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불연속 불연속 제품 (4657)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
CDBW120-HF	0.0556	RFQ	6255	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123	CDBW120	Schottky		SOD-123	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CDBW120-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		20 v		450 mV @ 1 a		1 µa @ 20 v	-	1A	120pf @ 4V, 1MHz
CDBQR0130L-HF	0.4000	RFQ	526	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로			표면 표면	0402 (1005 메트릭)	CDBQR0130	Schottky		0402/SOD-923F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	5,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		30 v		350 mV @ 10 ma		10 µa @ 10 v	125 ° C (°)	100ma	-
ES3DB-HF	0.4100	RFQ	1	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	ES3D	기준		SMB/DO-214AA	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1 V @ 3 a	35 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	45pf @ 4V, 1MHz
ABC857CW-HF	0.0800	RFQ	7806	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	ABC857		200 MW	SOT-323	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-ABC857CW-HFTR	귀 99	8541.21.0075	3,000											45 v	100 MA			15NA (ICBO)			PNP	650MV @ 5MA, 100MA	420 @ 2MA, 5V	250MHz
CZRUR13VB-HF	0.0680	RFQ	9303	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음	Czrur13		150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 9.9 v									13 v	25 옴
CZRB3200-HF	-	RFQ	7355	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB			3 w	SMB/DO-214AA	다운로드				641-CZRB3200-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 152 v									200 v	875 옴
MMSZ4694-HF	0.2700	RFQ	3	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	MMSZ4694		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		1 µa @ 6.2 v									8.2 v
CZRU52C3V3	0.3400	RFQ	6	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음	CZRU52C3V3		150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		25 µa @ 1 v									3.3 v	95 옴
SS54-HF	0.1479	RFQ	6899	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	SS54	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		550 mV @ 5 a		1 ma @ 40 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	500pf @ 4V, 1MHz
CDBM120-G	-	RFQ	5856	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOD-123T	CDBM120	Schottky		SMA/SOD-123	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		20 v		500 mV @ 1 a		500 µa @ 20 v	-50 ° C ~ 125 ° C	1A	-
CDBQC0230R-HF	0.0540	RFQ	1412	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	0402 (1006 메트릭)		Schottky		0402C/SOD-923F	다운로드				641-CDBQC0230R-HFTR	귀 99	8541.10.0070	5,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		30 v		450 mV @ 10 ma		500 na @ 10 v	125 ° C	100ma	-
CDBA5819-G	0.0666	RFQ	3762	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	CDBA5819	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		600 mV @ 1 a		500 µa @ 40 v	-65 ° C ~ 125 ° C	1A	-
CZRSC55C4V7-G	-	RFQ	2285	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-	표면 표면	0805 (2012 5)			500MW	0805	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	5,000					1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 11.4 v									4.7 v	70 옴
CDBV6-54AD-G	0.1370	RFQ	6826	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	CDBV6-54	Schottky		SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	2 양극 양극 공통	30 v	200MA (DC)	1 v @ 100 ma	5 ns	2 µa @ 25 v	-65 ° C ~ 125 ° C
CZRL5231B-G	-	RFQ	4999	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	CZRL5231		500MW	SOD-80 최소값	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500					1.25 V @ 200 ma		5 µa @ 2 v									5.1 v	17 옴
CZRC5369B-G	-	RFQ	4083	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AB, SMC			5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CZRC5369B-GTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 1 a		500 NA @ 38.8 v									51 v	27
Czrer4v3b-Hf	-	RFQ	1107	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 3%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	0503 (1308 메트릭)			150 MW	0503/SOD-723F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		5 µa @ 1 v									4.3 v	88 옴
ACZRA4730-HF	0.1711	RFQ	9494	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	ACZRA4730		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,000					1.2 v @ 200 ma		50 µa @ 1 v									3.9 v	9 옴
MMBZ5252A-HF	0.0556	RFQ	7433	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5252		350 MW	SOT-23-3	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-MMBZ5252A-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 100 ma		100 na @ 18 v									24 v	33 옴
DF208st-G	-	RFQ	4955	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개	DF208	기준		DFS	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000					1.1 v @ 2 a		10 µa @ 800 v		2 a				단일 단일	800 v
RB751V-40-HF	0.3200	RFQ	2	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-76, SOD-323	RB751	Schottky		SOD-323	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		30 v		370 mV @ 1 ma		500 NA @ 30 v	-40 ° C ~ 125 ° C	30ma	2pf @ 1v, 1MHz
ACZRM5245B-HF	0.0610	RFQ	4460	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123F	ACZRM5245		500MW	SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000							100 na @ 11 v									15 v	16 옴
czru36vb-hf	0.0680	RFQ	1186	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음	czru36		150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 27 v									36 v	95 옴
ACDSW4448-HF	0.3400	RFQ	9481	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123	ACDSW4448	기준		SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		75 v		1.25 V @ 150 mA	4 ns	2.5 µa @ 75 v	-55 ° C ~ 150 ° C	200ma	2pf @ 0V, 1MHz
CDBA1200-HF	0.3900	RFQ	5	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	CDBA1200	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		900 mV @ 1 a		500 µa @ 200 v	-50 ° C ~ 175 ° C	1A	120pf @ 4V, 1MHz
CZRC5341B-G	-	RFQ	6041	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AB, SMC			5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CZRC5341B-GTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 1 a		1 µa @ 3 v									6.2 v	1 옴
ES8BC-HF	0.2291	RFQ	4296	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	ES8B	기준		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-ES8BC-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		980 MV @ 8 a	35 ns	10 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	90pf @ 4V, 1MHz
CDBB5100-HF	0.6300	RFQ	59	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	CDBB5100	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		700 mv @ 5 a		500 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 125 ° C	5a	300pf @ 4V, 1MHz
CZRC5354B-HF	-	RFQ	4145	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AB, SMC			5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드				641-CZRC5354B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 1 a		500 NA @ 12.9 v									17 v	2.5 옴
SB320EA-G	0.2244	RFQ	4363	comchip 기술	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SB320	Schottky		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,200	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		20 v		500 mV @ 3 a		500 µa @ 20 v	-65 ° C ~ 125 ° C	3A	250pf @ 4V, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (4657)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²