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불연속 불연속 제품 (4657)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
CDBMT250-HF	-	RFQ	9170	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOD-123H		Schottky		SOD-123H	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		700 mv @ 2 a		500 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	160pf @ 4V, 1MHz
CZRB3019-HF	-	RFQ	1994	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB			3 w	SMB/DO-214AA	다운로드				641-CZRB3019-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 14.4 v							19 v	7 옴
CZRU52C8V2	0.3300	RFQ	24	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음	CZRU52C8V2		150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 6 v							8.2 v	7 옴
CDBMH340-HF	-	RFQ	3260	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOD-123T	CDBMH340	Schottky		SOD-123T	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		500 mV @ 3 a		200 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	3A	-
MBR20200CGD-HF	0.8213	RFQ	2968	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBR20200	Schottky		To-263 (d²pak)	-		1 (무제한)		641-MBR20200CGD-HFTR			800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	200 v	20A	920 MV @ 10 a		50 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 175 ° C
1N5266B-G	-	RFQ	5350	comchip 기술	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는	-	175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-1n5266B-GTB	귀 99	8541.10.0050	5,000					1.1 v @ 200 ma		100 na @ 52 v							68 v	230 옴
BC858CW-G	0.0450	RFQ	6388	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	BC858		150 MW	SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000											30 v	100 MA	15NA (ICBO)			PNP	650MV @ 5MA, 100MA	420 @ 2MA, 5V	100MHz
CZRA4759-HF	0.1550	RFQ	1025	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	CZRA4759		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CZRA4759-HFTR	귀 99	8541.10.0050	2,000					1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 47.1 v							62 v	125 옴
CZRC5374B-HF	-	RFQ	5329	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AB, SMC			5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드				641-CZRC5374B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 1 a		500 NA @ 56 v							75 v	45 옴
CZRB5364B-HF	0.6200	RFQ	75	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	CZRB5364		5 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 25.1 v							33 v	10 옴
CDBFR0240-HF	-	RFQ	9461	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	2-SMD,, 리드	CDBFR0240	Schottky		1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		40 v		550 mV @ 200 mA		10 µa @ 30 v	125 ° C (°)	200ma	9pf @ 10V, 1MHz
CDSER4448	0.0460	RFQ	1788	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	0503 (1308 메트릭)		기준		0503/SOD-723F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		80 v		1 v @ 100 ma	9 ns	100 na @ 80 v	125 ° C (°)	125MA	9pf @ 0.5V, 1MHz
BC857B-HF	0.0529	RFQ	2766	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC857		250 MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000											45 v	100 MA				PNP	650MV @ 5MA, 100MA	125 @ 2.2ma, 5V	100MHz
ABZT52C4V3-HF	0.0690	RFQ	2625	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.98%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	ABZT52		500MW	SOD-123	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-ABZT52C4V3-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		3 µa @ 1 v							4.3 v	90 옴
CZRQR24VB-HF	-	RFQ	4371	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 3%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	0402 (1006 메트릭)	CZRQR24		125 MW	0402/SOD-923F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 18 v							24 v	62 옴
AMMSZ5239B-HF	0.0725	RFQ	4514	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	AMMSZ5239		500MW	SOD-123	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-AMMSZ5239B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		3 µa @ 7 v							9.1 v	10 옴
CDBD660-G	-	RFQ	2511	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		Schottky		DPAK	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		750 mv @ 6 a		500 µa @ 60 v	-50 ° C ~ 150 ° C	6A	-
CDBC240SLR-HF	-	RFQ	2147	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AB, SMC		Schottky		DO-214AB (SMC)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		400 mV @ 2 a		500 µa @ 40 v	-50 ° C ~ 150 ° C	2A	30pf @ 4V, 1MHz
ACZRW5227B-G	0.0556	RFQ	2216	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123F	ACZRW5227		350 MW	SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		15 µa @ 1 v							3.6 v	24 옴
CZRT5235B-G	0.0476	RFQ	1664	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CZRT5235		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		3 µa @ 5 v							6.8 v	5 옴
FR103B-G	0.0536	RFQ	9457	comchip 기술	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향		기준		DO-41	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-FR103B-G	귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1.3 v @ 1 a	150 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	25pf @ 4V, 1MHz
CZRFR52C5V6-HF	0.0805	RFQ	9874	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRFR52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 1 v							5.6 v	40
CDBC2100LR-HF	0.2248	RFQ	7232	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	CDBC2100	Schottky		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		750 mv @ 2 a		500 µa @ 100 v	-50 ° C ~ 150 ° C	2A	30pf @ 4V, 1MHz
CZRB3009-G	-	RFQ	2637	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-	표면 표면	DO-214AA, SMB	CZRB3009		3 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.5 v @ 200 ma		50 µa @ 7 v							9.1 v	2.4 옴
SB260E-G	0.1089	RFQ	8994	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	SB260	Schottky		DO-15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	4,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		700 mv @ 2 a		500 µa @ 60 v	-65 ° C ~ 125 ° C	2A	-
CDBD10200-HF	-	RFQ	2651	comchip 기술	-	대부분	쓸모없는			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		Schottky		D2PAK	-		1 (무제한)		641-CDBD10200-HF	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	200 v	10A	1 V @ 5 a		500 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C
US5JB-HF	0.1783	RFQ	4479	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	US5J	기준		SMB/DO-214AA	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-US5JB-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.68 V @ 5 a	75 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	-
Czrer52C11-HF	-	RFQ	4197	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	0503 (1308 메트릭)	Czrer52c11		150 MW	0503 (1308 메트릭)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 8.5 v							11 v	20 옴
Czrer52c22	0.0810	RFQ	2108	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	0503 (1308 메트릭)	czrer52		150 MW	0503 (1308 메트릭)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 17 v							22 v	55 옴
ACZRA4758-HF	0.1711	RFQ	7643	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	ACZRA4758		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,000					1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 42.6 v							56 v	110 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (4657)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²