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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
CDBHM220L-HF	-	RFQ	9027	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	TO-269AA, 4- 베스 외	CDBHM220	Schottky		MBS-2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000			550 mV @ 2 a		1 ma @ 20 v		2 a		단일 단일	20 v
cdbhm280l-g	0.3335	RFQ	7217	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	TO-269AA, 4- 베스 외	CDBHM280	Schottky		MBS-2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000			850 mv @ 2 a		1 ma @ 80 v		2 a		단일 단일	80 v
CDBHM280L-HF	-	RFQ	7081	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	TO-269AA, 4- 베스 외	CDBHM280	Schottky		MBS-2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000			850 mv @ 2 a		1 ma @ 80 v		2 a		단일 단일	80 v
DB107S-G	-	RFQ	8614	comchip 기술	-	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개	DB107	기준		DBS	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50			1.1 v @ 1 a		10 µa @ 1000 v		1 a		단일 단일	1kv
KBP204G-G	0.6900	RFQ	247	comchip 기술	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, KBP	KBP204	기준		KBP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	641-1735	귀 99	8541.10.0080	500			1.1 v @ 2 a		10 µa @ 400 v		2 a		단일 단일	400 v
KBP201G-G	0.6900	RFQ	810	comchip 기술	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, KBP	KBP201	기준		KBP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	641-1737	귀 99	8541.10.0080	500			1.1 v @ 2 a		10 µa @ 100 v		2 a		단일 단일	100 v
KBP206G-G	0.6900	RFQ	177	comchip 기술	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, KBP	KBP206	기준		KBP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	500			1.1 v @ 2 a		10 µa @ 600 v		2 a		단일 단일	600 v
GBL06-G	1.1000	RFQ	19	comchip 기술	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, GBJ	GBL06	기준		GBJ	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	20			1.1 v @ 4 a		5 µa @ 600 v		4 a		단일 단일	600 v
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BR1002SG-G	0.9882	RFQ	9292	comchip 기술	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	4- 스퀘어, BR-8	BR1002	기준		BR-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	200			1.1 v @ 5 a		10 µa @ 200 v		10 a		단일 단일	200 v
BR1006SG-G	2.1600	RFQ	2	comchip 기술	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	4- 스퀘어, BR-8	BR1006	기준		BR-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	200			1.1 v @ 5 a		10 µa @ 600 v		10 a		단일 단일	600 v
BR1004SG-G	2.1600	RFQ	4700	comchip 기술	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	4- 스퀘어, BR-8	BR1004	기준		BR-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	641-1823	귀 99	8541.10.0080	200			1.1 v @ 5 a		10 µa @ 400 v		10 a		단일 단일	400 v
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1N5246B-G	-	RFQ	6376	comchip 기술	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는	-	175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-1N5246B-GTB	귀 99	8541.10.0050	5,000			1.1 v @ 200 ma		100 na @ 12 v						16 v	17 옴
1N5244B-G	-	RFQ	7912	comchip 기술	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는	-	175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-1N5244B-GTB	귀 99	8541.10.0050	5,000			1.1 v @ 200 ma		100 na @ 10 v						14 v	15 옴
1N5242B-G	-	RFQ	1165	comchip 기술	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는	-	175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-1N5242B-GTB	귀 99	8541.10.0050	5,000			1.1 v @ 200 ma		1 µa @ 9.1 v						12 v	30 옴
CDSU101AS-HF	-	RFQ	1641	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	2-SMD,, 없음		기준		0603/SOD-523F	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CDSU101AS-HFTR	귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	100 v	1 v @ 100 ma	4 ns	50 na @ 75 v	-40 ° C ~ 150 ° C	100ma	3pf @ 500mv, 1MHz
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MMBZ5257A-HF	0.0556	RFQ	8626	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5257		350 MW	SOT-23-3	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-MMBZ5257A-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000			1.2 v @ 100 ma		100 na @ 25 v						33 v	58 옴
US2J-HF	0.0662	RFQ	8849	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	US2J	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-US2J-HFTR	귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	600 v	1.65 V @ 2 a	75 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
MMBZ5237A-HF	0.0556	RFQ	8277	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1.95%	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5237		350 MW	SOT-23-3	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-MMBZ5237A-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000			1.2 v @ 100 ma		3 µa @ 6 v						8.2 v	8 옴
es3ab-hf	0.1177	RFQ	5717	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	ES3A	기준		SMB/DO-214AA	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-es3ab-hftr	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	50 v	1 V @ 3 a	35 ns	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	45pf @ 4V, 1MHz
ACFRA102-HF	0.0958	RFQ	9005	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	ACFRA102	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-ACFRA102-HFTR	귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	100 v	1.3 v @ 1 a	150 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	12pf @ 4V, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (4657)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²