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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
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![]() | AMMSZ5257A-HF | 0.0725 | ![]() | 2638 | 0.00000000 | comchip 기술 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | AMMSZ5257 | 500MW | SOD-123 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-AMMSZ5257A-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 25 v | 33 v | 58 옴 | ||||||||
![]() | AMMSZ5231B-HF | 0.0725 | ![]() | 3675 | 0.00000000 | comchip 기술 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | AMMSZ5231 | 500MW | SOD-123 | - | rohs 준수 | 641-AMMSZ5231B-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 5 µa @ 2 v | 5.1 v | 17 옴 | |||||||||
![]() | AES1K-HF | 0.0980 | ![]() | 7063 | 0.00000000 | comchip 기술 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | AES1 | 기준 | DO-214AC (SMA) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-AES1K-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 800 v | 2.5 V @ 1 a | 35 ns | 10 µa @ 800 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||
![]() | MMSZ5263B-HF | 0.0487 | ![]() | 4927 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ5263 | 500MW | SOD-123 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-MMSZ5263B-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 43 v | 56 v | 150 옴 | ||||||||
![]() | S3GC-HF | 0.1091 | ![]() | 4458 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | S3GC | 기준 | DO-214AB (SMC) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-S3GC-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 짐 | 400 v | 1 V @ 3 a | 5 µa @ 400 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 40pf @ 4V, 1MHz | |||||||
![]() | MMSZ5240B-HF | 0.0487 | ![]() | 1513 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ5240 | 500MW | SOD-123 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-MMSZ5240B-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 3 µa @ 8 v | 10 v | 17 옴 | ||||||||
![]() | ES8GC-HF | 0.2291 | ![]() | 9132 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | es8g | 기준 | DO-214AB (SMC) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-ES8GC-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 400 v | 1.3 V @ 8 a | 35 ns | 10 µa @ 400 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | 90pf @ 4V, 1MHz | ||||||
![]() | S5DC-HF | 0.1186 | ![]() | 4009 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | S5DC | 기준 | DO-214AB (SMC) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-S5DC-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 짐 | 200 v | 1 V @ 5 a | 5 µa @ 200 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 5a | 50pf @ 4V, 1MHz | |||||||
![]() | MMSZ5241B-HF | 0.0487 | ![]() | 5526 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ5241 | 500MW | SOD-123 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-MMSZ5241B-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 2 µa @ 8.4 v | 11 v | 22 옴 | ||||||||
![]() | ES1JWF-HF | 0.0690 | ![]() | 2005 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-123F | ES1J | 기준 | SOD-123F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-es1jwf-hftr | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.68 V @ 1 a | 35 ns | 5 µa @ 600 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||
![]() | BZT52C3V6-HF | 0.0476 | ![]() | 9096 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | BZT52 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-BZT52C3V6-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 5 µa @ 1 v | 3.6 v | 90 옴 | ||||||||
![]() | BZT52C24-HF | 0.0476 | ![]() | 3355 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | BZT52 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-BZT52C24-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 16.8 v | 24 v | 70 옴 | ||||||||
![]() | US1AWF-HF | 0.0690 | ![]() | 4774 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-123F | US1A | 기준 | SOD-123F | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-US1aWF-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 50 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 5 µa @ 50 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||
![]() | BZX84C7V5CC-HF | 0.0492 | ![]() | 9449 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 6% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84C7 | 350 MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-BZX84C7V5CC-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 a | 1 µa @ 5 v | 7.5 v | 15 옴 | ||||||||
![]() | BZT52C75-HF | 0.0476 | ![]() | 5069 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | BZT52 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-BZT52C75-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 45 NA @ 52.5 v | 75 v | 255 옴 | ||||||||
![]() | CDBHA1045-HF | 0.3542 | ![]() | 3116 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-277, 3-powerdfn | CDBHA1045 | Schottky | TO-277B | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-CDBHA1045-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 45 v | 470 mV @ 10 a | 500 µa @ 45 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | |||||||
![]() | CDBHA10100-HF | 0.4025 | ![]() | 3534 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-277, 3-powerdfn | CDBHA10100 | Schottky | TO-277B | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-CDBHA10100-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 700 mV @ 10 a | 250 µa @ 100 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | |||||||
![]() | S10DC-HF | 0.1961 | ![]() | 4538 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | S10D | 기준 | DO-214AB (SMC) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-S10DC-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 짐 | 200 v | 1 V @ 10 a | 5 µa @ 200 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 10A | 100pf @ 4V, 1MHz | |||||||
![]() | US2DWF-HF | 0.0828 | ![]() | 8737 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-123F | US2D | 기준 | SOD-123F | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-US2DWF-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 1 V @ 2 a | 50 ns | 5 µa @ 200 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | - | ||||||
![]() | RS2BWF-HF | 0.0863 | ![]() | 5656 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-123F | RS2B | 기준 | SOD-123F | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-RS2BWF-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 1.3 V @ 2 a | 150 ns | 5 µa @ 100 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 30pf @ 4V, 1MHz | ||||||
![]() | MMSZ5256B-HF | 0.0487 | ![]() | 9120 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ5256 | 500MW | SOD-123 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-MMSZ5256B-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 23 v | 30 v | 49 옴 | ||||||||
![]() | S2BB-HF | 0.0863 | ![]() | 3254 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | S2BB | 기준 | SMB/DO-214AA | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-S2BB-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 짐 | 100 v | 1.1 v @ 2 a | 5 µa @ 100 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 25pf @ 4V, 1MHz | |||||||
![]() | BZT52C30-HF | 0.0476 | ![]() | 6887 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | BZT52 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-BZT52C30-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 21 v | 30 v | 80 옴 | ||||||||
![]() | MMSZ5252B-HF | 0.0487 | ![]() | 5178 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ5252 | 500MW | SOD-123 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-MMSZ5252B-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 18 v | 24 v | 33 옴 | ||||||||
![]() | RS2KB-HF | 0.0828 | ![]() | 1807 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | RS2K | 기준 | SMB/DO-214AA | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-RS2KB-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 800 v | 1.3 V @ 2 a | 500 ns | 5 µa @ 800 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 28pf @ 4V, 1MHz | ||||||
![]() | MMSZ5258B-HF | 0.0487 | ![]() | 7981 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ5258 | 500MW | SOD-123 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-MMSZ5258B-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 27 v | 36 v | 70 옴 | ||||||||
![]() | CZRL55C16-G | - | ![]() | 1892 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5.63% | 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500MW | SOD-80 최소값 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-CZRL55C16-GTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 v @ 200 ma | 100 na @ 12 v | 16 v | 40 | |||||||||
![]() | Czrl55c7v5-g | - | ![]() | 6879 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 6% | 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500MW | SOD-80 최소값 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-CZRL55C7V5-GTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 v @ 200 ma | 100 na @ 5 v | 7.5 v | 7 옴 | |||||||||
![]() | CZRL5246B-G | - | ![]() | 2490 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500MW | SOD-80 최소값 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-CZRL5246B-GTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.25 V @ 200 ma | 100 na @ 12 v | 16 v | 17 옴 | |||||||||
![]() | CZRL55C47-G | - | ![]() | 5570 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 6.38% | 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500MW | SOD-80 최소값 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-CZRL55C47-GTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 v @ 200 ma | 100 na @ 36 v | 47 v | 110 옴 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고