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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
US2MWF-HF Comchip Technology US2MWF-HF 0.0828
RFQ
ECAD 1086 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F US2M 기준 SOD-123F - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-US2MWF-HFTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.68 V @ 2 a 75 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
CDBQC140L-HF Comchip Technology CDBQC140L-HF 0.0505
RFQ
ECAD 7002 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 0402 (1006 메트릭) CDBQC140 Schottky 0402C/SOD-923F - 1 (무제한) 641-CDBQC140L-HFTR 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 560 mV @ 1 a 40 V @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 125pf @ 0V, 1MHz
CDBM140L-HF Comchip Technology CDBM140L-HF 0.1320
RFQ
ECAD 8153 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123T CDBM140 Schottky SMA/SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 400 mV @ 1 a 1 ma @ 40 v -55 ° C ~ 100 ° C 1A 130pf @ 4V, 1MHz
AMMSZ5241A-HF Comchip Technology AMMSZ5241A-HF 0.0725
RFQ
ECAD 6558 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 AMMSZ5241 500MW SOD-123 - rohs 준수 641-AMMSZ5241A-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 8.4 v 11 v 22 옴
CZRL55C62-G Comchip Technology CZRL55C62-G -
RFQ
ECAD 2755 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 6.45% 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW SOD-80 최소값 - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CZRL55C62-GTR 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 47 v 62 v 150 옴
AMMSZ5260A-HF Comchip Technology AMMSZ5260A-HF 0.0725
RFQ
ECAD 6816 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 AMMSZ5260 500MW SOD-123 - rohs 준수 641-AMMSZ5260A-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 33 v 43 v 93 옴
CDBC5150-HF Comchip Technology CDBC5150-HF 0.7500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC CDBC5150 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 870 mV @ 5 a 500 µa @ 150 v -50 ° C ~ 175 ° C 5a 380pf @ 4V, 1MHz
CDBM140LR-HF Comchip Technology CDBM140LR-HF -
RFQ
ECAD 1411 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOD-123F CDBM140 Schottky SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 450 mV @ 1 a 200 µa @ 30 v -50 ° C ~ 125 ° C 1A 200pf @ 4V, 1MHz
S2W-HF Comchip Technology S2W-HF 0.1205
RFQ
ECAD 9435 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB S2W 기준 SMB/DO-214AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 1600 v 1.1 v @ 1.5 a 5 µa @ 1600 v -65 ° C ~ 150 ° C 1.5A -
CDSF4148 Comchip Technology CDSF4148 0.3500
RFQ
ECAD 6 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 1005 (2512 25) CDSF4148 기준 1005/SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 4,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 75 v 1 V @ 50 ma 4 ns 2.5 µa @ 75 v 125 ° C (°) 150ma 4pf @ 0V, 1MHz
CGRTS4002-HF Comchip Technology CGRTS4002-HF 0.0690
RFQ
ECAD 1918 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F CGRTS4002 기준 TS/SOD-123FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 100 v 1 V @ 1 a 10 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 6pf @ 4V, 1MHz
BZT52C15-HF Comchip Technology BZT52C15-HF 0.0476
RFQ
ECAD 5021 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-BZT52C15-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 10.5 v 15 v 30 옴
CZRQR13VB-HF Comchip Technology CZRQR13VB-HF -
RFQ
ECAD 4049 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 0402 (1006 메트릭) CZRQR13 125 MW 0402/SOD-923F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 9.9 v 13 v 25 옴
CZRW55C4V7-G Comchip Technology CZRW55C4V7-G -
RFQ
ECAD 6886 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 CZRW55 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 2 v 4.7 v 80 옴
ACZRC5361B-G Comchip Technology ACZRC5361B-G 0.9000
RFQ
ECAD 21 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AB, SMC ACZRC5361 5 w DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 20.6 v 27 v 5 옴
MBRF1060CT-HF Comchip Technology MBRF1060CT-HF -
RFQ
ECAD 7120 0.00000000 comchip 기술 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBRF106 Schottky ITO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-MBRF1060CT-HF 쓸모없는 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 10A 750 mV @ 5 a 100 µa @ 60 v 175 ° C
CZRW55C9V1-G Comchip Technology CZRW55C9V1-G -
RFQ
ECAD 2595 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 CZRW55 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 500 na @ 6 v 9.1 v 15 옴
S2M-HF Comchip Technology S2M-HF 0.3700
RFQ
ECAD 9 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA S2M 기준 DO-214AC (SMA) - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 5,000 1000 v 1.1 v @ 2 a 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 25pf @ 4V, 1MHz
CEFM104-G Comchip Technology CEFM104-G 0.4500
RFQ
ECAD 20 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123T CEFM104 기준 SMA/SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.25 V @ 1 a 25 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
FR202GT-G Comchip Technology FR202GT-G 0.0600
RFQ
ECAD 5479 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 기준 DO-15 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 641-FR202GT-GTR 귀 99 8541.10.0080 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.3 V @ 2 a 150 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
ES1E-HF Comchip Technology ES1E-HF 0.0776
RFQ
ECAD 9404 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA es1e 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-es1e-hftr 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.25 V @ 1 a 35 ns 5 µa @ 300 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
CZRT5235B-HF Comchip Technology CZRT5235B-HF 0.0620
RFQ
ECAD 3932 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 CZRT5235 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CZRT5235B-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 5 v 6.8 v 5 옴
CDBZ0130R-A1HF Comchip Technology CDBZ0130R-A1HF -
RFQ
ECAD 9417 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 0201 (0603 메트릭) Schottky 0201/DFN0603 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CDBZ0130R-A1HFTR 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 850 mV @ 100 ma 20 µa @ 30 v 125 ° C 100ma -
CZRU33VB-HF Comchip Technology CZRU33VB-HF 0.0680
RFQ
ECAD 4651 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 czru33 150 MW 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 25 v 33 v 88 옴
ACZRC5367B-G Comchip Technology ACZRC5367B-G 0.3480
RFQ
ECAD 5020 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AB, SMC ACZRC5367 5 w DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 32.7 v 43 v 20 옴
CZRF30VB-HF Comchip Technology CZRF30VB-HF -
RFQ
ECAD 7989 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 3% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 1005 (2512 25) CZRF30 200 MW 1005/SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 23 v 30 v 78 옴
CUR808-G Comchip Technology CUR808-G -
RFQ
ECAD 1516 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 cur80 기준 TO-220AC - Rohs3 준수 641-Cur808-G 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.7 V @ 8 a 60 ns 10 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 40pf @ 4V, 1MHz
GBL08-G Comchip Technology GBL08-G 0.7662
RFQ
ECAD 7857 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBJ GBL08 기준 GBJ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 20 1 V @ 2 a 10 µa @ 800 v 4 a 단일 단일 800 v
CZRFR52C6V2-HF Comchip Technology CZRFR52C6V2-HF 0.0805
RFQ
ECAD 7227 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 1005 (2512 25) CZRFR52 200 MW 1005/SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 2 v 6.2 v 10 옴
SS220B-HF Comchip Technology SS220B-HF 0.0990
RFQ
ECAD 2447 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB SS220 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 2 a 300 µa @ 200 v -55 ° C ~ 125 ° C 2A 110pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고