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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
S3DC-HF Comchip Technology S3DC-HF 0.1091
RFQ
ECAD 4078 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC S3DC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-S3DC-HFTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 200 v 1 V @ 3 a 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 40pf @ 4V, 1MHz
MMSZ5244B-HF Comchip Technology MMSZ5244B-HF 0.0487
RFQ
ECAD 4011 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 MMSZ5244 500MW SOD-123 - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-MMSZ5244B-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 10 v 14 v 15 옴
CZRT55C4V3-G Comchip Technology CZRT55C4V3-G 0.0620
RFQ
ECAD 7406 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 7% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 CZRT55 350 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 1 v 4.3 v 90 옴
CZRC5358B-G Comchip Technology CZRC5358B-G -
RFQ
ECAD 7170 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 5 w DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CZRC5358B-GTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 16.7 v 22 v 3.5 옴
CDBB340LR-HF Comchip Technology CDBB340LR-HF 0.1829
RFQ
ECAD 9687 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB CDBB340 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 450 mV @ 3 a 500 µa @ 40 v -50 ° C ~ 150 ° C 3A 250pf @ 4V, 1MHz
CGRAT101-HF Comchip Technology Cgrat101-HF -
RFQ
ECAD 1362 0.00000000 comchip 기술 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 1 (무제한) 641-CGRAT101-HFTR 귀 99 8541.10.0080 3,000
US5KB-HF Comchip Technology US5KB-HF 0.1783
RFQ
ECAD 7246 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB US5K 기준 SMB/DO-214AA - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-US5KB-HFTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.68 V @ 5 a 75 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
CZRV5242B-G Comchip Technology CZRV5242B-G 0.0595
RFQ
ECAD 9424 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -60 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 CZRV5242 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 9.1 v 12 v 30 옴
FR202GB-G Comchip Technology FR202GB-G 0.0900
RFQ
ECAD 6347 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 기준 DO-15 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 641-FR202GB-GTB 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.3 V @ 2 a 150 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
S1K-HF Comchip Technology S1K-HF 0.2000
RFQ
ECAD 10 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA S1K 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 5,000 800 v 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
CGRB301-G Comchip Technology CGRB301-g 0.1403
RFQ
ECAD 9234 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB CGRB301 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 50 v 1.1 v @ 3 a 5 µa @ 50 v 150 ° C (°) 3A -
CDBV3-70A-G Comchip Technology CDBV3-70A-G -
RFQ
ECAD 2016 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-70, SOT-323 Schottky SOT-323 - 641-CDBV3-70A-GTR 귀 99 8541.10.0070 1 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 양극 양극 공통 70 v 70MA (DC) 1 V @ 15 ma 5 ns 100 na @ 50 v -40 ° C ~ 150 ° C
ABZT52B30-HF Comchip Technology ABZT52B30-HF 0.0690
RFQ
ECAD 4170 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 ABZT52 500MW SOD-123 - rohs 준수 641-ABZT52B30-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 45 na @ 21 v 30 v 80 옴
CZRL55C10-G Comchip Technology CZRL55C10-G -
RFQ
ECAD 6213 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 6% 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW SOD-80 최소값 - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CZRL55C10-GTR 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 7.5 v 10 v 15 옴
CMSBN4616-HF Comchip Technology CMSBN4616-HF 0.3169
RFQ
ECAD 8224 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMSBN4616 MOSFET (금속 (() 1.5W (TA) CSPB1515-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 8A (TA) 18mohm @ 3a, 4.5v 1.3V @ 250µA 8.8nc @ 4.5v - -
CZRC5352B-HF Comchip Technology CZRC5352B-HF -
RFQ
ECAD 2008 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 5 w DO-214AB (SMC) 다운로드 641-CZRC5352B-HFTR 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 1 a 1 µa @ 11.5 v 15 v 2.5 옴
AMMSZ5235B-HF Comchip Technology AMMSZ5235B-HF 0.0725
RFQ
ECAD 5224 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 AMMSZ5235 500MW SOD-123 - rohs 준수 641-AMMSZ5235B-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 5 v 6.8 v 5 옴
CMS70N04H8-HF Comchip Technology CMS70N04H8-HF -
RFQ
ECAD 3274 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn CMS70 MOSFET (금속 (() DFN5X6 (PR-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 70A (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 19.7 NC @ 10 v ± 20V 1278 pf @ 25 v - 2W (TA), 72.3W (TC)
1SS389-HF Comchip Technology 1SS389-HF -
RFQ
ECAD 5410 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-79, SOD-523 Schottky SOD-523 다운로드 641-1SS389-HFTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 10 v 500 mV @ 100 ma 20 µa @ 10 v 125 ° C 100ma 20pf @ 0V, 1MHz
CZRUR52C5V6 Comchip Technology Czrur52c5v6 0.0667
RFQ
ECAD 5741 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 150 MW 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 1 v 5.6 v 40
CDBA140LL-HF Comchip Technology CDBA140LL-HF 0.5000
RFQ
ECAD 44 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA CDBA140 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 350 mV @ 1 a 1 ma @ 40 v -50 ° C ~ 100 ° C 1A 130pf @ 4V, 1MHz
HER304GT-G Comchip Technology HER304GT-G 0.2463
RFQ
ECAD 7636 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 HER304 기준 DO-27 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1 V @ 3 a 50 ns 5 µa @ 300 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
CZRC5351B-G Comchip Technology CZRC5351B-G -
RFQ
ECAD 4951 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 5 w DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CZRC5351B-GTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 1 µa @ 10.6 v 14 v 2.5 옴
FR207GB-G Comchip Technology FR207GB-G 0.0900
RFQ
ECAD 7325 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 기준 DO-15 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 641-FR207GB-GTB 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 V @ 2 a 500 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
CZRW55C6V2-G Comchip Technology CZRW55C6V2-G -
RFQ
ECAD 4222 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 CZRW55 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 4 v 6.2 v 10 옴
CZRA5944B-G Comchip Technology CZRA5944B-G 0.1352
RFQ
ECAD 1707 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA CZRA5944 1.5 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 47.1 v 62 v 100 옴
BC856BW-HF Comchip Technology BC856BW-HF 0.0517
RFQ
ECAD 9250 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC856 150 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-BC856BW-HFTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 100MHz
BC857CW-HF Comchip Technology BC857CW-HF 0.0598
RFQ
ECAD 8254 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC857 150 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-BC857CW-HFTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 420 @ 2MA, 5V 100MHz
CZRU52C9V1-HF Comchip Technology CZRU52C9V1-HF 0.3300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 CZRU52C9V1 150 MW 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 7 v 9.1 v 10 옴
SS115F-HF Comchip Technology SS115F-HF 0.0544
RFQ
ECAD 7831 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA SS115 Schottky smaf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 900 mV @ 1 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A 80pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고