4761 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CZRA4761-HFTR 귀 99 8541.10.0050 2,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 56 v 75 v 175 옴
CGRA4005-G Comchip Technology CGRA4005-G 0.0540
RFQ
ECAD 1123 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA CGRA4005 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고