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불연속 불연속 제품 (4657)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
CMS42N10H8-HF	-	RFQ	6277	comchip 기술	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn		MOSFET (금속 (()		DFN5X6 (PR-PAK)	-				641-CMS42N10H8-HF	귀 99	8541.29.0095	1		n 채널	100 v	6.6A (TA)	4.5V, 10V	60mohm @ 3.2a, 10V	2.5V @ 250µA	34 NC @ 10 v	± 20V	1325 pf @ 30 v	-	3.6W (TA), 83.3W (TC)
CZRB5360B-HF	0.2401	RFQ	7606	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	CZRB5360		5 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																1.2 v @ 200 ma		500 na @ 19 v				25 v	4 옴
Czrer8v2b-Hf	-	RFQ	9444	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	0503 (1308 메트릭)			150 MW	0503/SOD-723F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000																900 mV @ 10 ma		500 NA @ 6.5 v				8.2 v	7 옴
CZRFR52C39	0.0805	RFQ	4032	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRFR52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000																900 mV @ 10 ma		100 na @ 29 v				39 v	90 옴
CMS32P03V8-HF	-	RFQ	6409	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powerwdfn	CMS32	MOSFET (금속 (()		8-PDFN (SPR-PAK) (3.3x3.3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CMS32P03V8-HFTR	귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	30 v	7.7A (TA), 32A (TC)	4.5V, 10V	20mohm @ 15a, 10V	2.5V @ 250µA	12.5 nc @ 4.5 v	± 20V	1345 pf @ 15 v	-	1.6W (TA), 29W (TC)
CSFB203-G	0.4700	RFQ	30	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	CSFB203	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													200 v		920 MV @ 2 a	35 ns	5 µa @ 200 v	150 ° C (°)	2A	-
CZRB5379B-HF	0.2401	RFQ	6151	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	CZRB5379		5 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 83.6 v				110 v	125 옴
CZRC5344B-G	-	RFQ	5718	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AB, SMC			5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드	rohs 준수			641-CZRC5344B-GTR	귀 99	8541.10.0050	3,000																1.2 v @ 1 a		10 µa @ 6.2 v				8.2 v	1.5 옴
CZRF7V5B-HF	-	RFQ	1552	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 3%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRF7V5		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000																900 mV @ 10 ma		500 na @ 6 v				7.5 v	7 옴
BZT52B36-HF	0.0418	RFQ	4454	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52		500MW	SOD-123	-		1 (무제한)		641-BZT52B36-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000																900 mV @ 10 ma		45 NA @ 25.2 v				36 v	84 옴
CDBVRL240-HF	0.0397	RFQ	7286	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	0603 (1608 메트릭)	CDBVRL240	Schottky		WBFBP-02L	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													40 v		580 mV @ 2 a		50 µa @ 40 v	125 ° C	2A	180pf @ 0V, 1MHz
ACGRAT101-HF	0.1076	RFQ	9362	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로			표면 표면	2-SMD,, 없음	acgrat101	기준		2010/DO-214AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													200 v		1 V @ 1 a		5 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8pf @ 4V, 1MHz
BZX84C22CC-HF	0.0492	RFQ	1850	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.68%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84C22		350 MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-BZX84C22CC-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000																900 mV @ 10 a		50 NA @ 15.4 v				22 v	55 옴
UF3006-HF	0.1615	RFQ	7612	comchip 기술	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	DO-201AA, DO-27, 축 방향	UF3006	기준		DO-27	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,200	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													600 v		1.7 V @ 3 a	75 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 125 ° C	3A	30pf @ 4V, 1MHz
CDBV6-54SD-G	0.1370	RFQ	6958	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	CDBV6-54	Schottky		SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도												2 연결 연결 시리즈	30 v	200MA (DC)	1 v @ 100 ma	5 ns	2 µa @ 25 v	-65 ° C ~ 125 ° C
CEFB203-G	0.5100	RFQ	6	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AA, SMB	CEFB203	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													200 v		875 mv @ 2 a	25 ns	5 µa @ 200 v	150 ° C (°)	2A	-
S2K-HF	0.0621	RFQ	2757	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	S2K	기준		DO-214AC (SMA)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-S2K-HFTR	귀 99	8541.10.0080	5,000	짐													800 v		1.1 v @ 2 a		5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	25pf @ 4V, 1MHz
CZRU52C3V3	0.3400	RFQ	6	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음	CZRU52C3V3		150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000																900 mV @ 10 ma		25 µa @ 1 v				3.3 v	95 옴
ACZRW5256B-G	0.0556	RFQ	6871	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123F	ACZRW5256		350 MW	SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																900 mV @ 10 ma		100 na @ 23 v				30 v	49 옴
1N5259B-G	-	RFQ	8555	comchip 기술	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는	-	175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-1n5259B-GTB	귀 99	8541.10.0050	5,000																1.1 v @ 200 ma		100 na @ 30 v				39 v	80 옴
ACZRA4751-HF	0.1711	RFQ	9401	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	ACZRA4751		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,000																1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 22.8 v				30 v	40
S1D-HF	0.2000	RFQ	2	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	S1D	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000	짐													200 v		1.1 v @ 1 a		5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
CGRMT4003-HF	-	RFQ	4630	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOD-123H		기준		SOD-123H	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	짐													200 v		1.1 v @ 1 a		5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
BZT52B2V7-HF	0.0418	RFQ	8507	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52		500MW	SOD-123	-		1 (무제한)		641-BZT52B2V7-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000																900 mV @ 10 ma		18 µa @ 1 v				2.7 v	94 옴
SS320C-HF	0.1442	RFQ	3227	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	SS320	Schottky		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													200 v		950 MV @ 3 a		300 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	350pf @ 4V, 1MHz
CFRB305-G	-	RFQ	1700	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AA, SMB	CFRB305	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													600 v		1.3 v @ 3 a	250 ns	5 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	50pf @ 4V, 1MHz
CGRB302-HF	0.1403	RFQ	8662	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	CGRB302	기준		SMB/DO-214AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CGRB302-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	짐													100 v		1.15 V @ 3 a		10 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
CDBT-54A-HF	0.0621	RFQ	4425	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CDBT-54	Schottky		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CDBT-54A-HFTR	귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도												1 양극 양극 공통	30 v	200ma	1 v @ 100 ma	5 ns	2 µa @ 25 v	125 ° C
CZRC5383B-HF	-	RFQ	1734	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AB, SMC			5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드				641-CZRC5383B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	1																1.2 v @ 1 a		500 NA @ 114 v				150 v	330 옴
CZRW55C3V6-G	-	RFQ	9742	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 6%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	CZRW55		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																900 mV @ 10 ma		5 µa @ 1 v				3.6 v	90 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (4657)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²