SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
CZRW55C22-G Comchip Technology CZRW55C22-G -
RFQ
ECAD 3898 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 CZRW55 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 15.4 v 22 v 55 옴
KBU2504-G Comchip Technology KBU2504-G 2.5400
RFQ
ECAD 69 0.00000000 comchip 기술 - 쟁반 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBU KBU2504 기준 KBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 400 1.1 v @ 12.5 a 10 µa @ 400 v 3.6 a 단일 단일 400 v
CZRC5347B-HF Comchip Technology CZRC5347B-HF -
RFQ
ECAD 9865 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 5 w DO-214AB (SMC) 다운로드 641-CZRC5347B-HFTR 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 1 a 5 µa @ 7.6 v 10 v 2 옴
MBRF20150CT-HF Comchip Technology MBRF20150CT-HF -
RFQ
ECAD 3954 0.00000000 comchip 기술 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBRF20150 Schottky ITO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-MBRF20150CT-HF 쓸모없는 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 20A 870 mV @ 10 a 100 µa @ 150 v 175 ° C
CDBH3-54C-HF Comchip Technology CDBH3-54C-HF -
RFQ
ECAD 2751 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOT-523 CDBH3-54 Schottky SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CDBH3-54C-HFTR 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 30 v 200MA (DC) 1 v @ 100 ma 5 ns 2 µa @ 25 v 125 ° C (°)
CZRB5355B-HF Comchip Technology CZRB5355B-HF 0.6200
RFQ
ECAD 3 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB CZRB5355 5 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 13.7 v 18 v 2.5 옴
US3AB-HF Comchip Technology US3AB-HF 0.1063
RFQ
ECAD 7015 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB US3A 기준 SMB/DO-214AA 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 641-US3AB-HFTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1 V @ 3 a 50 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
CEFC303-G Comchip Technology CEFC303-G -
RFQ
ECAD 4495 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AB, SMC CEFC303 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 900 mV @ 3 a 50 ns 10 µa @ 200 v 150 ° C (°) 3A -
ACZRT55C5V1-G Comchip Technology ACZRT55C5V1-G 0.3700
RFQ
ECAD 719 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ACZRT55 350 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 2 v 5.1 v 60 옴
GBU4M-G Comchip Technology GBU4M-G -
RFQ
ECAD 2539 0.00000000 comchip 기술 - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU gbu4m 기준 GBU - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 4 a 단일 단일 1kv
GBPC3506-G Comchip Technology GBPC3506-G 4.7800
RFQ
ECAD 482 0.00000000 comchip 기술 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, GBPC GBPC3506 기준 GBPC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 10 µa @ 600 v 35 a 단일 단일 600 v
GBPC3510-G Comchip Technology GBPC3510-G 4.7800
RFQ
ECAD 5 0.00000000 comchip 기술 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, GBPC GBPC3510 기준 GBPC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 17.5 a 10 µa @ 1000 v 35 a 단일 단일 1kv
GBPC5008-G Comchip Technology GBPC5008-G 5.3000
RFQ
ECAD 130 0.00000000 comchip 기술 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, GBPC GBPC5008 기준 GBPC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 25 a 10 µa @ 800 v 50 a 단일 단일 800 v
SC35VB80-G Comchip Technology SC35VB80-G -
RFQ
ECAD 4279 0.00000000 comchip 기술 - 쟁반 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 5., SCVB SC35VB80 기준 SCVB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 641-1390 귀 99 8541.10.0080 20 1.05 V @ 12.5 a 10 µa @ 800 v 35 a 3 단계 800 v
DF005-G Comchip Technology DF005-G 0.6100
RFQ
ECAD 941 0.00000000 comchip 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 에이프 (0.321 ", 8.15mm) DF005 기준 4-DF 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 1 a 10 µa @ 50 v 1 a 단일 단일 50 v
