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불연속 불연속 제품 (4657)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
CZRW55C22-G	-	RFQ	3898	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 6%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	CZRW55		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 15.4 v						22 v	55 옴
RS2M-HF	0.3700	RFQ	4	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	RS2M	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1000 v		1.3 V @ 2 a	500 ns	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	22pf @ 4V, 1MHz
CZRL55C3V6-G	-	RFQ	1119	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5.56%	175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80			500MW	SOD-80 최소값	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CZRL55C3V6-GTR	귀 99	8541.10.0050	2,500					1.5 v @ 200 ma		2 µa @ 1 v						3.6 v	90 옴
ACZRC5386B-G	0.3480	RFQ	1959	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AB, SMC	ACZRC5386		5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 1 a		500 NA @ 137 v						180 v	430 옴
Curb203-G	0.1382	RFQ	3	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	Curb203	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1 V @ 2 a	50 ns	5 µa @ 200 v	150 ° C (°)	2A	-
US3AB-HF	0.1063	RFQ	7015	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	US3A	기준		SMB/DO-214AA	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-US3AB-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		1 V @ 3 a	50 ns	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
CDBMTS150-HF	-	RFQ	2266	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOD-123		Schottky		SOD-123	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	2,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		700 mv @ 1 a		500 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	120pf @ 4V, 1MHz
CZRQR52C2V7-HF	-	RFQ	8617	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	0402 (1006 메트릭)	CZRQR52		125 MW	0402	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000					900 mV @ 10 ma		75 µa @ 1 v						2.7 v	83 옴
BAT54-HF	0.2100	RFQ	41	comchip 기술	BAT54-HF	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Bat54	Schottky		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		30 v		1 v @ 100 ma	5 ns	2 µa @ 25 v	125 ° C (°)	200ma	10pf @ 1v, 1MHz
CZRFR52C2V7	0.0805	RFQ	3650	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRFR52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		75 µa @ 1 v						2.7 v	83 옴
CEFB104-G	-	RFQ	6400	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AA, SMB	CEFB104	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.1 v @ 1 a	35 ns	5 µa @ 400 v	150 ° C (°)	1A	-
CDBER54-HF	-	RFQ	5256	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	0503 (1308 메트릭)	CDBER54	Schottky		0503/SOD-723F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		30 v		1 v @ 100 ma	5 ns	2 µa @ 25 v	125 ° C (°)	200ma	10pf @ 1v, 1MHz
SR20150-G	-	RFQ	2363	comchip 기술	-	대부분	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-3	SR20150	Schottky		ITO-220AB	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	2 음극 음극 공통	150 v	10A	950 MV @ 10 a		500 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C
CZRT5239B-HF	0.0620	RFQ	6236	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CZRT5239		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CZRT5239B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		3 µa @ 7 v						9.1 v	10 옴
KBPC3510W-G	10.5800	RFQ	496	comchip 기술	-	쟁반	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 스퀘어, KBPC-W	KBPC3510	기준		KBPC-W	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	100					1.1 v @ 17.5 a		10 µa @ 1000 v		35 a		단일 단일	1kv
CZRA4756-G	0.1550	RFQ	3691	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	CZRA4756		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CZRA4756-GTR	귀 99	8541.10.0050	2,000							5 µa @ 35.8 v						47 v	80 옴
CZRFR52C2V7-HF	0.0805	RFQ	9359	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRFR52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		75 µa @ 1 v						2.7 v	83 옴
CDSV3-20-G	-	RFQ	1248	comchip 기술	-	대부분	쓸모없는			표면 표면	SC-70, SOT-323		기준		SOT-323	-				641-CDSV3-20-G	쓸모없는		1	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		150 v		1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 na @ 150 v	150 ° C	200ma	5pf @ 0V, 1MHz
CZRB3043-G	-	RFQ	5673	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-	표면 표면	DO-214AA, SMB	CZRB3043		3 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 32.7 v						43 v	33 옴
BZT52B16-HF	0.0418	RFQ	7721	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52		500MW	SOD-123	-		1 (무제한)		641-BZT52B16-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		45 NA @ 11.2 v						16 v	37 옴
SS520C-HF	0.2124	RFQ	7051	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	SS520	Schottky		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		850 mV @ 5 a		1 ma @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	400pf @ 4V, 1MHz
AMMSZ5251A-HF	0.0725	RFQ	3854	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	AMMSZ5251		500MW	SOD-123	-	rohs 준수			641-AMMSZ5251A-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 17 v						22 v	29 옴
ABZT52B13-HF	0.0690	RFQ	5281	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	ABZT52		500MW	SOD-123	-	rohs 준수			641-ABZT52B13-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		90 na @ 8 v						13 v	25 옴
CSPB40K-HF	0.3296	RFQ	2841	comchip 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인					CSPB40				다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CSPB40K-HFTR	귀 99	8541.10.0080	1,500
ES1J-HF	0.4600	RFQ	6	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	ES1J	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.7 V @ 1 a	35 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
MMBZ5260A-HF	0.0556	RFQ	1704	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5260		350 MW	SOT-23-3	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-MMBZ5260A-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 100 ma		100 na @ 33 v						43 v	93 옴
1N5238B-G	-	RFQ	3261	comchip 기술	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는	-	175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-1N5238B-GTB	귀 99	8541.10.0050	5,000					1.1 v @ 200 ma		3 µa @ 6.5 v						8.7 v	8 옴
ABS05-G	-	RFQ	8564	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개		기준		ABS	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-ABS05-GTR	귀 99	8541.10.0080	5,000					1.1 v @ 1 a		5 µa @ 50 v		1 a		단일 단일	50 v
ABS1-HF	-	RFQ	6322	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개		기준		ABS	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-ABS1-HFTR	귀 99	8541.10.0080	5,000					1.1 v @ 1 a		5 µa @ 100 v		1 a		단일 단일	100 v
Abs4-HF	-	RFQ	1901	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개		기준		ABS	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-ABS4-HFTR	귀 99	8541.10.0080	5,000					1.1 v @ 1 a		5 µa @ 400 v		1 a		단일 단일	400 v

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (4657)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²