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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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![]() | S3DC-HF | 0.1091 | ![]() | 4078 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | S3DC | 기준 | DO-214AB (SMC) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-S3DC-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 짐 | 200 v | 1 V @ 3 a | 5 µa @ 200 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 40pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5244B-HF | 0.0487 | ![]() | 4011 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ5244 | 500MW | SOD-123 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-MMSZ5244B-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 10 v | 14 v | 15 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CZRT55C4V3-G | 0.0620 | ![]() | 7406 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 7% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | CZRT55 | 350 MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 3 µa @ 1 v | 4.3 v | 90 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CZRC5358B-G | - | ![]() | 7170 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | 5 w | DO-214AB (SMC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-CZRC5358B-GTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 1 a | 500 NA @ 16.7 v | 22 v | 3.5 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | Cgrat101-HF | - | ![]() | 1362 | 0.00000000 | comchip 기술 | * | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 다운로드 | 1 (무제한) | 641-CGRAT101-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | FR202GB-G | 0.0900 | ![]() | 6347 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | DO-204AC, DO-15, 축 방향 | 기준 | DO-15 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 641-FR202GB-GTB | 귀 99 | 8541.10.0080 | 500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 1.3 V @ 2 a | 150 ns | 5 µa @ 100 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S1K-HF | 0.2000 | ![]() | 10 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | S1K | 기준 | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 짐 | 800 v | 1.1 v @ 1 a | 5 µa @ 800 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CGRB301-g | 0.1403 | ![]() | 9234 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | CGRB301 | 기준 | DO-214AA (SMB) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 짐 | 50 v | 1.1 v @ 3 a | 5 µa @ 50 v | 150 ° C (°) | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDBV3-70A-G | - | ![]() | 2016 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | Schottky | SOT-323 | - | 641-CDBV3-70A-GTR | 귀 99 | 8541.10.0070 | 1 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 1 양극 양극 공통 | 70 v | 70MA (DC) | 1 V @ 15 ma | 5 ns | 100 na @ 50 v | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | CMSBN4616-HF | 0.3169 | ![]() | 8224 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMSBN4616 | MOSFET (금속 (() | 1.5W (TA) | CSPB1515-4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 | 8A (TA) | 18mohm @ 3a, 4.5v | 1.3V @ 250µA | 8.8nc @ 4.5v | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | AMMSZ5235B-HF | 0.0725 | ![]() | 5224 | 0.00000000 | comchip 기술 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | AMMSZ5235 | 500MW | SOD-123 | - | rohs 준수 | 641-AMMSZ5235B-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 3 µa @ 5 v | 6.8 v | 5 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMS70N04H8-HF | - | ![]() | 3274 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | CMS70 | MOSFET (금속 (() | DFN5X6 (PR-PAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 70A (TC) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 20a, 10V | 2.5V @ 250µA | 19.7 NC @ 10 v | ± 20V | 1278 pf @ 25 v | - | 2W (TA), 72.3W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
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![]() | Czrur52c5v6 | 0.0667 | ![]() | 5741 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 2-SMD,, 없음 | 150 MW | 0603/SOD-523F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 1 v | 5.6 v | 40 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDBA140LL-HF | 0.5000 | ![]() | 44 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | CDBA140 | Schottky | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 350 mV @ 1 a | 1 ma @ 40 v | -50 ° C ~ 100 ° C | 1A | 130pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HER304GT-G | 0.2463 | ![]() | 7636 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | DO-201AA, DO-27, 축 방향 | HER304 | 기준 | DO-27 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,200 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 300 v | 1 V @ 3 a | 50 ns | 5 µa @ 300 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CZRC5351B-G | - | ![]() | 4951 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | 5 w | DO-214AB (SMC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-CZRC5351B-GTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 1 a | 1 µa @ 10.6 v | 14 v | 2.5 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | BC856BW-HF | 0.0517 | ![]() | 9250 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BC856 | 150 MW | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-BC856BW-HFTR | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 65 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | PNP | 650MV @ 5MA, 100MA | 220 @ 2MA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC857CW-HF | 0.0598 | ![]() | 8254 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BC857 | 150 MW | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-BC857CW-HFTR | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | PNP | 650MV @ 5MA, 100MA | 420 @ 2MA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | SS115F-HF | 0.0544 | ![]() | 7831 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | SS115 | Schottky | smaf | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 150 v | 900 mV @ 1 a | 100 µa @ 150 v | -55 ° C ~ 125 ° C | 1A | 80pf @ 4V, 1MHz |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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