RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

불연속 불연속 제품 (4657)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
DF08SP-HF	-	RFQ	4145	comchip 기술	-	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개		기준		DFS	다운로드				641-DF08SP-HF	귀 99	8541.10.0080	1			1.1 v @ 1 a		10 µa @ 800 v		1 a		단일 단일	800 v
CZRW4710-G	-	RFQ	3459	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			350 MW	SOD-123	다운로드				641-CZRW4710-GTR	귀 99	8541.10.0050	1			900 mV @ 10 ma		10 na @ 19 v						25 v
DF1504SP-G	-	RFQ	4958	comchip 기술	-	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개		기준		DFS	다운로드				641-DF1504SP-G	귀 99	8541.10.0080	1			1.1 v @ 1.5 a		5 µa @ 400 v		1.5 a		단일 단일	400 v
DB106ST-HF	-	RFQ	5995	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	4-SMD,, 날개		기준		DBS	다운로드				641-DB106ST-HFTR	귀 99	8541.10.0080	1			1.1 v @ 1 a		10 µa @ 800 v		1 a		단일 단일	800 v
ACZRW5227B-HF	0.0511	RFQ	6663	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			350 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-Aczrw5227B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000			900 mV @ 10 ma		15 µa @ 1 v						3.6 v	24 옴
ACZRW5237B-HF	0.0511	RFQ	3818	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			350 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-Aczrw5237B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000			900 mV @ 10 ma		3 µa @ 6.5 v						8.2 v	8 옴
HBS506-HF	0.3393	RFQ	1535	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개		기준		HBS	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-HBS506-HFTR	귀 99	8541.10.0080	2,500			970 MV @ 5 a		5 µa @ 600 v		5 a		단일 단일	600 v
CDBB545LR-HF	0.6200	RFQ	2	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB		Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	45 v	480 mV @ 5 a		500 µa @ 45 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	1000pf @ 4V, 1MHz
ACZRW5244B-HF	0.0511	RFQ	1197	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			350 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-Aczrw5244B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000			900 mV @ 10 ma		100 na @ 10 v						14 v	15 옴
CGRC307-HF	0.1488	RFQ	7619	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	CGRC307	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CGRC307-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	짐	1000 v	1.1 v @ 3 a		5 µa @ 1000 v	150 ° C	3A	-
CGRC302-G	0.1488	RFQ	7901	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	CGRC302	기준		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CGRC302-GTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	짐	100 v	1.1 v @ 3 a		5 µa @ 100 v	150 ° C	3A	-
CZRT5241B-HF	0.0620	RFQ	9727	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CZRT5241		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CZRT5241B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000			900 mV @ 10 ma		2 µa @ 8.4 v						11 v	22 옴
CZRA4761-HF	0.1550	RFQ	2578	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	CZRA4761		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CZRA4761-HFTR	귀 99	8541.10.0050	2,000			1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 56 v						75 v	175 옴
CZRA4763-G	0.1550	RFQ	6025	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	CZRA4763		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CZRA4763-GTR	귀 99	8541.10.0050	2,000					5 µa @ 69.2 v						91 v	250 옴
CURA105-HF	0.0969	RFQ	4680	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	cura105	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-Cura105-HFTR	귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	600 v	1.7 V @ 1 a	100 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
CZRT5223B-HF	0.0620	RFQ	9760	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CZRT5223		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CZRT5223B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000			900 mV @ 10 ma		75 µa @ 1 v						2.7 v	30 옴
Czrur52c2v2	0.0667	RFQ	5352	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음			150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000			900 mV @ 10 ma		100 µa @ 1 v						2.2 v	100 옴
Czrur52c2v7	0.0667	RFQ	7951	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음			150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000			900 mV @ 10 ma		75 µa @ 1 v						2.7 v	83 옴
CDBHM160L-HF	0.7800	RFQ	428	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	TO-269AA, 4- 베스 외	CDBHM160	Schottky		MBS	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,500			650 mV @ 1 a		500 µa @ 60 v		1 a		단일 단일	60 v
CDBHM1100L-HF	0.7000	RFQ	81	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-269AA, 4- 베스 외	CDBHM1100	Schottky		MBS	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,500			850 mv @ 1 a		500 µa @ 100 v		1 a		단일 단일	100 v
CDBHM260L-HF	0.8700	RFQ	75	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	TO-269AA, 4- 베스 외	CDBHM260	Schottky		MBS-2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000			700 mv @ 2 a		1 ma @ 60 v		2 a		단일 단일	60 v
TB10S-G	-	RFQ	2265	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개		기준		TBS	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500			950 mV @ 400 mA		10 µa @ 1000 v		800 MA		단일 단일	1kv
Czrer7v5b-Hf	-	RFQ	6899	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 3%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	0503 (1308 메트릭)			150 MW	0503/SOD-723F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000			900 mV @ 10 ma		500 na @ 6 v						7.5 v	7 옴
CZRF39VB-HF	-	RFQ	6051	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRF39		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000			900 mV @ 10 ma		100 na @ 30 v						39 v	130 옴
CZRFR36VB-HF	-	RFQ	2497	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRFR36		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000			900 mV @ 10 ma		100 na @ 27 v						36 v	95 옴
HER303GT-G	0.2463	RFQ	1501	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-201AA, DO-27, 축 방향	HER303	기준		DO-27	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,200	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	200 v	1 V @ 3 a	50 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
KBU3508-G	-	RFQ	7907	comchip 기술	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, KBU	KBU3508	기준		KBU	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	400			1.1 v @ 17.5 a		10 µa @ 800 v		4.2 a		단일 단일	800 v
CZRV5235B-G	0.0595	RFQ	8664	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-60 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	CZRV5235		200 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000			900 mV @ 10 ma		3 µa @ 5 v						6.8 v	5 옴
DB101S-G	0.6100	RFQ	77	comchip 기술	-	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개	DB101	기준		DBS	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50			1.1 v @ 1 a		10 µa @ 50 v		1 a		단일 단일	50 v
DB103-G	-	RFQ	4801	comchip 기술	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 에이프 (0.321 ", 8.15mm)	DB103	기준		DB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50			1.1 v @ 1 a		10 µa @ 200 v		1 a		단일 단일	200 v

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (4657)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²