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불연속 불연속 제품 (4657)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
CZRT5230B-HF	0.0620	RFQ	3907	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CZRT5230		350 MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		5 µa @ 2 v							4.7 v	19 옴
ACZRA4758-HF	0.1711	RFQ	7643	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	ACZRA4758		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,000					1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 42.6 v							56 v	110 옴
CZRB3009-G	-	RFQ	2637	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-	표면 표면	DO-214AA, SMB	CZRB3009		3 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.5 v @ 200 ma		50 µa @ 7 v							9.1 v	2.4 옴
FR103B-G	0.0536	RFQ	9457	comchip 기술	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향		기준		DO-41	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-FR103B-G	귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1.3 v @ 1 a	150 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	25pf @ 4V, 1MHz
ACZRW5227B-G	0.0556	RFQ	2216	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123F	ACZRW5227		350 MW	SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		15 µa @ 1 v							3.6 v	24 옴
US5JB-HF	0.1783	RFQ	4479	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	US5J	기준		SMB/DO-214AA	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-US5JB-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.68 V @ 5 a	75 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	-
CDBC2100LR-HF	0.2248	RFQ	7232	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	CDBC2100	Schottky		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		750 mv @ 2 a		500 µa @ 100 v	-50 ° C ~ 150 ° C	2A	30pf @ 4V, 1MHz
Czrer52c22	0.0810	RFQ	2108	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	0503 (1308 메트릭)	czrer52		150 MW	0503 (1308 메트릭)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 17 v							22 v	55 옴
CDBD10200-HF	-	RFQ	2651	comchip 기술	-	대부분	쓸모없는			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		Schottky		D2PAK	-		1 (무제한)		641-CDBD10200-HF	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	200 v	10A	1 V @ 5 a		500 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C
CZRFR52C5V6-HF	0.0805	RFQ	9874	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRFR52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 1 v							5.6 v	40
Czrer52C11-HF	-	RFQ	4197	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	0503 (1308 메트릭)	Czrer52c11		150 MW	0503 (1308 메트릭)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 8.5 v							11 v	20 옴
Czrer52c6v2-Hf	-	RFQ	2983	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	0503 (1308 메트릭)			150 MW	0503 (1308 메트릭)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 2 v							6.2 v	10 옴
MMSZ4680-HF	0.0476	RFQ	2204	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	MMSZ4680		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		4 µa @ 1 v							2.2 v
CZRFR52C11-HF	0.0805	RFQ	2772	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRFR52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 8.5 v							11 v	20 옴
S2G-HF	0.0621	RFQ	5796	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	S2G	기준		DO-214AC (SMA)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-S2G-HFTR	귀 99	8541.10.0080	5,000	짐		400 v		1.1 v @ 2 a		5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	25pf @ 4V, 1MHz
CURM107-G	-	RFQ	9955	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOD-123T		기준		SMA/SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1000 v		1.7 V @ 1 a	75 ns	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	20pf @ 4V, 1MHz
BAV20W-HF	0.2700	RFQ	3	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123		기준		SOD-123	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		200 v		1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 na @ 150 v	-65 ° C ~ 150 ° C	200ma	5pf @ 0V, 1MHz
CEFB202-G	-	RFQ	4892	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AA, SMB		기준		DO-214AA (SMB)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		875 mv @ 2 a	25 ns	5 µa @ 100 v	150 ° C (°)	2A	-
CZRW4693-G	-	RFQ	2408	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			350 MW	SOD-123	다운로드				641-CZRW4693-GTR	귀 99	8541.10.0050	1					900 mV @ 10 ma		10 µa @ 5.7 v							7.5 v
Czrer52C27-HF	-	RFQ	6671	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	0503 (1308 메트릭)	Czrer52c27		150 MW	0503 (1308 메트릭)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 20 v							27 v	80 옴
CZRB3030-G	-	RFQ	1806	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-	표면 표면	DO-214AA, SMB	CZRB3030		3 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 22.5 v							30 v	16 옴
ACDBQC0540L-HF	0.3200	RFQ	3186	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	0402 (1006 메트릭)	ACDBQC0540	Schottky		0402C/SOD-923F	-		1 (무제한)					5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		480 mV @ 500 mA		40 V @ 40 v	-55 ° C ~ 150 ° C	500ma	105pf @ 0v, 1MHz
ACZRW5230B-HF	0.0511	RFQ	4489	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			350 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-Aczrw5230B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		5 µa @ 2 v							4.7 v	19 옴
CEFB204-G	-	RFQ	3253	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AA, SMB	CEFB204	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.1 v @ 2 a	35 ns	5 µa @ 400 v	150 ° C (°)	2A	-
ACDBMS240-HF	0.3700	RFQ	2	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123F		Schottky		SOD-123F	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		520 MV @ 2 a		500 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	2A	180pf @ 4V, 1MHz
US2B-HF	0.0662	RFQ	2336	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	US2B	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-US2B-HFTR	귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		1 V @ 2 a	50 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
BZX84C7V5CC-HF	0.0492	RFQ	9449	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84C7		350 MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-BZX84C7V5CC-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 a		1 µa @ 5 v							7.5 v	15 옴
CZRFR52C22	0.0805	RFQ	4770	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRFR52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 17 v							22 v	55 옴
CDBJFSC3650-G	1.9300	RFQ	471	comchip 기술	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2 풀 -2	CDBJFSC3650	SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky		TO-220F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	50	복구 복구 복구 없음> 500ma (io)		650 v		1.7 V @ 3 a	0 ns	100 µa @ 650 v	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	190pf @ 0v, 1MHz
BC856CW-G	0.0450	RFQ	8330	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	BC856		150 MW	SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000											65 v	100 MA	15NA (ICBO)			PNP	650MV @ 5MA, 100MA	220 @ 2MA, 5V	100MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (4657)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²