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불연속 불연속 제품 (4657)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
UF4006-G	-	RFQ	7299	comchip 기술	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	UF4006	기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												600 v	1.7 V @ 1 a	75 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
1SS389-HF	-	RFQ	5410	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-79, SOD-523		Schottky		SOD-523	다운로드				641-1SS389-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도												10 v	500 mV @ 100 ma		20 µa @ 10 v	125 ° C	100ma	20pf @ 0V, 1MHz
Czrer52C36-HF	-	RFQ	6217	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	0503 (1308 메트릭)			150 MW	0503 (1308 메트릭)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000														900 mV @ 10 ma		100 na @ 27 v				36 v	90 옴
CFRM103-HF	-	RFQ	4997	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOD-123T	CFRM103	기준		SMA/SOD-123	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	2,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												200 v	1.3 v @ 1 a	150 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
HER304GT-G	0.2463	RFQ	7636	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-201AA, DO-27, 축 방향	HER304	기준		DO-27	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,200	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												300 v	1 V @ 3 a	50 ns	5 µa @ 300 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
cur803-g	-	RFQ	9406	comchip 기술	-	대부분	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-2	cur80	기준		TO-220AC	-	Rohs3 준수			641-cur803-g	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												200 v	1 V @ 8 a	60 ns	10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	40pf @ 4V, 1MHz
CZRB3160-G	-	RFQ	6728	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-	표면 표면	DO-214AA, SMB	CZRB3160		3 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000														1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 121.6 v				160 v	625 옴
Czrur4v3b-Hf	0.0680	RFQ	3289	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 3%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음	Czrur4v3		150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000														900 mV @ 10 ma		5 µa @ 1 v				4.3 v	88 옴
CDBA140LL-HF	0.5000	RFQ	44	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	CDBA140	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												40 v	350 mV @ 1 a		1 ma @ 40 v	-50 ° C ~ 100 ° C	1A	130pf @ 4V, 1MHz
1N4004-G	0.2100	RFQ	586	comchip 기술	-	컷 컷 (CT)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4004	기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	짐												400 v	1.1 v @ 1 a		5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
CZRB5363B-HF	0.2401	RFQ	5639	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	CZRB5363		5 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000														1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 22.8 v				30 v	8 옴
CZRC5358B-HF	-	RFQ	3614	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AB, SMC			5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드				641-CZRC5358B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	1														1.2 v @ 1 a		500 NA @ 16.7 v				22 v	3.5 옴
CZRC5351B-G	-	RFQ	4951	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AB, SMC			5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CZRC5351B-GTR	귀 99	8541.10.0050	3,000														1.2 v @ 1 a		1 µa @ 10.6 v				14 v	2.5 옴
CZRSC55C5V1-G	-	RFQ	7909	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-	표면 표면	0805 (2012 5)			500MW	0805	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	5,000														1.5 v @ 200 ma		100 na @ 12.2 v				5.1 v	50 옴
CDST-21-G	-	RFQ	3272	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		기준		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도												250 v	1.25 V @ 200 ma	50 ns	1 µa @ 200 v	150 ° C (°)	200ma	5pf @ 0V, 1MHz
CZRC5377B-HF	-	RFQ	1073	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AB, SMC			5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드				641-CZRC5377B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	1														1.2 v @ 1 a		500 NA @ 69.2 v				91 v	75 옴
CZRFR9V1B-HF	-	RFQ	2594	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 3%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRFR9		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000														900 mV @ 10 ma		100 na @ 7 v				9.1 v	10 옴
CDBFN140-HF	0.4400	RFQ	2	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-90, SOD-323F	CDBFN140	Schottky		SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												40 v	550 mV @ 1 a		500 µa @ 40 v	-50 ° C ~ 125 ° C	1A	120pf @ 4V, 1MHz
Czrur52c20	0.0667	RFQ	7764	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음			150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000														900 mV @ 10 ma		100 na @ 15 v				20 v	50 옴
MMSZ5247B-HF	0.0487	RFQ	2111	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	MMSZ5247		500MW	SOD-123	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-MMSZ5247B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000														900 mV @ 10 ma		100 na @ 13 v				17 v	19 옴
ACDBQC70-HF	0.3500	RFQ	2	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	0402 (1006 메트릭)		Schottky		0402C/SOD-923F	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0070	5,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도												70 v	1 V @ 15 ma	5 ns	100 na @ 50 v	-65 ° C ~ 125 ° C	70ma	2pf @ 1v, 1MHz
CGRMT4001-HF	-	RFQ	3044	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOD-123H	CGRMT4001	기준		SOD-123H	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	짐												50 v	1.1 v @ 1 a		5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
ACFRA105-HF	0.0958	RFQ	1066	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	ACFRA105	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-ACFRA105-HFTR	귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												600 v	1.3 v @ 1 a	250 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	12pf @ 4V, 1MHz
BZT52C75-HF	0.0476	RFQ	5069	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-BZT52C75-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000														900 mV @ 10 ma		45 NA @ 52.5 v				75 v	255 옴
CZRFR52C33	0.0805	RFQ	5756	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRFR52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000														900 mV @ 10 ma		100 na @ 25 v				33 v	80 옴
CZRF52C16-HF	0.0805	RFQ	4243	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRF52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000														900 mV @ 10 ma		100 na @ 12 v				16 v	40
1N5239B-G	-	RFQ	2785	comchip 기술	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는	-	175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-1n5239B-GTB	귀 99	8541.10.0050	5,000														1.1 v @ 200 ma		3 µa @ 7 v				9.1 v	10 옴
ACZRW5254B-HF	0.0511	RFQ	9041	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			350 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-Aczrw5254B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000														900 mV @ 10 ma		100 na @ 21 v				27 v	41 옴
CZRFR39VB-HF	-	RFQ	1884	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRFR39		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000														900 mV @ 10 ma		100 na @ 30 v				39 v	130 옴
CMS70N10H8-HF	-	RFQ	5525	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	CMS70	MOSFET (금속 (()		DFN5X6 (PR-PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CMS70N10H8-HFTR	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	100 v	70A (TC)	4.5V, 10V	6.5mohm @ 20a, 10V	2.5V @ 250µA	58.2 NC @ 10 v	+20V, -12V	4570 pf @ 25 v	-	2W (TA), 142W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (4657)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²