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불연속 불연속 제품 (4657)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
CDBQR70-HF Comchip Technology CDBQR70-HF 0.3900
RFQ
 ECAD 371 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 표면 표면 0402 (1005 메트릭) CDBQR70 Schottky 0402/SOD-923F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 5,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 70 v 1 V @ 15 ma 5 ns 100 na @ 50 v 125 ° C (°) 70ma 2pf @ 0V, 1MHz
CGRA4004-HF Comchip Technology CGRA4004-HF 0.0540
RFQ
 ECAD 3609 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA CGRA4004 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CGRA4004-HFTR 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.1 v @ 3 a 50 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
MBRF3060CT-HF Comchip Technology MBRF3060CT-HF -
RFQ
 ECAD 1950 0.00000000 comchip 기술 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBRF3060 Schottky ITO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-MBRF3060CT-HF 쓸모없는 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 30A 750 mV @ 15 a 100 µa @ 60 v 175 ° C
ACZRA4737-HF Comchip Technology ACZRA4737-HF 0.1711
RFQ
 ECAD 4698 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA ACZRA4737 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 5 v 7.5 v 4 옴
ACDBMT1200-HF Comchip Technology ACDBMT1200-HF 0.3900
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123H ACDBMT1200 Schottky SOD-123H 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 920 MV @ 1 a 500 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 120pf @ 4V, 1MHz
BAS416-HF Comchip Technology BAS416-HF 0.2100
RFQ
 ECAD 2872 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-76, SOD-323 BAS416 기준 SOD-323 - 1 (무제한) 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 100 v 1.25 V @ 150 mA 3 µs 5 na @ 75 v 150 ° C 200ma 4pf @ 0V, 1MHz
MBR2060CT-G Comchip Technology MBR2060CT-G 0.6088
RFQ
 ECAD 4095 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR2060 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 20A 950 MV @ 20 a 100 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
CZRF52C2V2-HF Comchip Technology CZRF52C2V2-HF 0.0805
RFQ
 ECAD 1995 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 1005 (2512 25) CZRF52 200 MW 1005/SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 µa @ 1 v 2.2 v 100 옴
ACZRC5344B-G Comchip Technology ACZRC5344B-G 0.3480
RFQ
 ECAD 4740 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AB, SMC ACZRC5344 5 w DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 10 µa @ 6.2 v 8.2 v 1.5 옴
CSFM101-G Comchip Technology CSFM101-G -
RFQ
 ECAD 6011 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOD-123T 기준 SMA/SOD-123 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 950 MV @ 1 a 35 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
US1MWF-HF Comchip Technology US1MWF-HF 0.0690
RFQ
 ECAD 9829 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F US1M 기준 SOD-123F - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-US1MWF-HFTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.65 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
CDBD20200-G Comchip Technology CDBD20200-G 1.2600
RFQ
 ECAD 9455 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB CDBD20200 Schottky D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 20A (DC) 1 V @ 10 a 500 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
CDBC560-HF Comchip Technology CDBC560-HF 0.7000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC CDBC560 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 750 mV @ 5 a 500 µa @ 60 v -50 ° C ~ 150 ° C 5a 380pf @ 4V, 1MHz
ES2EWF-HF Comchip Technology es2ewf-hf 0.0828
RFQ
 ECAD 7556 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F ES2E 기준 SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-es2ewf-hftr 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.25 V @ 2 a 35 ns 5 µa @ 300 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 30pf @ 4V, 1MHz
CZRC5387B-G Comchip Technology CZRC5387B-G -
RFQ
 ECAD 5616 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 5 w DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CZRC5387B-GTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 144 v 190 v 450 옴
CDBF0530 Comchip Technology CDBF0530 0.4700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 1005 (2512 25) CDBF0530 Schottky 1005/SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 470 mV @ 500 mA 100 µa @ 20 v 125 ° C (°) 500ma 100pf @ 0V, 1MHz
CDBD1040-HF Comchip Technology CDBD1040-HF -
RFQ
 ECAD 5685 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB Schottky D2PAK - 1 (무제한) 641-CDBD1040-HF 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 10A 550 mV @ 5 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C
CZRW5230B-G Comchip Technology CZRW5230B-G 0.0506
RFQ
 ECAD 3719 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 CZRW5230 350 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 2 v 4.7 v 19 옴
ABZT52C11-HF Comchip Technology ABZT52C11-HF 0.0690
RFQ
 ECAD 7313 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.45% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 ABZT52 500MW SOD-123 - rohs 준수 641-ABZT52C11-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 11 v 20 옴
CDBA240LL-G Comchip Technology CDBA240LL-G 0.5600
RFQ
 ECAD 43 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA CDBA240 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 360 MV @ 2 a 1 ma @ 40 v 125 ° C (°) 2A -
CZRU39VB-HF Comchip Technology CZRU39VB-HF 0.0680
RFQ
 ECAD 3596 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 czru39 150 MW 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 30 v 39 v 130 옴
CMS42N10H8-HF Comchip Technology CMS42N10H8-HF -
RFQ
 ECAD 6277 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() DFN5X6 (PR-PAK) - 641-CMS42N10H8-HF 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 100 v 6.6A (TA) 4.5V, 10V 60mohm @ 3.2a, 10V 2.5V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 1325 pf @ 30 v - 3.6W (TA), 83.3W (TC)
CZRB5360B-HF Comchip Technology CZRB5360B-HF 0.2401
RFQ
 ECAD 7606 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB CZRB5360 5 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 500 na @ 19 v 25 v 4 옴
CZRER8V2B-HF Comchip Technology Czrer8v2b-Hf -
RFQ
 ECAD 9444 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 0503 (1308 메트릭) 150 MW 0503/SOD-723F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 500 NA @ 6.5 v 8.2 v 7 옴
CMS30N10V8-HF Comchip Technology CMS30N10V8-HF -
RFQ
 ECAD 2285 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn MOSFET (금속 (() 8-PDFN (SPR-PAK) (3.3x3.3) - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CMS30N10V8-HFTR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 30A (TC) 4.5V, 10V 24mohm @ 10v, 10a 2.5V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 1325 pf @ 30 v - 2.1W (TA), 31.3W (TC)
ABZT52B68-HF Comchip Technology ABZT52B68-HF 0.0690
RFQ
 ECAD 9926 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 ABZT52 500MW SOD-123 - rohs 준수 641-ABZT52B68-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 45 NA @ 47.6 v 68 v 240 옴
ACGRAS1W-HF Comchip Technology acgras1w-hf 0.4100
RFQ
 ECAD 576 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA acgras1 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 5,000 짐 1600 v 1.2 v @ 1 a 5 µa @ 1600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
CGRMT4007-HF Comchip Technology CGRMT4007-HF 0.4400
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123H CGRMT4007 기준 SOD-123H 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 1000 v 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
CZRFR52C39 Comchip Technology CZRFR52C39 0.0805
RFQ
 ECAD 4032 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 1005 (2512 25) CZRFR52 200 MW 1005/SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 29 v 39 v 90 옴
CMS32P03V8-HF Comchip Technology CMS32P03V8-HF -
RFQ
 ECAD 6409 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn CMS32 MOSFET (금속 (() 8-PDFN (SPR-PAK) (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CMS32P03V8-HFTR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 7.7A (TA), 32A (TC) 4.5V, 10V 20mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 12.5 nc @ 4.5 v ± 20V 1345 pf @ 15 v - 1.6W (TA), 29W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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