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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
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![]() | CZRV5245B-G | 0.0595 | ![]() | 5614 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -60 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | CZRV5245 | 200 MW | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 11 v | 15 v | 16 옴 | |||||||||||
![]() | AMMSZ5245A-HF | 0.0725 | ![]() | 6487 | 0.00000000 | comchip 기술 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | AMMSZ5245 | 500MW | SOD-123 | - | rohs 준수 | 641-AMMSZ5245A-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 500 na @ 11 v | 15 v | 16 옴 | ||||||||||||
![]() | Czrnc55c68-g | - | ![]() | 5917 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | 2-SMD,, 없음 | 500MW | 1206 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 v @ 200 ma | 100 na @ 51 v | 68 v | 200 옴 | ||||||||||||||
![]() | CZRT55C22-G | 0.0620 | ![]() | 5174 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 6% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | CZRT55 | 350 MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 15.4 v | 22 v | 55 옴 | |||||||||||
![]() | 1N5222B-G | - | ![]() | 1025 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | - | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-1N522B-GTB | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.1 v @ 200 ma | 100 µa @ 1 v | 2.5 v | 30 옴 | ||||||||||||
![]() | CZRT55C10-G | 0.0620 | ![]() | 1293 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 6% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | CZRT55 | 350 MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 200 na @ 7 v | 10 v | 20 옴 | |||||||||||
![]() | CDBUR0240 | 0.0805 | ![]() | 4876 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 2-SMD,, 없음 | Schottky | 0603/SOD-523F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 4,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 40 v | 550 mV @ 200 mA | 10 µa @ 30 v | 125 ° C (°) | 200ma | 9pf @ 10V, 1MHz | |||||||||||
![]() | MMSZ5228B-HF | 0.0487 | ![]() | 7529 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ5228 | 500MW | SOD-123 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-MMSZ5228B-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 10 µa @ 1 v | 3.9 v | 23 옴 | |||||||||||
![]() | CDBD2040-HF | - | ![]() | 8241 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | CDBD2040 | Schottky | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 40 v | 20A (DC) | 550 mV @ 10 a | 500 µa @ 40 v | -55 ° C ~ 125 ° C | ||||||||||
![]() | MBRF1040CT-HF | - | ![]() | 1157 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MBRF1040 | Schottky | ITO-220AB | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-MBRF1040CT-HF | 쓸모없는 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 40 v | 10A | 650 mV @ 5 a | 100 µa @ 40 v | 175 ° C | |||||||||||
![]() | CDBA5100-HF | 0.5700 | ![]() | 58 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | CDBA5100 | Schottky | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 810 mv @ 5 a | 500 µa @ 100 v | -50 ° C ~ 150 ° C | 5a | 380pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | CDBD1060-G | 0.6608 | ![]() | 7993 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | CDBD1060 | Schottky | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 60 v | 10A (DC) | 750 mv @ 10 a | 500 µa @ 60 v | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | CZRT55C18-G | 0.0620 | ![]() | 7272 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 6% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | CZRT55 | 350 MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 12.6 v | 18 v | 45 옴 | |||||||||||
![]() | Czrur6v2b-Hf | 0.0680 | ![]() | 1564 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 2-SMD,, 없음 | czrur6v2 | 150 MW | 0603/SOD-523F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 900 mV @ 10 ma | 1 µa @ 4 v | 6.2 v | 10 옴 | |||||||||||
![]() | CDBMT240L-HF | 0.1797 | ![]() | 2919 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-123H | CDBMT240 | Schottky | SOD-123H | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 400 mV @ 2 a | 1 ma @ 40 v | -55 ° C ~ 100 ° C | 2A | 160pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | CDBA5200-HF | 0.5600 | ![]() | 71 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | CDBA5200 | Schottky | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 900 mV @ 5 a | 500 µa @ 200 v | -50 ° C ~ 175 ° C | 5a | 380pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | CZRW5241B-G | 0.0556 | ![]() | 2451 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | CZRW5241 | 350 MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 2 µa @ 8.4 v | 11 v | 22 옴 | |||||||||||
![]() | ACZRC5386B-G | 0.3480 | ![]() | 1959 | 0.00000000 | comchip 기술 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | ACZRC5386 | 5 w | DO-214AB (SMC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 1 a | 500 NA @ 137 v | 180 v | 430 옴 | |||||||||||
![]() | CZRW4686-G | - | ![]() | 1496 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5.13% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | 350 MW | SOD-123 | 다운로드 | 641-CZRW4686-GTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 ma | 5 µa @ 2 v | 3.9 v | |||||||||||||||
![]() | CZRB5343B-HF | 0.8100 | ![]() | 14 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | CZRB5343 | 5 w | SMB (DO-214AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µa @ 5.7 v | 7.5 v | 1.5 옴 | |||||||||||
![]() | 1N5231B-G | - | ![]() | 6563 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | - | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-1n5231B-GTB | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.1 v @ 200 ma | 5 µa @ 2 v | 5.1 v | 17 옴 | ||||||||||||
![]() | czrqr8v2b-hf | - | ![]() | 5642 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 0402 (1006 메트릭) | czrqr8 | 125 MW | 0402 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 900 mV @ 10 ma | 500 NA @ 6.5 v | 8.2 v | 7 옴 | |||||||||||
![]() | CDBMHT140-HF | 0.1059 | ![]() | 8914 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-123T | CDBMHT140 | Schottky | SOD-123HT | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 500 mV @ 1 a | 500 µa @ 40 v | -55 ° C ~ 125 ° C | 1A | 120pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | BZX84C8V2CC-HF | 0.0492 | ![]() | 7369 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 6.1% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84C8 | 350 MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-BZX84C8V2CC-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 a | 700 na @ 5 v | 8.2 v | 15 옴 | |||||||||||
![]() | CDST-21C-G | - | ![]() | 9672 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 기준 | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 1 음극 음극 공통 | 250 v | 200ma | 1.25 V @ 200 ma | 50 ns | 1 µa @ 200 v | 150 ° C (°) | ||||||||||
![]() | CZRQR13VB-HF | - | ![]() | 4049 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 0402 (1006 메트릭) | CZRQR13 | 125 MW | 0402/SOD-923F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 9.9 v | 13 v | 25 옴 | |||||||||||
Cgrat105L-HF | - | ![]() | 9586 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 2-SMD,, 없음 | 기준 | 2010/DO-214AC | 다운로드 | 1 (무제한) | 641-CGRAT105L-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 짐 | 1000 v | 930 MV @ 1 a | 5 µa @ 1000 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8.2pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||
![]() | CZRL5241B-G | - | ![]() | 1802 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | - | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | CZRL5241 | 500MW | SOD-80 최소값 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.25 V @ 200 ma | 2 µa @ 8.4 v | 11 v | 22 옴 | |||||||||||
![]() | 1N5232B-G | - | ![]() | 2109 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | - | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-1N5232B-GTB | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.1 v @ 200 ma | 5 µa @ 3 v | 5.6 v | 11 옴 | ||||||||||||
SB280E-G | 0.1550 | ![]() | 2734 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | DO-204AC, DO-15, 축 방향 | SB280 | Schottky | DO-15 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 80 v | 850 mv @ 2 a | 500 µa @ 80 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 2A | 170pf @ 4V, 1MHz |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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