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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
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![]() | GBJ15005-G | - | ![]() | 8107 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GBJ | 기준 | GBJ | - | 641-GBJ15005-G | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 7.5 a | 10 µa @ 50 v | 15 a | 단일 단일 | 50 v | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | C50VB80-G | - | ![]() | 2174 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 4- 스퀘어, CVB | 기준 | CVB | - | 641-C50VB80-G | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.05 V @ 25 a | 10 µa @ 800 v | 50 a | 단일 단일 | 800 v | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BR1501-G | - | ![]() | 6039 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | QC 터미널 | 4- 스퀘어, br | 기준 | Br | - | 641-BR1501-G | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.1 v @ 7.5 a | 10 µa @ 100 v | 15 a | 단일 단일 | 100 v | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BR1502-G | - | ![]() | 9510 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | QC 터미널 | 4- 스퀘어, br | 기준 | Br | - | 641-BR1502-G | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.1 v @ 7.5 a | 10 µa @ 200 v | 15 a | 단일 단일 | 200 v | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KBU606-G | - | ![]() | 9567 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, KBU | 기준 | KBU | - | 641-KBU606-G | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 3 a | 10 µa @ 600 v | 6 a | 단일 단일 | 600 v | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBJ3510-G | - | ![]() | 1360 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GBJ | 기준 | GBJ | - | 641-GBJ3510-G | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.1 v @ 17.5 a | 10 µa @ 1000 v | 35 a | 단일 단일 | 1kv | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | W02mg-g | - | ![]() | 8550 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4., wobm | 기준 | WOBM | - | 641-W02mg-g | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.1 v @ 1.5 a | 10 µa @ 200 v | 1.5 a | 단일 단일 | 200 v | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KBU804-G | - | ![]() | 5117 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, KBU | 기준 | KBU | - | 641-KBU804-G | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 4 a | 10 µa @ 400 v | 8 a | 단일 단일 | 400 v | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KBU608-G | - | ![]() | 1801 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, KBU | 기준 | KBU | - | 641-KBU608-G | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 3 a | 10 µa @ 800 v | 6 a | 단일 단일 | 800 v | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BR1002msg-g | - | ![]() | 2410 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4- 스퀘어, BR-6 | BR1002 | 기준 | BR-6 | 다운로드 | 641-BR1002MSG-G | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.1 v @ 5 a | 10 µa @ 200 v | 10 a | 단일 단일 | 200 v | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBJ1510-G | - | ![]() | 3663 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GBJ | 기준 | GBJ | - | 641-GBJ1510-G | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 7.5 a | 10 µa @ 1000 v | 15 a | 단일 단일 | 1kv | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBJ3501-G | - | ![]() | 6615 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GBJ | 기준 | GBJ | - | 641-GBJ3501-G | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.1 v @ 17.5 a | 10 µa @ 100 v | 35 a | 단일 단일 | 100 v | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CZRL5246B-G | - | ![]() | 2490 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500MW | SOD-80 최소값 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-CZRL5246B-GTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.25 V @ 200 ma | 100 na @ 12 v | 16 v | 17 옴 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CZRL55C47-G | - | ![]() | 5570 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 6.38% | 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500MW | SOD-80 최소값 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-CZRL55C47-GTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 v @ 200 ma | 100 na @ 36 v | 47 v | 110 옴 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CZRL55C3V3-G | - | ![]() | 9176 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 6.06% | 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500MW | SOD-80 최소값 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-CZRL55C3V3-GTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 v @ 200 ma | 2 µa @ 1 v | 3.3 v | 90 옴 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CZRL55C16-G | - | ![]() | 1892 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5.63% | 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500MW | SOD-80 최소값 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-CZRL55C16-GTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 v @ 200 ma | 100 na @ 12 v | 16 v | 40 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Czrl55c7v5-g | - | ![]() | 6879 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 6% | 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500MW | SOD-80 최소값 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-CZRL55C7V5-GTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 v @ 200 ma | 100 na @ 5 v | 7.5 v | 7 옴 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMS06PP03Q8-HF | - | ![]() | 9772 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | CMS06 | MOSFET (금속 (() | 1.5W (TA) | 8-SOP | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-CMS06PP03Q8-HFTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 30V | 6A (TA) | 45mohm @ 5a, 10V | 2.5V @ 250µA | 6.4nc @ 4.5v | 632pf @ 15V | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | SS54F-HF | 0.1350 | ![]() | 5001 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | SS54 | Schottky | smaf | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 550 mV @ 5 a | 1 ma @ 40 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 5a | 500pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBJ2508-HF | 0.9522 | ![]() | 3173 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GBJ | GBJ2508 | 기준 | GBJ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-GBJ2508-HF | 귀 99 | 8541.10.0080 | 15 | 1 V @ 12.5 a | 5 µa @ 800 v | 3.5 a | 단일 단일 | 800 v | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC114YUA-HF | 0.0614 | ![]() | 4046 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | DTC114 | 200 MW | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 70 MA | 500NA | npn-사전- | 300MV @ 250µA, 5MA | 68 @ 10ma, 5V | 250MHz | 10 KOHMS | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | GBU2508-HF | 1.0898 | ![]() | 7460 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GBU | GBU2508 | 기준 | GBU | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-GBU2508-HF | 귀 99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 12.5 a | 5 µa @ 800 v | 25 a | 단일 단일 | 800 v | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ4708-HF | 0.0476 | ![]() | 3931 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ4708 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 10 na @ 16.7 v | 22 v | ||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | MMSZ4713-HF | 0.0476 | ![]() | 1643 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ4713 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 10 na @ 22.8 v | 30 v | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AS1J-HF | 0.0460 | ![]() | 8553 | 0.00000000 | comchip 기술 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | AS1J | 기준 | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 짐 | 600 v | 1.1 v @ 1 a | 5 µa @ 600 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS36F-HF | 0.0837 | ![]() | 6203 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | SS36 | Schottky | smaf | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 60 v | 700 mv @ 3 a | 500 µa @ 60 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 250pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS84C-HF | 0.2190 | ![]() | 9736 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | SS84 | Schottky | DO-214AB (SMC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 550 mV @ 8 a | 1 ma @ 40 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | 600pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | ABS210-HF | 0.1070 | ![]() | 1332 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 날개 | abs210 | 기준 | ABS/LBF | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 1 V @ 2 a | 5 µa @ 1000 v | 2 a | 단일 단일 | 1kv | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | AES2DF-HF | 0.1084 | ![]() | 2855 | 0.00000000 | comchip 기술 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | AES2DF | 기준 | smaf | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 950 MV @ 2 a | 35 ns | 5 µa @ 200 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | - |
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