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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
CZRT5256B-HF Comchip Technology CZRT5256B-HF 0.0620
RFQ
ECAD 2942 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 CZRT5256 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CZRT5256B-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 23 v 30 v 49 옴
CFRB207-G Comchip Technology CFRB207-G 0.4100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB CFRB207 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 V @ 2 a 500 ns 5 µa @ 1000 v 150 ° C (°) 2A -
CZRFR52C9V1-HF Comchip Technology CZRFR52C9V1-HF 0.0805
RFQ
ECAD 2961 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 1005 (2512 25) CZRFR52 200 MW 1005/SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 7 v 9.1 v 10 옴
CZRF52C5V6-HF Comchip Technology CZRF52C5V6-HF 0.0805
RFQ
ECAD 7071 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 1005 (2512 25) CZRF52 200 MW 1005/SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 1 v 5.6 v 40
CDBM280-G Comchip Technology CDBM280-G -
RFQ
ECAD 8454 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOD-123T Schottky SMA/SOD-123 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 80 v 850 mv @ 2 a 500 µa @ 80 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 160pf @ 4V, 1MHz
CZRQR6V2B-HF Comchip Technology czrqr6v2b-hf -
RFQ
ECAD 1873 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 0402 (1006 메트릭) CZRQR6 125 MW 0402 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 4 v 6.2 v 10 옴
CZRER52C24 Comchip Technology Czrer52c24 0.0810
RFQ
ECAD 1541 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 0503 (1308 메트릭) czrer52 150 MW 0503 (1308 메트릭) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 18 v 24 v 80 옴
CDBA3100-HF Comchip Technology CDBA3100-HF 0.5800
RFQ
ECAD 162 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA CDBA3100 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 810 mV @ 3 a 500 µa @ 100 v -50 ° C ~ 150 ° C 3A 250pf @ 4V, 1MHz
ACGRA4002-HF Comchip Technology ACGRA4002-HF 0.3800
RFQ
ECAD 10 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA ACGRA4002 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 5,000 100 v 1.1 v @ 1 a 2.5 µs 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 2.5pf @ 4V, 1MHz
ACZRC5382B-G Comchip Technology ACZRC5382B-G 0.3480
RFQ
ECAD 5786 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AB, SMC ACZRC5382 5 w DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 106 v 140 v 230 옴
BZT52C11-HF Comchip Technology BZT52C11-HF 0.0476
RFQ
ECAD 1645 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-BZT52C11-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 11 v 20 옴
CMS16N06D-HF Comchip Technology CMS16N06D-HF 0.7600
RFQ
ECAD 121 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 CMS16 MOSFET (금속 (() D-PAK (TO-252) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 4.4A (TA), 16A (TC) 4.5V, 10V 50mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 815 pf @ 15 v - 2W (TA), 27W (TC)
SB540B-G Comchip Technology SB540B-G 0.4000
RFQ
ECAD 9913 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SB540 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 5 a 500 µa @ 40 v -65 ° C ~ 125 ° C 5a 350pf @ 4V, 1MHz
RS2AB-HF Comchip Technology RS2AB-HF 0.0828
RFQ
ECAD 6000 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB RS2A 기준 SMB/DO-214AA - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-RS2AB-HFTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 V @ 2 a 150 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 28pf @ 4V, 1MHz
CDBMT230L-HF Comchip Technology CDBMT230L-HF 0.1797
RFQ
ECAD 2095 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123H CDBMT230 Schottky SOD-123H 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 400 mV @ 2 a 1 ma @ 30 v -55 ° C ~ 100 ° C 2A 160pf @ 4V, 1MHz
CFRA101-G Comchip Technology CFRA101-g 0.0840
RFQ
ECAD 4644 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA CFRA101 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 50 v 150 ° C (°) 1A -
CZRC5370B-HF Comchip Technology CZRC5370B-HF -
RFQ
ECAD 2535 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 5 w DO-214AB (SMC) 다운로드 641-CZRC5370B-HFTR 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 42.6 v 56 v 35 옴
ACZRM5240B-HF Comchip Technology ACZRM5240B-HF 0.0610
RFQ
ECAD 8019 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123F ACZRM5240 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 3 µa @ 8 v 10 v 17 옴
CZRB3006-G Comchip Technology CZRB3006-G -
RFQ
ECAD 3354 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% - 표면 표면 DO-214AA, SMB CZRB3006 3 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.5 v @ 200 ma 50 µa @ 4 v 6.8 v 2 옴
US1BWF-HF Comchip Technology US1BWF-HF 0.0690
RFQ
ECAD 8160 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F US1B 기준 SOD-123F - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-US1BWF-HFTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
CZRW5227B-G Comchip Technology CZRW5227B-G 0.0506
RFQ
ECAD 4935 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 CZRW5227 350 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 15 µa @ 1 v 3.6 v 24 옴
AMMSZ5260B-HF Comchip Technology AMMSZ5260B-HF 0.0725
RFQ
ECAD 5919 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 AMMSZ5260 500MW SOD-123 - rohs 준수 641-AMMSZ5260B-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 33 v 43 v 93 옴
CDBT-40-G Comchip Technology CDBT-40-G 0.0621
RFQ
ECAD 5128 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 CDBT-40 Schottky SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 1 v @ 40 ma 5 ns 200 na @ 30 v 125 ° C (°) 200ma 5pf @ 0V, 1MHz
CDBF0340-HF Comchip Technology CDBF0340-HF 0.0760
RFQ
ECAD 9436 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 1005 (2512 25) CDBF0340 Schottky 1005/SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 600 mv @ 200 ma 6.4 ns 5 µa @ 30 v 125 ° C (°) 350ma 50pf @ 0V, 1MHz
CDBUR0230R Comchip Technology CDBUR0230R 0.4300
RFQ
ECAD 121 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 없음 CDBUR0230 Schottky 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 4,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 600 mv @ 200 ma 1 µa @ 10 v -40 ° C ~ 125 ° C 200ma -
CDBD20100-G Comchip Technology CDBD20100-G 1.0500
RFQ
ECAD 4641 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB CDBD20100 Schottky D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 20A (DC) 850 mv @ 10 a 500 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C
CZRB5347B-HF Comchip Technology CZRB5347B-HF 0.6200
RFQ
ECAD 702 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB CZRB5347 5 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 7.6 v 10 v 2 옴
ACDBA260LR-HF Comchip Technology ACDBA260LR-HF 0.4700
RFQ
ECAD 8374 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA ACDBA260 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 550 mV @ 2 a 500 µa @ 60 v -50 ° C ~ 150 ° C 2A 150pf @ 4V, 1MHz
CMS15P03Q8A-HF Comchip Technology CMS15P03Q8A-HF -
RFQ
ECAD 5892 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOP - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CMS15P03Q8A-HFTR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 15A (TC) 4.5V, 10V 12mohm @ 12a, 10V 2.5V @ 250µA 21.5 nc @ 4.5 v ± 20V 2129 pf @ 15 v - 1.5W (TA), 4.5W (TC)
CZRER52C8V2-HF Comchip Technology Czrer52c8v2-Hf -
RFQ
ECAD 9614 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 0503 (1308 메트릭) 150 MW 0503 (1308 메트릭) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 6 v 8.2 v 7 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고