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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
MMBZ5252A-HF	0.0556	RFQ	7433	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5252		350 MW	SOT-23-3	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-MMBZ5252A-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000			1.2 v @ 100 ma		100 na @ 18 v							24 v	33 옴
Czrer4v3b-Hf	-	RFQ	1107	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 3%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	0503 (1308 메트릭)			150 MW	0503/SOD-723F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000			900 mV @ 10 ma		5 µa @ 1 v							4.3 v	88 옴
ACZRA4730-HF	0.1711	RFQ	9494	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	ACZRA4730		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,000			1.2 v @ 200 ma		50 µa @ 1 v							3.9 v	9 옴
RB751V-40-HF	0.3200	RFQ	2	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-76, SOD-323	RB751	Schottky		SOD-323	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	30 v	370 mV @ 1 ma		500 NA @ 30 v	-40 ° C ~ 125 ° C	30ma	2pf @ 1v, 1MHz
ACDSW4448-HF	0.3400	RFQ	9481	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123	ACDSW4448	기준		SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	75 v	1.25 V @ 150 mA	4 ns	2.5 µa @ 75 v	-55 ° C ~ 150 ° C	200ma	2pf @ 0V, 1MHz
czru36vb-hf	0.0680	RFQ	1186	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음	czru36		150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000			900 mV @ 10 ma		100 na @ 27 v							36 v	95 옴
ACZRM5245B-HF	0.0610	RFQ	4460	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123F	ACZRM5245		500MW	SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					100 na @ 11 v							15 v	16 옴
CZRC5346B-HF	-	RFQ	6202	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AB, SMC			5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드				641-CZRC5346B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 1 a		7.5 µa @ 6.9 v							9.1 v	2 옴
ES8BC-HF	0.2291	RFQ	4296	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	ES8B	기준		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-ES8BC-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	100 v	980 MV @ 8 a	35 ns	10 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	90pf @ 4V, 1MHz
CZRC5341B-G	-	RFQ	6041	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AB, SMC			5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CZRC5341B-GTR	귀 99	8541.10.0050	3,000			1.2 v @ 1 a		1 µa @ 3 v							6.2 v	1 옴
CDBB5100-HF	0.6300	RFQ	59	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	CDBB5100	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	100 v	700 mv @ 5 a		500 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 125 ° C	5a	300pf @ 4V, 1MHz
CDBA3100LR-HF	0.1711	RFQ	1004	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	CDBA3100	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	100 v	750 mV @ 3 a		500 µa @ 100 v	-50 ° C ~ 150 ° C	3A	250pf @ 4V, 1MHz
CDBA1200-HF	0.3900	RFQ	5	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	CDBA1200	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	150 v	900 mV @ 1 a		500 µa @ 200 v	-50 ° C ~ 175 ° C	1A	120pf @ 4V, 1MHz
CZRF52C16-HF	0.0805	RFQ	4243	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRF52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000			900 mV @ 10 ma		100 na @ 12 v							16 v	40
1N5239B-G	-	RFQ	2785	comchip 기술	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는	-	175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-1n5239B-GTB	귀 99	8541.10.0050	5,000			1.1 v @ 200 ma		3 µa @ 7 v							9.1 v	10 옴
BC858BW-HF	0.0517	RFQ	4840	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	BC858		150 MW	SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-BC858BW-HFTR	귀 99	8541.21.0075	3,000									30 v	100 MA	15NA (ICBO)			PNP	650MV @ 5MA, 100MA	220 @ 2MA, 5V	100MHz
CDSV3-21-G	-	RFQ	8139	comchip 기술	-	대부분	쓸모없는			표면 표면	SC-70, SOT-323		기준		SOT-323	-				641-CDSV3-21-G	쓸모없는		1	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	250 v	1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 na @ 200 v	150 ° C	200ma	5pf @ 0V, 1MHz
1N5401-G	0.4100	RFQ	5	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	1N5401	기준		DO-27 (DO-201AD)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,200	짐	100 v	950 MV @ 3 a		5 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 125 ° C	3A	-
CEFB202-G	-	RFQ	4892	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AA, SMB		기준		DO-214AA (SMB)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	100 v	875 mv @ 2 a	25 ns	5 µa @ 100 v	150 ° C (°)	2A	-
CDBF0540-HF	0.1035	RFQ	9682	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	1005 (2512 25)	CDBF0540	Schottky		1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	40 v	510mV @ 500 mA	22 ns	20 µa @ 40 v	125 ° C (°)	500ma	170pf @ 0V, 1MHz
CZRW4693-G	-	RFQ	2408	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			350 MW	SOD-123	다운로드				641-CZRW4693-GTR	귀 99	8541.10.0050	1			900 mV @ 10 ma		10 µa @ 5.7 v							7.5 v
Czrer52C27-HF	-	RFQ	6671	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	0503 (1308 메트릭)	Czrer52c27		150 MW	0503 (1308 메트릭)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000			900 mV @ 10 ma		100 na @ 20 v							27 v	80 옴
SS34C-HF	0.1304	RFQ	8577	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	SS34	Schottky		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	40 v	550 mV @ 3 a		500 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	450pf @ 4V, 1MHz
1N5408-G	0.4100	RFQ	17	comchip 기술	-	컷 컷 (CT)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	1N5408	기준		DO-27 (DO-201AD)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,200	짐	1000 v	950 MV @ 3 a		5 µa @ 1000 v	-65 ° C ~ 125 ° C	3A	-
1N4148WT-HF	0.2600	RFQ	8	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-79, SOD-523	1N4148	기준		SOD-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	75 v	1.25 V @ 150 mA	4 ns	1 µa @ 75 v	150 ° C	150ma	2pf @ 0V, 1MHz
ABZT52C20-HF	0.0690	RFQ	3339	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	ABZT52		500MW	SOD-123	-	rohs 준수			641-ABZT52C20-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000			900 mV @ 10 ma		100 na @ 14 v							20 v	55 옴
CDBDSC8650-G	3.6300	RFQ	342	comchip 기술	-	튜브	활동적인			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	CDBDSC8650	SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky		DPAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	80	복구 복구 복구 없음> 500ma (io)	650 v	1.7 V @ 8 a	0 ns	100 µa @ 650 v	-55 ° C ~ 175 ° C	25.5A	550pf @ 0V, 1MHz
CDBFN140-G	0.0820	RFQ	4241	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-90, SOD-323F	CDBFN140	Schottky		SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	40 v	550 mV @ 1 a		500 µa @ 40 v	-50 ° C ~ 125 ° C	1A	120pf @ 4V, 1MHz
CZRF52C22-HF	0.0805	RFQ	6368	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRF52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000			900 mV @ 10 ma		100 na @ 17 v							22 v	55 옴
CZRC5380B-HF	-	RFQ	8703	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AB, SMC			5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드				641-CZRC5380B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 1 a		500 NA @ 91.2 v							120 v	170 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (4657)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²