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불연속 불연속 제품 (4657)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
CDSV3-21-G	-	RFQ	8139	comchip 기술	-	대부분	쓸모없는			표면 표면	SC-70, SOT-323		기준		SOT-323	-				641-CDSV3-21-G	쓸모없는		1	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도													250 v		1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 na @ 200 v	150 ° C	200ma	5pf @ 0V, 1MHz
CDBF0540-HF	0.1035	RFQ	9682	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	1005 (2512 25)	CDBF0540	Schottky		1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													40 v		510mV @ 500 mA	22 ns	20 µa @ 40 v	125 ° C (°)	500ma	170pf @ 0V, 1MHz
CZRB3019-HF	-	RFQ	1994	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB			3 w	SMB/DO-214AA	다운로드				641-CZRB3019-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000																1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 14.4 v							19 v	7 옴
CDBK0540-HF	-	RFQ	9882	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOD-123F		Schottky		SOD-123F	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													40 v		510mV @ 500 mA	22 ns	20 µa @ 40 v	125 ° C (°)	500ma	170pf @ 0V, 1MHz
CZRC5352B-HF	-	RFQ	2008	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AB, SMC			5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드				641-CZRC5352B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	1																1.2 v @ 1 a		1 µa @ 11.5 v							15 v	2.5 옴
CMS70N04H8-HF	-	RFQ	3274	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	CMS70	MOSFET (금속 (()		DFN5X6 (PR-PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	40 v	70A (TC)	4.5V, 10V	8.5mohm @ 20a, 10V	2.5V @ 250µA	19.7 NC @ 10 v	± 20V	1278 pf @ 25 v	-	2W (TA), 72.3W (TC)
BC856BW-HF	0.0517	RFQ	9250	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	BC856		150 MW	SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-BC856BW-HFTR	귀 99	8541.21.0075	3,000																						65 v	100 MA	15NA (ICBO)			PNP	650MV @ 5MA, 100MA	220 @ 2MA, 5V	100MHz
CZRA5944B-G	0.1352	RFQ	1707	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	CZRA5944		1.5 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000																1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 47.1 v							62 v	100 옴
FR207GB-G	0.0900	RFQ	7325	comchip 기술	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향		기준		DO-15	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-FR207GB-GTB	귀 99	8541.10.0080	500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													1000 v		1.3 V @ 2 a	500 ns	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
CZRL55C10-G	-	RFQ	6213	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 6%	175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80			500MW	SOD-80 최소값	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CZRL55C10-GTR	귀 99	8541.10.0050	2,500																1.5 v @ 200 ma		100 na @ 7.5 v							10 v	15 옴
CZRW55C6V2-G	-	RFQ	4222	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 6%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	CZRW55		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																900 mV @ 10 ma		3 µa @ 4 v							6.2 v	10 옴
CZRF52C22-HF	0.0805	RFQ	6368	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRF52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000																900 mV @ 10 ma		100 na @ 17 v							22 v	55 옴
CDBDSC8650-G	3.6300	RFQ	342	comchip 기술	-	튜브	활동적인			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	CDBDSC8650	SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky		DPAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	80	복구 복구 복구 없음> 500ma (io)													650 v		1.7 V @ 8 a	0 ns	100 µa @ 650 v	-55 ° C ~ 175 ° C	25.5A	550pf @ 0V, 1MHz
CZRC5380B-HF	-	RFQ	8703	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AB, SMC			5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드				641-CZRC5380B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	1																1.2 v @ 1 a		500 NA @ 91.2 v							120 v	170 옴
1N4148WT-HF	0.2600	RFQ	8	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-79, SOD-523	1N4148	기준		SOD-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도													75 v		1.25 V @ 150 mA	4 ns	1 µa @ 75 v	150 ° C	150ma	2pf @ 0V, 1MHz
ABZT52C20-HF	0.0690	RFQ	3339	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	ABZT52		500MW	SOD-123	-	rohs 준수			641-ABZT52C20-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000																900 mV @ 10 ma		100 na @ 14 v							20 v	55 옴
CDBFN140-G	0.0820	RFQ	4241	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-90, SOD-323F	CDBFN140	Schottky		SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													40 v		550 mV @ 1 a		500 µa @ 40 v	-50 ° C ~ 125 ° C	1A	120pf @ 4V, 1MHz
CZRFR52C5V1	0.0805	RFQ	3758	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRFR52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000																900 mV @ 10 ma		100 NA @ 800 MV							5.1 v	60 옴
CURC301-HF	0.2159	RFQ	3881	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	CURC301	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CURC301-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													50 v		1 V @ 3 a	50 ns	5 µa @ 50 v	150 ° C	3A	-
CURC304-G	0.2175	RFQ	2425	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	CURC304	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													400 v		1.3 v @ 3 a	50 ns	5 µa @ 400 v	150 ° C (°)	3A	-
ACZRA4764-HF	0.1711	RFQ	9848	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	ACZRA4764		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,000																1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 76 v							100 v	350 옴
Czru5v1b-Hf	0.0680	RFQ	9039	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 3%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음	CZRU5V1		150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000																900 mV @ 10 ma		2 µa @ 2 v							5.1 v	50 옴
CZRU52C8V2	0.3300	RFQ	24	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음	CZRU52C8V2		150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000																900 mV @ 10 ma		100 na @ 6 v							8.2 v	7 옴
CDBB560-HF	0.2248	RFQ	5853	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	CDBB560	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													60 v		700 mv @ 5 a		500 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 125 ° C	5a	210pf @ 4V, 1MHz
ABZT52C6V2-HF	0.0690	RFQ	6675	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.45%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	ABZT52		500MW	SOD-123	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-ABZT52C6V2-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000																900 mV @ 10 ma		3 µa @ 4 v							6.2 v	10 옴
MBR20200CGD-HF	0.8213	RFQ	2968	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBR20200	Schottky		To-263 (d²pak)	-		1 (무제한)		641-MBR20200CGD-HFTR			800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	200 v	20A	920 MV @ 10 a		50 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 175 ° C
CZRA4759-HF	0.1550	RFQ	1025	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	CZRA4759		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CZRA4759-HFTR	귀 99	8541.10.0050	2,000																1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 47.1 v							62 v	125 옴
ACZRW5229B-G	0.0556	RFQ	1176	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123F	ACZRW5229		350 MW	SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																900 mV @ 10 ma		5 µa @ 1 v							4.3 v	22 옴
ACZRA4747-HF	0.1711	RFQ	8481	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	ACZRA4747		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,000																1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 15.2 v							20 v	22 옴
CZRA5925B-G	0.1352	RFQ	4873	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	CZRA5925		1.5 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000																1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 8 v							10 v	4.5 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (4657)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²