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불연속 불연속 제품 (4657)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 25 ° C. rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic 주파수 - 전환
CMSBN4616-HF Comchip Technology CMSBN4616-HF 0.3169
RFQ
 ECAD 8224 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMSBN4616 MOSFET (금속 (() 1.5W (TA) CSPB1515-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 8A (TA) 18mohm @ 3a, 4.5v 1.3V @ 250µA 8.8nc @ 4.5v - -
MMSZ4701-HF Comchip Technology MMSZ4701-HF 0.0476
RFQ
 ECAD 9270 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 MMSZ4701 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 10.6 v 14 v
CDBV3-70A-G Comchip Technology CDBV3-70A-G -
RFQ
 ECAD 2016 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 표면 표면 SC-70, SOT-323 Schottky SOT-323 - 641-CDBV3-70A-GTR 귀 99 8541.10.0070 1 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 양극 양극 공통 70 v 70MA (DC) 1 V @ 15 ma 5 ns 100 na @ 50 v -40 ° C ~ 150 ° C
ABZT52B30-HF Comchip Technology ABZT52B30-HF 0.0690
RFQ
 ECAD 4170 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 ABZT52 500MW SOD-123 - rohs 준수 641-ABZT52B30-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 45 na @ 21 v 30 v 80 옴
MMBZ5261A-HF Comchip Technology MMBZ5261A-HF 0.0556
RFQ
 ECAD 2102 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5261 350 MW SOT-23-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 641-MMBZ5261A-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 100 ma 100 na @ 36 v 47 v 105 옴
MBR2080CT-G Comchip Technology MBR2080CT-G 0.6088
RFQ
 ECAD 1645 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR2080 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 80 v 20A 950 MV @ 20 a 100 µa @ 80 v -55 ° C ~ 150 ° C
MMSZ5250B-HF Comchip Technology MMSZ5250B-HF 0.0487
RFQ
 ECAD 4509 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 MMSZ5250 500MW SOD-123 - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-MMSZ5250B-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 15 v 20 v 25 옴
CDBB3100-HF Comchip Technology CDBB3100-HF 0.5000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB CDBB3100 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 810 mV @ 3 a 500 µa @ 100 v -40 ° C ~ 70 ° C 3A 250pf @ 4V, 1MHz
CZRUR52C13 Comchip Technology Czrur52c13 0.0667
RFQ
 ECAD 4670 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 150 MW 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 10 v 13 v 25 옴
BZT52B4V7-HF Comchip Technology BZT52B4V7-HF 0.0418
RFQ
 ECAD 5631 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52 500MW SOD-123 - 1 (무제한) 641-BZT52B4V7-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 2.7 µa @ 2 v 4.7 v 75 옴
ACZRC5375B-G Comchip Technology ACZRC5375B-G 0.3480
RFQ
 ECAD 5117 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AB, SMC ACZRC5375 5 w DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 62.2 v 82 v 65 옴
CZRFR52C2 Comchip Technology CZRFR52C2 0.0805
RFQ
 ECAD 4251 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 1005 (2512 25) CZRFR52 200 MW 1005/SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 µa @ 1 v 2 v 100 옴
CZRV5250B-G Comchip Technology CZRV5250B-G 0.0595
RFQ
 ECAD 5249 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -60 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 CZRV5250 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 15 v 20 v 25 옴
CZRC5386B-HF Comchip Technology CZRC5386B-HF -
RFQ
 ECAD 6556 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 5 w DO-214AB (SMC) 다운로드 641-CZRC5386B-HFTR 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 137 v 180 v 430 옴
ES1AWF-HF Comchip Technology es1awf-hf 0.0690
RFQ
 ECAD 7773 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F ES1A 기준 SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-es1awf-hftr 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1 V @ 1 a 35 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
SS315BF-HF Comchip Technology SS315BF-HF 0.1116
RFQ
 ECAD 5681 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-221AA, SMB 플랫 리드 SS315 Schottky SMBF 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 3 a 300 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 400pf @ 4V, 1MHz
CDBA2100-G Comchip Technology CDBA2100-G 0.4200
RFQ
 ECAD 144 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA CDBA2100 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mv @ 2 a 500 µa @ 100 v 125 ° C (°) 2A -
CDBMH260-HF Comchip Technology CDBMH260-HF -
RFQ
 ECAD 4981 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 표면 표면 SOD-123T Schottky SOD-123T 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 2 a 200 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 160pf @ 4V, 1MHz
CZRC5381B-G Comchip Technology CZRC5381B-G -
RFQ
 ECAD 5536 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 5 w DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CZRC5381B-GTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 98.8 v 130 v 190 옴
US8AC-HF Comchip Technology US8AC-HF 0.2501
RFQ
 ECAD 3678 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC US8A 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-US8AC-HFTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1 V @ 8 a 50 ns 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 65pf @ 4V, 1MHz
CFRMT102-HF Comchip Technology CFRMT102-HF -
RFQ
 ECAD 6078 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 표면 표면 SOD-123H 기준 SOD-123H 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
CZRC5348B-HF Comchip Technology CZRC5348B-HF -
RFQ
 ECAD 2889 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 5 w DO-214AB (SMC) 다운로드 641-CZRC5348B-HFTR 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 1 a 5 µa @ 8.4 v 11 v 2.5 옴
CDBB560-G Comchip Technology CDBB560-G 0.2248
RFQ
 ECAD 2641 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 DO-214AA, SMB CDBB560 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 5 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 125 ° C 5a 210pf @ 4V, 1MHz
CURB202-G Comchip Technology Curb202-G 0.1442
RFQ
 ECAD 3487 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB Curb202 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1 V @ 2 a 50 ns 5 µa @ 100 v 150 ° C (°) 2A -
CZRQC30VB-HF Comchip Technology CZRQC30VB-HF 0.0652
RFQ
 ECAD 5196 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 0402 (1006 메트릭) CZRQC30 125 MW 0402C/SOD-923F - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CZRQC30VB-HFTR 귀 99 8541.10.0050 5,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 23 v 30 v 78 옴
CDSW4448-G Comchip Technology CDSW4448-G 0.3300
RFQ
 ECAD 43 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 CDSW4448 기준 SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 75 v 1.25 V @ 150 mA 4 ns 2.5 µa @ 75 v 125 ° C (°) 500ma 4pf @ 0V, 1MHz
CDSU4148 Comchip Technology CDSU4148 0.3400
RFQ
 ECAD 851 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 없음 CDSU4148 기준 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 4,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 75 v 1 V @ 50 ma 4 ns 2.5 µa @ 75 v -40 ° C ~ 125 ° C 150ma 4pf @ 0V, 1MHz
CDBUR0230L Comchip Technology CDBUR0230L 0.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 없음 CDBUR0230 Schottky 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 4,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 500 mV @ 200 mA 30 µa @ 10 v 125 ° C (°) 200ma -
CGRA4006-G Comchip Technology CGRA4006-G 0.0540
RFQ
 ECAD 9832 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA CGRA4006 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
BC858C-HF Comchip Technology BC858C-HF 0.0434
RFQ
 ECAD 9794 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC858 250 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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