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불연속 불연속 제품 (4657)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
ACZRM5239B-HF	0.0610	RFQ	7376	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123F	ACZRM5239		500MW	SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																		3 µa @ 7 v								9.1 v	10 옴
RS204-G	-	RFQ	8004	comchip 기술	-	쟁반	쓸모없는		-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, Rs-2		기준		Rs-2	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	641-1352	귀 99	8541.10.0080	400																1.1 v @ 2 a		10 µa @ 400 v		2 a			단일 단일	400 v
B6S-G	0.3900	RFQ	8	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-269AA, 4- 베스 외	B6S	기준		MBS	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000																1.1 v @ 800 ma		5 µa @ 600 v		800 MA			단일 단일	600 v
CMS16P06H8-HF	-	RFQ	1952	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	CMS16	MOSFET (금속 (()		DFN5X6 (PR-PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	60 v	5A (TA), 16A (TC)	4.5V, 10V	48mohm @ 8a, 10V	2.5V @ 250µA	22 nc @ 10 v	± 20V	1256 pf @ 30 v	-	2W (TA), 25W (TC)
RS207-G	-	RFQ	4687	comchip 기술	-	쟁반	쓸모없는		-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, Rs-2		기준		Rs-2	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	400																1.1 v @ 2 a		10 µa @ 1000 v		2 a			단일 단일	1kv
DF206S-G	0.6400	RFQ	364	comchip 기술	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개	DF206	기준		DFS	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50																1.1 v @ 2 a		10 µa @ 600 v		2 a			단일 단일	600 v
BR1004msg-g	-	RFQ	7488	comchip 기술	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 스퀘어, BR-6		기준		BR-6	다운로드				641-BR1004MSG-G	귀 99	8541.10.0080	1																1.1 v @ 5 a		10 µa @ 400 v		10 a			단일 단일	400 v
DTC143ZUA-HF	0.0614	RFQ	5518	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-70, SOT-323	DTC143		200 MW	SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.21.0075	3,000																						100 MA			500NA			npn-사전-	300MV @ 250µA, 5MA	80 @ 10ma, 5V	250MHz	4.7 Kohms	47 Kohms
CZRA4731B-HF	-	RFQ	4261	comchip 기술	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA			1 W.	DO-214AC (SMA)	-				641-CZRA4731B-HF	쓸모없는		1																1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 1 v								4.3 v	9 옴
Czrur5v6b-Hf	0.0680	RFQ	7634	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음	czrur5v6		150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000																900 mV @ 10 ma		2 µa @ 3 v								5.6 v	25 옴
AMMSZ5225B-HF	0.0725	RFQ	8832	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	AMMSZ5225		500MW	SOD-123	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-AMMSZ5225B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000																900 mV @ 10 ma		50 µa @ 1 v								3 v	30 옴
BZT52B43-HF	0.0418	RFQ	5472	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52		500MW	SOD-123	-		1 (무제한)		641-BZT52B43-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000																900 mV @ 10 ma		45 NA @ 30.1 v								43 v	141 옴
ACZRC5374B-G	0.3480	RFQ	1752	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AB, SMC	ACZRC5374		5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																1.2 v @ 1 a		500 NA @ 56 v								75 v	45 옴
CZRB5368B-HF	0.2401	RFQ	1698	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	CZRB5368		5 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 35.8 v								47 v	25 옴
CZRW4716-G	-	RFQ	8203	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			350 MW	SOD-123	다운로드				641-CZRW4716-GTR	귀 99	8541.10.0050	1																900 mV @ 10 ma		10 na @ 29.6 v								39 v
CZRC5371B-G	-	RFQ	2818	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AB, SMC			5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드	rohs 준수			641-CZRC5371B-GTR	귀 99	8541.10.0050	3,000																1.2 v @ 1 a		500 NA @ 45.5 v								60 v	40
CURC301-G	0.2175	RFQ	7275	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	CURC301	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													50 v		1 V @ 3 a	50 ns	5 µa @ 50 v	150 ° C (°)	3A	-
CFRA106-G	0.0840	RFQ	2493	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	CFRA106	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													800 v		1.3 v @ 1 a	500 ns	5 µa @ 800 v	150 ° C (°)	1A	-
CDBB2100LR-HF	0.1814	RFQ	1076	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	CDBB2100	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v		750 mv @ 2 a		500 µa @ 100 v	-50 ° C ~ 150 ° C	2A	30pf @ 4V, 1MHz
DB101st-G	-	RFQ	1879	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개	DB10	기준		DBS	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-DB101ST-GTR	귀 99	8541.10.0080	1																1.1 v @ 1 a		10 µa @ 50 v		1 a			단일 단일	50 v
ES1BWF-HF	0.0690	RFQ	9936	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123F	ES1B	기준		SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-ES1BWF-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v		1 V @ 1 a	35 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
CDBMH360-HF	-	RFQ	7281	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOD-123T	CDBMH360	Schottky		SOD-123T	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													60 v		700 mv @ 3 a		200 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
CDBA1100-G	0.0850	RFQ	9996	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다			표면 표면	DO-214AC, SMA	CDBA1100	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v		850 mv @ 1 a		500 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	-
Cgrat102-HF	-	RFQ	5125	comchip 기술	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는									다운로드		1 (무제한)		641-CGRAT102-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000
SS54B-HF	0.1814	RFQ	7048	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	SS54	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													40 v		550 mV @ 5 a		1 ma @ 40 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	500pf @ 4V, 1MHz
MBR10200CT-HF	-	RFQ	2872	comchip 기술	-	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-3	MBR10200	Schottky		TO-220AB	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-MBR10200CT-HF	쓸모없는		50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	200 v	10A	900 mV @ 5 a		100 µa @ 200 v	175 ° C
SS36-HF	0.0952	RFQ	4967	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	SS36	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													60 v		700 mv @ 3 a		500 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 125 ° C	3A	450pf @ 4V, 1MHz
CDSUR400B-HF	0.0575	RFQ	3911	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	2-SMD,, 없음	CDSUR400	기준		0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도													80 v		1 v @ 100 ma	4 ns	100 na @ 80 v	125 ° C (°)	100ma	3pf @ 0.5V, 1MHz
CDBUR0140L-HF	0.0851	RFQ	3507	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	2-SMD,, 없음	CDBUR0140	Schottky		0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CDBUR0140L-HFTR	귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도													40 v		550 mV @ 100 ma		30 µa @ 10 v	125 ° C	100ma	6pf @ 10V, 1MHz
RS3AC-HF	0.1426	RFQ	4796	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	RS3A	기준		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-RS3AC-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													50 v		1.3 v @ 3 a	150 ns	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	40pf @ 4V, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (4657)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²