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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
CZRV5245B-G Comchip Technology CZRV5245B-G 0.0595
RFQ
ECAD 5614 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -60 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 CZRV5245 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 11 v 15 v 16 옴
AMMSZ5245A-HF Comchip Technology AMMSZ5245A-HF 0.0725
RFQ
ECAD 6487 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 AMMSZ5245 500MW SOD-123 - rohs 준수 641-AMMSZ5245A-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 500 na @ 11 v 15 v 16 옴
CZRNC55C68-G Comchip Technology Czrnc55c68-g -
RFQ
ECAD 5917 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 500MW 1206 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 51 v 68 v 200 옴
CZRT55C22-G Comchip Technology CZRT55C22-G 0.0620
RFQ
ECAD 5174 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 CZRT55 350 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 15.4 v 22 v 55 옴
1N5222B-G Comchip Technology 1N5222B-G -
RFQ
ECAD 1025 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 - 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-1N522B-GTB 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.1 v @ 200 ma 100 µa @ 1 v 2.5 v 30 옴
CZRT55C10-G Comchip Technology CZRT55C10-G 0.0620
RFQ
ECAD 1293 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 CZRT55 350 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 200 na @ 7 v 10 v 20 옴
CDBUR0240 Comchip Technology CDBUR0240 0.0805
RFQ
ECAD 4876 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 없음 Schottky 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 4,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 550 mV @ 200 mA 10 µa @ 30 v 125 ° C (°) 200ma 9pf @ 10V, 1MHz
MMSZ5228B-HF Comchip Technology MMSZ5228B-HF 0.0487
RFQ
ECAD 7529 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 MMSZ5228 500MW SOD-123 - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-MMSZ5228B-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 10 µa @ 1 v 3.9 v 23 옴
CDBD2040-HF Comchip Technology CDBD2040-HF -
RFQ
ECAD 8241 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB CDBD2040 Schottky D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 20A (DC) 550 mV @ 10 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C
MBRF1040CT-HF Comchip Technology MBRF1040CT-HF -
RFQ
ECAD 1157 0.00000000 comchip 기술 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBRF1040 Schottky ITO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-MBRF1040CT-HF 쓸모없는 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 10A 650 mV @ 5 a 100 µa @ 40 v 175 ° C
CDBA5100-HF Comchip Technology CDBA5100-HF 0.5700
RFQ
ECAD 58 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA CDBA5100 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 810 mv @ 5 a 500 µa @ 100 v -50 ° C ~ 150 ° C 5a 380pf @ 4V, 1MHz
CDBD1060-G Comchip Technology CDBD1060-G 0.6608
RFQ
ECAD 7993 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB CDBD1060 Schottky D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 10A (DC) 750 mv @ 10 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
CZRT55C18-G Comchip Technology CZRT55C18-G 0.0620
RFQ
ECAD 7272 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 CZRT55 350 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 12.6 v 18 v 45 옴
CZRUR6V2B-HF Comchip Technology Czrur6v2b-Hf 0.0680
RFQ
ECAD 1564 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 czrur6v2 150 MW 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 4 v 6.2 v 10 옴
CDBMT240L-HF Comchip Technology CDBMT240L-HF 0.1797
RFQ
ECAD 2919 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123H CDBMT240 Schottky SOD-123H 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 400 mV @ 2 a 1 ma @ 40 v -55 ° C ~ 100 ° C 2A 160pf @ 4V, 1MHz
CDBA5200-HF Comchip Technology CDBA5200-HF 0.5600
RFQ
ECAD 71 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA CDBA5200 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 900 mV @ 5 a 500 µa @ 200 v -50 ° C ~ 175 ° C 5a 380pf @ 4V, 1MHz
CZRW5241B-G Comchip Technology CZRW5241B-G 0.0556
RFQ
ECAD 2451 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 CZRW5241 350 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 8.4 v 11 v 22 옴
ACZRC5386B-G Comchip Technology ACZRC5386B-G 0.3480
RFQ
ECAD 1959 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AB, SMC ACZRC5386 5 w DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 137 v 180 v 430 옴
CZRW4686-G Comchip Technology CZRW4686-G -
RFQ
ECAD 1496 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5.13% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 350 MW SOD-123 다운로드 641-CZRW4686-GTR 귀 99 8541.10.0050 1 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 2 v 3.9 v
CZRB5343B-HF Comchip Technology CZRB5343B-HF 0.8100
RFQ
ECAD 14 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB CZRB5343 5 w SMB (DO-214AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 5.7 v 7.5 v 1.5 옴
1N5231B-G Comchip Technology 1N5231B-G -
RFQ
ECAD 6563 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 - 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-1n5231B-GTB 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.1 v @ 200 ma 5 µa @ 2 v 5.1 v 17 옴
CZRQR8V2B-HF Comchip Technology czrqr8v2b-hf -
RFQ
ECAD 5642 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 0402 (1006 메트릭) czrqr8 125 MW 0402 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 900 mV @ 10 ma 500 NA @ 6.5 v 8.2 v 7 옴
CDBMHT140-HF Comchip Technology CDBMHT140-HF 0.1059
RFQ
ECAD 8914 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123T CDBMHT140 Schottky SOD-123HT 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 1 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A 120pf @ 4V, 1MHz
BZX84C8V2CC-HF Comchip Technology BZX84C8V2CC-HF 0.0492
RFQ
ECAD 7369 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.1% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C8 350 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-BZX84C8V2CC-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 a 700 na @ 5 v 8.2 v 15 옴
CDST-21C-G Comchip Technology CDST-21C-G -
RFQ
ECAD 9672 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 기준 SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 250 v 200ma 1.25 V @ 200 ma 50 ns 1 µa @ 200 v 150 ° C (°)
CZRQR13VB-HF Comchip Technology CZRQR13VB-HF -
RFQ
ECAD 4049 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 0402 (1006 메트릭) CZRQR13 125 MW 0402/SOD-923F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 9.9 v 13 v 25 옴
CGRAT105L-HF Comchip Technology Cgrat105L-HF -
RFQ
ECAD 9586 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 2-SMD,, 없음 기준 2010/DO-214AC 다운로드 1 (무제한) 641-CGRAT105L-HFTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 1000 v 930 MV @ 1 a 5 µa @ 1000 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8.2pf @ 4V, 1MHz
CZRL5241B-G Comchip Technology CZRL5241B-G -
RFQ
ECAD 1802 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% - 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 CZRL5241 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.25 V @ 200 ma 2 µa @ 8.4 v 11 v 22 옴
1N5232B-G Comchip Technology 1N5232B-G -
RFQ
ECAD 2109 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 - 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-1N5232B-GTB 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.1 v @ 200 ma 5 µa @ 3 v 5.6 v 11 옴
SB280E-G Comchip Technology SB280E-G 0.1550
RFQ
ECAD 2734 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 SB280 Schottky DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 80 v 850 mv @ 2 a 500 µa @ 80 v -65 ° C ~ 150 ° C 2A 170pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고