RS507-G Comchip Technology RS507-G -
RFQ
ECAD 1338 0.00000000 comchip 기술 - 쟁반 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, RS-5 기준 RS5 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 641-1356 귀 99 8541.10.0080 400 1 V @ 5 a 10 µa @ 1000 v 5 a 단일 단일 1kv
KBU10005-G Comchip Technology KBU10005-G 1.2250
RFQ
ECAD 9744 0.00000000 comchip 기술 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBU KBU10005 기준 KBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 641-1357 귀 99 8541.10.0080 400 1 V @ 5 a 10 µa @ 50 v 10 a 단일 단일 50 v
KBU1004-G Comchip Technology KBU1004-G 2.0600
RFQ
ECAD 69 0.00000000 comchip 기술 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBU KBU1004 기준 KBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 400 1 V @ 5 a 10 µa @ 400 v 10 a 단일 단일 400 v
GBU1010-G Comchip Technology GBU1010-G 1.4400
RFQ
ECAD 63 0.00000000 comchip 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU1010 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 20 1 V @ 5 a 10 µa @ 1000 v 10 a 단일 단일 1kv
GBU2504-G Comchip Technology GBU2504-G 1.3472
RFQ
ECAD 1637 0.00000000 comchip 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU2504 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 641-1373-5 귀 99 8541.10.0080 20 1 V @ 12.5 a 10 µa @ 400 v 25 a 단일 단일 400 v
GBJ10005-G Comchip Technology GBJ10005-G 1.2247
RFQ
ECAD 1651 0.00000000 comchip 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBJ GBJ10005 기준 GBJ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 15 1.05 V @ 5 a 10 µa @ 50 v 10 a 단일 단일 50 v
GBJ2010-G Comchip Technology GBJ2010-G -
RFQ
ECAD 6330 0.00000000 comchip 기술 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBJ GBJ2010 기준 GBJ 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 750 1.05 V @ 10 a 10 µa @ 1000 v 20 a 단일 단일 1kv
GBJ2510-G Comchip Technology GBJ2510-G 1.5922
RFQ
ECAD 2150 0.00000000 comchip 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBJ GBJ2510 기준 GBJ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 15 1 V @ 12.5 a 10 µa @ 1000 v 25 a 단일 단일 1kv
KBPC3506-G Comchip Technology KBPC3506-G 10.5800
RFQ
ECAD 410 0.00000000 comchip 기술 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, KBPC KBPC3506 기준 KBPC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 17.5 a 10 µa @ 600 v 35 a 단일 단일 600 v
KBPC3506W-G Comchip Technology KBPC3506W-G 6.8882
RFQ
ECAD 9055 0.00000000 comchip 기술 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, KBPC-W KBPC3506 기준 KBPC-W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 17.5 a 10 µa @ 600 v 35 a 단일 단일 600 v
MB6M-G Comchip Technology MB6M-G -
RFQ
ECAD 9221 0.00000000 comchip 기술 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.200 ", 5.08mm) MB6 기준 MBM 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 800 ma 5 µa @ 600 v 800 MA 단일 단일 600 v
MB10M-G Comchip Technology MB10M-G -
RFQ
ECAD 8564 0.00000000 comchip 기술 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.200 ", 5.08mm) MB10 기준 MBM 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 800 ma 5 µa @ 1000 v 800 MA 단일 단일 1kv
BR3504-G Comchip Technology BR3504-G -
RFQ
ECAD 3640 0.00000000 comchip 기술 - 쟁반 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, br BR3504 기준 Br 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 12.5 a 10 µa @ 400 v 35 a 단일 단일 400 v
BR1004W-G Comchip Technology BR1004W-g -
RFQ
ECAD 6789 0.00000000 comchip 기술 - 쟁반 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, Br-W 기준 Br-W 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 25 a 10 µa @ 400 v 10 a 단일 단일 400 v
BR1010W-G Comchip Technology BR1010W-G -
RFQ
ECAD 8772 0.00000000 comchip 기술 - 쟁반 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, Br-W 기준 Br-W 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 25 a 10 µa @ 800 v 10 a 단일 단일 1kv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고