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불연속 불연속 제품 (4657)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
CZRUR52C30 Comchip Technology Czrur52c30 0.0667
RFQ
 ECAD 8424 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 150 MW 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 23 v 30 v 80 옴
DF210S-G Comchip Technology DF210S-G 0.6400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 comchip 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 DF210 기준 DFS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 2 a 10 µa @ 1000 v 2 a 단일 단일 1kv
GBPC3510W-G Comchip Technology GBPC3510W-G 4.6400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 comchip 기술 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, GBPC-W GBPC3510 기준 GBPC-W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 17.5 a 10 µa @ 1000 v 35 a 단일 단일 1kv
CZRW5234B-G Comchip Technology CZRW5234B-G 0.0556
RFQ
 ECAD 8303 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 CZRW5234 350 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 4 v 6.2 v 7 옴
CMS25N03V8A-HF Comchip Technology CMS25N03V8A-HF 0.5600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 comchip 기술 - 컷 컷 (CT) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn CMS25 MOSFET (금속 (() 8-PDFN (3x3) - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 25A (TC) 4.5V, 10V 18mohm @ 12a, 10V 2.5V @ 250µA 8 NC @ 4.5 v ± 20V 500 pf @ 25 v - 21W (TC)
ASS8550-L-HF Comchip Technology ASS8550-L-HF 0.0689
RFQ
 ECAD 7282 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ASS8550 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-ASS8550-L-HFTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 25 v 1.5 a 100NA PNP 500mv @ 80ma, 800ma 120 @ 100MA, 1V 100MHz
AMMBT2907A-HF Comchip Technology AMMBT2907A-HF 0.3200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 60 v 600 MA 50NA PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 200MHz
BAS21S-HF Comchip Technology BAS21S-HF 0.2500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS21 기준 SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-BAS21S-HFTR 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 연결 연결 시리즈 250 v 400MA (DC) 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 200 v 150 ° C (°)
ACZRW5250B-HF Comchip Technology ACZRW5250B-HF 0.0511
RFQ
 ECAD 3096 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 350 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-ACZRW5250B-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 15 v 20 v 25 옴
CMS01P10T-HF Comchip Technology CMS01P10T-HF -
RFQ
 ECAD 1147 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 CMS01 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 - 641-CMS01P10T-HFTR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 100 v 1.2A (TA) 4.5V, 10V 650mohm @ 1a, 10V 2.5V @ 250µA 9.3 NC @ 10 v ± 20V 513 pf @ 15 v - 1W (TA)
ACDBMHT340-HF Comchip Technology ACDBMHT340-HF 0.2046
RFQ
 ECAD 9809 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123T Schottky SOD-123HT - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-ACDBMHT340-HFTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 3 a 200 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A 160pf @ 4V, 1MHz
GBU406-G Comchip Technology GBU406-G 0.8510
RFQ
 ECAD 6752 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU406 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 20 1 V @ 2 a 10 µa @ 600 v 4 a 단일 단일 600 v
CZRA4758-HF Comchip Technology CZRA4758-HF 0.1550
RFQ
 ECAD 3558 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA CZRA4758 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CZRA4758-HFTR 귀 99 8541.10.0050 2,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 42.6 v 56 v 110 옴
BR35005W-G Comchip Technology BR35005W-G -
RFQ
 ECAD 5321 0.00000000 comchip 기술 - 쟁반 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, Br-W 기준 Br-W 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 12.5 a 10 µa @ 50 v 35 a 단일 단일 50 v
CZRA4737-HF Comchip Technology CZRA4737-HF 0.1550
RFQ
 ECAD 2352 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA 플랫 리드 CZRA4737 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 5 v 7.5 v 4 옴
CZRB3130-G Comchip Technology CZRB3130-G -
RFQ
 ECAD 7319 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% - 표면 표면 DO-214AA, SMB CZRB3130 3 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.5 v @ 200 ma 500 NA @ 98.8 v 130 v 375 옴
KBPC1504-G Comchip Technology KBPC1504-G 6.2806
RFQ
 ECAD 4550 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, KBPC KBPC1504 기준 KBPC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 7.5 a 10 µa @ 400 v 15 a 단일 단일 400 v
DF202-G Comchip Technology DF202-G 0.2080
RFQ
 ECAD 2265 0.00000000 comchip 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 에이프 (0.321 ", 8.15mm) DF202 기준 4-DF 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 2 a 10 µa @ 200 v 2 a 단일 단일 200 v
FR601A-G Comchip Technology FR601A-G 0.2684
RFQ
 ECAD 4806 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 R-6, 축, 기준 R-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 641-FR601A-G 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 V @ 6 a 150 ns 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 6A 100pf @ 4V, 1MHz
AMMSZ5254B-HF Comchip Technology AMMSZ5254B-HF 0.0725
RFQ
 ECAD 9718 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 AMMSZ5254 500MW SOD-123 - rohs 준수 641-AMMSZ5254B-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 21 v 27 v 41 옴
MMSZ5255B-HF Comchip Technology MMSZ5255B-HF 0.0487
RFQ
 ECAD 1663 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 MMSZ5255 500MW SOD-123 - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-MMSZ5255B-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 21 v 28 v 44 옴
ABZT52C33-HF Comchip Technology ABZT52C33-HF 0.0690
RFQ
 ECAD 5861 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.06% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 ABZT52 500MW SOD-123 - rohs 준수 641-ABZT52C33-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 23.1 v 33 v 80 옴
CZRC5355B-HF Comchip Technology CZRC5355B-HF -
RFQ
 ECAD 7755 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 5 w DO-214AB (SMC) 다운로드 641-CZRC5355B-HFTR 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 13.7 v 18 v 2.5 옴
CMS02P02T6-HF Comchip Technology CMS02P02T6-HF -
RFQ
 ECAD 3502 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 CMS02 MOSFET (금속 (() 1.25W (TC) SOT-26 - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CMS02P02T6-HFTR 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 2.5A (TC) 90mohm @ 2.5a, 4.5v 1V @ 250µA 4.8nc @ 4.5v 350pf @ 15V -
ES2CB-HF Comchip Technology ES2CB-HF 0.1035
RFQ
 ECAD 3482 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB ES2C 기준 SMB/DO-214AA - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-ES2CB-HFTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 1 V @ 2 a 35 ns 5 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 40pf @ 4V, 1MHz
1N5260B-G Comchip Technology 1N5260B-G -
RFQ
 ECAD 9808 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 - 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-1N5260B-GTB 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 33 v 43 v 93 옴
DF15005SP-G Comchip Technology DF15005SP-G -
RFQ
 ECAD 9696 0.00000000 comchip 기술 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 기준 DFS 다운로드 641-DF15005SP-G 귀 99 8541.10.0080 1 1.1 v @ 1.5 a 5 µa @ 50 v 1.5 a 단일 단일 50 v
ACZRW5238B-G Comchip Technology ACZRW5238B-G 0.0556
RFQ
 ECAD 3705 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123F ACZRW5238 350 MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 6.5 v 8.7 v 8 옴
ACZRW5250B-G Comchip Technology ACZRW5250B-G 0.0556
RFQ
 ECAD 9798 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123F ACZRW5250 350 MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 15 v 20 v 25 옴
RS2G-HF Comchip Technology RS2G-HF 0.3700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA RS2G 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 2 a 150 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 22pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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